英特尔正在研发超大型处理器封装，最大尺寸可达 240 毫米 ×240 毫米。未来人工智能、高性能计算设备可在单一封装内集成大量专用芯粒。英特尔将该技术命名为超大型外形尺寸封装（Hyper Large Form Factor，HLFF）。现阶段研发目标是实现面积达标准光刻掩膜 24 倍的封装；长期技术路线规划将依托面板级封装工艺（PLP），突破这一尺寸上限。英特尔表示，其位于美国新墨西哥州里奥兰乔的先进封装工厂，已完成多款大尺寸嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）、3D 堆叠封装（Foveros）方案验证。研发
关键字：
英特尔
封装技术
封装面积光刻掩膜
碳化硅（SiC）凭借低导通电阻、高导热、高耐压、快开关速度等特性，已广泛应用于光伏风电逆变器、储能系统、固态变压器等电力设备，适配电网、AI数据中心、快充等高压大功率场景。随着电力系统功率密度持续提升，SiC器件工作电压与运行温度不断提高，高压绝缘与高密度散热成为行业核心技术难题。针对这一痛点，纳微半导体推出全新UHV-TO-247-4-ISO高压隔离封装，专为1200V至3300V高压SiC MOSFET设计，在分立器件小巧体积的基础上，实现模块级的电气与散热性能。 纳微UHV-TO-247-
关键字：
封装技术
MOSFET
SiC
罗姆公司研发出 TSC3PAK 封装，这是一款应用于碳化硅 MOSFET 的顶部散热封装产品，主要面向电动汽车与工业设备中的高压电能转换场景。该表面贴装封装尺寸为 14.00×18.58×3.50 毫米，既支持自动化装配，散热能力也可媲美 TO-247-4L 等传统通孔封装产品。当前碳化硅器件的应用范围不断拓展，除牵引逆变器外，还逐步应用于车载充电机、电动压缩机、服务器电源以及光伏逆变器等设备，封装技术也随之成为设计环节中的关键考量因素，因此本次新品研发备受行业关注。传统大功率应用场景中所使用的碳化硅 M
关键字：
SiC
功率MOSFET
高压器件
顶部散热
封装技术
当前持续的DRAM 内存缺货现状，显然正迫使苹果大幅下调新一代A20 芯片的研发规格与性能预期。这款芯片原定用于标准版 iPhone 18，这也充分说明，即便是苹果，如今也无法完全规避 DRAM 市场行情波动带来的冲击。一个最新的消息是，苹果 A20 芯片或将无缘全新 WMCM 封装技术，该技术具备前所未有的灵活扩展性。供应链消息显示，苹果即将于下一代iPhone中搭载的A20芯片，预计将成为史上成本最高的iPhon
关键字：
苹果
A20
芯片
WMCM
封装技术
上个月台积电（TSMC）宣布，有意增加1000亿美元投资于美国先进半导体制造，扩大投资计划包括了三座新建晶圆厂、两座先进封装设施、以及一间主要的研发团队中心。台积电在美国亚利桑那州凤凰城的晶圆厂名为Fab
21，前后花了大概五年时间才完成第一间晶圆厂。不过随着项目的推进，台积电在当地的设施建造速度变得更快。据TrendForce报道，台积电打算将FOPLP封装技术带入美国，以满足当地客户日益增长的需求。台积电正在确定FOPLP封装的最终规格，以加快大规模生产的时间表。初代产品预计采用300mm
x
关键字：
台积电
TSMC
FOPLP
封装技术
美国
半导体
晶圆
英伟达 在 GTC 2025 大会上宣布推出 Spectrum-X Photonics 和
Quantum-X Photonics 网络交换器平台，采用硅光子（silicon photonics）技术。
新的平台将每个端口的数据传输速度提升至1.6 Tb/s，总传输能力达400 Tb/s，使数百万颗GPU能无缝协作运行。 英伟达
表示，与传统网络解决方案相比，新交换器提供更高带宽、更低功耗损失及更高可靠性。据悉，Spectrum-X Photonics Ethernet 和 Quantum-X
关键字：
英伟达
硅光子
网络交换器
台积电
COUPE
封装技术
11月28日消息，据报道，台积电（TSMC）在其欧洲开放创新平台（OIP）论坛上宣布，正在按计划对其超大版本的CoWoS封装技术进行认证。此项革新性技术核心亮点在于，它能够支持多达9个光罩尺寸（Reticle Size）的中介层集成，并配备12个高性能的HBM4内存堆栈，专为满足最严苛的性能需求而生。然而，超大版CoWoS封装技术的实现之路并非坦途。具体而言，即便是5.5个光罩尺寸的配置，也需仰赖超过100
x 100毫米的基板面积，这一尺寸已逼近OAM 2.0标准尺寸的上限（102 x
165m
关键字：
台积电
新CoWoS
封装技术
手掌大小
高端芯片
SoIC
随着半导体行业的快速发展，先进封装技术成为了提升芯片性能和功能密度的关键。近年来，作为2.5D和3D封装技术之间的一种结合方案，3.5D封装技术逐渐走向前台。什么是3.5D封装技术3.5D封装技术最简单的理解就是3D+2.5D，通过将逻辑芯片堆叠并将它们分别粘合到其他组件共享的基板上，创造了一种新的架构。能够缩短信号传输的距离，大幅提升处理速度，这对于人工智能和大数据应用尤为重要。不过，既然有了全新的名称，必然要带有新的技术加持 —— 混合键和技术（Hybrid Bonding）。混合键合技术的应用为3.
关键字：
封装技术
TSV
中介层
3.5D
据媒体报道，为满足未来人工智能（AI）对算力的需求，台积电正在研究一种新的先进芯片封装方法，使用矩形基板，而不是传统圆形晶圆，从而在每个晶圆上放置更多的芯片。多位知情人士表示，台积电正在与设备和材料供应商合作开发这种新方法，不过商业化可能需要几年时间。AI算力加速建设，国际大厂引领先进封装技术持续迭代。华福证券表示，后摩尔时代来临，先进封装大放异彩。据Yole预测，2022-2028年先进封装市场将以10.6%的年化复合增长率增至786亿美元，且2028年先进封装占封装行业的比重预计将达到57.8%，先进
关键字：
台积电
芯片
封装技术
先进封装
日经亚洲（Nikkei Asia）引述多方消息人士说法指出，台积电正在开发一个先进芯片封装的新技术，在此波由人工智能（AI）需求对运算能力的热潮，这家全球芯片制造龙头冀望藉此维持技术领先地位。 知情人士透露，台积电与设备和材料供货商正就最新方法进行合作，但要走向商业化可能还需几年时间。日经亚洲引述6人说法，新方法的基础构想是利用矩形基板，而非目前的传统圆形晶圆，这样可以在每个晶圆上放置更多组芯片。据悉，此研究仍在初步阶段，但一旦研发成功，将会是台积电技术上的一大跃进。过去曾经评估利用矩形基板的难度太高，因
关键字：
台积电
封装技术
随着AI和高性能电脑对计算能力和数据处理速度的需求日益增长。半导体行业也迈入了异构时代，即封装中广泛采用多个“Chiplet”。在这样的背景下，信号传输速度的提升、功率传输的优化、设计规则的完善以及封装基板稳定性的增强显得尤为关键。然而，当前广泛应用的有机基板在面对这些挑战时显得力不从心，因此，寻求更优质的材料来替代有机基板。玻璃基板，是英特尔作出的回答。英特尔已在玻璃基板技术上投入了大约十年时间。去年9月，英特尔宣布率先推出用于下一代先进封装的玻璃基板，并计划在未来几年内向市场提供完整的解决方案，从而使
关键字：
AI
玻璃基板
封装技术
处理器，无论是 CPU、GPU、FPGA，还是 NPU，要想正常运行，都离不开 RAM，特别是 DRAM（动态随机存取存储器），它已经成为各种系统（PC，手机，数据中心等）中内存的代名词。根据应用不同，系统对芯片面积和功耗有不同要求，因此，DRAM 被分成标准 DDR（双倍数据速率）、LPDDR、GDDR 等，当然，主要就是这三类。其中，DDR 是相对于 SDR（单数据速率）而言的，将 I/O 时钟加倍了，主要为 PC 和数据中心的 CPU 服务，目前已经发展到 DDR5；LPDDR 是低功耗的 DDR，
关键字：
DRAM
封装技术
HBM
在封装开发中，如何正确使用数据表的热特性参数以做出设计决策经常存在一定的误区。之前我们讨论了稳态数据和瞬态数据的解读与多输入瞬态模型，今天我们将继续分析各种模型下的瞬态响应。多结器件和瞬态响应上一部分中提到了多输入瞬态模型。正如热系统的稳态描述一样，也可以构建多结器件的瞬态描述。如果遵循矩阵方法，唯一区别是矩阵的每个元素都是时间的函数。对于器件中的每个热源，都会有一条“自发热”瞬态响应曲线；对于系统中的每个其他关注点，都会存在一条“相互作用”瞬态响应曲线。在同样的限制性假设的约束下，线性叠加和互易原理仍然
关键字：
安森美
封装技术
近年来摩尔定律增速不断放缓，而新型应用对高效节能芯片的要求越来越强烈，半导体业界正在积极探索解决方案，包括3D封装，片上系统（SOC）到系统级封装（SIP）技术。在SEMICON China 2020的“先进封装论坛”中，讨论了先进封装、异构集成的前沿技术、发展路线和产业生态，以及产业发展的机会。Co-Chair of HIR, Chairman of 3MTS Bill Bottoms先生在开幕致辞指出，摩尔定律诞生55年之后，世界不断发生着变化，而现下CMOS缩放不再是推动半导体产业进步的步伐。“我们
关键字：
封装技术
半导体
UV-LED单个芯片面积小，便于灵活设计;但相应的是单个芯片的辐射功率也较低，在很多应用中难以满足高辐射功率密度的要求，这也是目前UV-LED在众多领域很
关键字：
UV-LED
封装技术
系统设计
近年来，随着LED芯片材料的发展，以及取光结构、封装技术的优化，单芯片尺寸的功率(W)越做越高，芯片的光效(lm/W)、性价比(lm/$)也越来越好，在这样的
关键字：
LED
小芯片
封装技术
攻克可穿戴医疗存储器件封装难题-可穿戴医疗设备通常设计得尽可能隐蔽。因此，在尽可能小的封装中达到所需的存储密度非常必要。种种创新要求在有限的外形尺寸中存储更多的数据。要满足这一点，许多医疗设备设计人员转而采用创新型裸片存储器解决方案。
关键字：
封装技术
存储器
可穿戴医疗
在日前召开的第三届中国国际医疗电子技术大会（CMET2010）工艺工作坊中，伟创力总部技术部高级副总裁上官东铠博士以《医疗电子中的微型化封装与装配技术》为题发表了精彩演讲.
关键字：
封装技术
医疗电子
装配技术
光LED的问世，利用荧光体与蓝光LED的组合，就可轻易获得白光LED，这是行业中最成熟的一种白光封装方式。蓝光led的...
关键字：
白光
LED
封装技术
近几年发光二极管(LED)的应用在不断增长，其市场覆盖范围很广，包括像指示灯、聚光灯和头灯这样的汽车照明应用，...
关键字：
LED
封装技术
LED小型/薄型化 随着行动装置体积轻薄短小化，市场上对于小间距产品的需求逐年强烈，零件也面临着更多降低 ...
关键字：
封装技术
LED照明
随着蓝光和白光发光二极管（LED）在1990年大举迈向实用化阶段后，无论是利用LED所进行的全彩显示，或是在近年来社会 ...
关键字：
封装技术
LED
照明
在电路改板设计中经常会遇到PCB软件allegro如何手工封装的问题，下面我们就来介绍PCB软件allegro中手工封装的简易方法：1.File/New 在drawing name 中敲入新零件名(封装名)，并在drawing type 中选package symbol2.设
关键字：
allegro
pcb
软件
封装技术
汽车电子设备往往需要长时间在高温环境下运行，而且在负荷清除的短时间内，其结区温度还可能超过200℃。与所有...
关键字：
汽车电子
封装技术
变速箱
WLCSP即晶圆级芯片封装方式，英文全称是Wafer-Level Chip Scale Packaging Technology，不同于传统的芯片封装方式(先切割再封测，而封装后至少增加原芯片20%的体积)，此种最新技术是先在整片晶圆上进行封装和测试，然
关键字：
wlcsp
封装技术
分析
1)、采用大面积芯片封装用1times;1mm2 的大尺寸芯片取代现有的0.3times;0.3mm2 的小芯片封装，在芯片注入电流密度不能大幅度提高的情况下，是一种主要的技术发展趋势。2)、芯片倒装技术解决电极挡光和蓝宝石不良散
关键字：
LED
封装技术
近年来,随着生产技术发展一日千里,令其发光亮度提高和寿命延长,加上生产成本大幅降低,迅速扩大了LED应用市场,如消费产品、讯号系统及一般等,于是其全球市场规模快速成长.2003年全球LED市场约44.8亿美元 (高亮度LED市
关键字：
LED
封装技术
LED的封装有：支架排封装，贴片封装，模组封装几种，这些封装方法都是我们常见和常用的。一，常规现有的封装方法及应用领域支架排封装是最早采用，用来生产单个LED器件，这就是我们常见的引线型发光二极管(包括食人鱼
关键字：
LED
照明
封装技术
方案
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用...
关键字：
工艺
分立技术
封装技术
相较于白炽灯、紧凑型荧光灯等传统光源，发光二极管(LED)具有发光效率高、寿命长、指向性高等诸多优势，日益受到业界青睐而被用于通用照明(General Lighting)市场。LED照明应用要加速普及，短期内仍有来自成本、技术
关键字：
LED
芯片结构
封装技术
封装技术介绍
所谓“封装技术”是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术。以CPU为例，我们实际看到的体积和外观并不是真正的CPU内核的大小和面貌，而是CPU内核等元件经过封装后的产品。
封装对于芯片来说是必须的，也是至关重要的。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥 [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473