- 1 前言 本文试图综述自二十世纪九十年代以来迅速发展的新型微电子封装技术，包括焊球阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SIP)等项技术。介绍它们的发展状况和技术特点
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微电子 封装技术
- 瑞萨电子2010年10月19日宣布，该公司面向微控制器产品开发出了尺寸可削减至裸片大小的封装技术“FO-WLP(Fan-Out Wafer-Level Package)”。采用FO-WLP的微控制器预定2011年底开始样品供货。据瑞萨介绍，利用该技术，可将裸片尺寸为1.6mm×1.6mm的 8bit微控制器的封装体积由原来的3mm×3mm×0.7mm削减80%至2mm×2mm×0.3mm。
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瑞萨 微控制器 封装技术
- CPU芯片的封装技术：
DIP封装
DIP封装（Dual In-line Package），也叫双列直插式封装技术，指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100。
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CPU 芯片 封装技术
- 为了避免过于理论化，我们从一个实验入手看看功耗与温度之间是如何相互关联的。在14引脚的双列直插式封装外壳里装入一个1欧电阻，电阻的两端连接到引脚7和14，另外还要将一个温度传感器连接到引脚1和2，以便我们能了
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热传导 封装技术
- 近日，日月光研发中心的首席运行官何明东在接受媒体采访时表示，随着许多新的封装技术导入以满足市场需要，日月光（ASE）相信全球IC封装测试业的新时代已经到来，各种IC封装型式的呈现将更加促使产业间加强合作。
随着摩尔定律缓慢地于2014年向16纳米工艺过渡，与之前5至10年相比较，由于终端电子产品市场的需求，IC封装的型式急剧增加，在过去的5年中己有4至5倍数量的增加，相信未来的5年将继续增长达10倍。随着IC封装业的新时代到来肯定会给工业带来巨大的商机。
2000年ASE认为倒装技术（fl
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IC 封测 倒装芯片 封装技术 ASE
- IR近日与两家总部分别位于不同地区的半导体供应商达成协议，授权他们使用 IR 的 DirectFET 封装技术。 DirectFET MOSFET封装技术基于突破性的双面冷却技术，在2002年推出后迅速成为了先进计算、消费及通信应用解决安装散热受限问题的首选解决方案。自从该技术推出后，DirectFET 便成为 IR 公司历史上增长速度最快的产品。由于 DirecFET 封装能改善电流密度和性能，I
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DirectFET IR 电源技术 封装技术 模拟技术 封装
封装技术介绍
所谓“封装技术”是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术。以CPU为例，我们实际看到的体积和外观并不是真正的CPU内核的大小和面貌，而是CPU内核等元件经过封装后的产品。
封装对于芯片来说是必须的，也是至关重要的。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥 [
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