IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士计划在 HBM4E 内存中集成更多功能，从而将 HBM 产业推向一个新的高度。SK 海力士正在积极探索 HBM4E 内存，尝试推出可以整合计算、高速缓存和网络存储器等多种功能的 HBM 类型，进一步提高能效和信号传输速度。IT之家援引韩媒 ETNews 报道，该方案目前依然停留在概念阶段，不过 SK 海力士已经着手设计相关 IP 朝着这个目标迈进。SK 海力士计划在 HBM 上集成内存控制器，内存控制器置于其 HBM 结构的基础芯片上，赋予第
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SK海力士 内存 HBM4E
IT之家 5 月 22 日消息，在北京时间本月 21 日至 24 日举行的戴尔科技全球峰会上，SK 海力士带来了多款存储领域新品，涵盖内存、固态硬盘品类。在消费级固态硬盘领域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固态硬盘。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 规格，支持 M.2 2230/2242/2280 三种物理规格，可选 256GB~1TB 容量。限于图片分辨率，IT之家无法确认 PVC10 的具体读写性能，预计将强于此前推出的 BC901。而在企业级固态硬盘方面，SK 海力
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近两年，DRAM市场已经开始从DDR4内存向DDR5内存过渡，此外在存储器市场经历低迷后，供应商普遍减少了DDR3内存的生产并降低了库存水平。DDR3内存的市场需求量进一步减少，更多地被DDR4和DDR5内存所取代。据市场消息称，全球头部DRAM供货商三星、SK海力士将在下半年停止供应DDR3内存，全力冲刺高带宽内存（HBM）与主流DDR5规格内存。随着三星和SK海力士停产DDR3内存，很可能带动DDR3内存的价格上涨，预计涨幅最高可达20%。三星已经通知客户将在本季度末停产DDR3；而SK海力士则在去年
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IT之家 5 月 16 日消息，韩国每日经济新闻报道称，SK 海力士代工部门启方半导体（SK Key Foundry）将于今年下半年开始为特斯拉生产电源管理（PMIC）芯片。▲ 图源：SK Key Foundry业内人士表示，SK 启方半导体计划最早于 7 月在忠清北道清州工厂的 8 英寸晶圆厂生产电源管理芯片，并安装在特斯拉电动汽车上。除了特斯拉之外，SK 启方半导体还在汽车功率半导体领域与多个全球车企展开合作，近期还通过了博世、大陆集团等全球领先汽车零部件公司的生产质量审查。半导体
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5月15日消息，据市场消息称，三星、SK海力士将在下半年停止生产、供应DDR3内存，转向利润更丰厚的DDR5内存、HBM系列高带宽内存。DDR3虽然在技术、性能上已经落伍，PC、服务器都不再使用，但因为非常成熟，功耗和价格都很低，在嵌入式领域依然大有可为，尤其是Wi-Fi路由器、网络交换机等。但对于芯片厂商来说，DDR3利润微薄，无利可图，形同鸡肋。而在AI的驱动下，HBM高带宽内存需求飙升，产能远远无法满足，2024年和2025年的大部分产能都已经被订满，HBM2E、HBM3、HBM3E等的价格预计明年
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据韩媒报道，SK海力士子公司SK海力士系统集成电路（SK Hynix System IC）计划将其持有的无锡晶圆厂（SK Hynix System IC (Wuxi) Limited）49.9%的股权，转让给中国无锡产业发展集团有限公司（以下简称“无锡产业发展集团”）。报道称，交易将在今年10月份完成。这一战略举措旨在进一步加强无锡晶圆厂与中国市场的联系，并扩大其在中国市场的业务布局。据悉，本次股权转让计划分为两个阶段。第一阶段，SK海力士系统集成电路将以约2054亿韩元（约合10.87亿元人民币）的价格
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· 作为业界最高性能产品，将于今年第3季度开始量产并搭载于端侧AI手机· 与前一代产品相比，长期使用所导致的性能下降方面实现大幅改善，其使用寿命也提升40%· “继HBM后，也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存储器市场”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司开发出用于端侧（On-Device）AI*的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0为新一代移动端NAND闪存解决方案产品，其产品实现业界最高
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5月6日消息，供应链爆料称，SK海力士将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价，涨幅均有15%-20%。按照消息人士的说法，海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%-100%不等，下半年涨幅将趋缓。靠着存储涨价，三星电子2024年第一季营业利润达到了6.606万亿韩元。财报显示，三星电子一季度存储业务营收17.49万亿韩元，环比增长11%，同比暴涨96%，在整体的半导体业务营收当中的占比高达75.58%。三星表示，一季度存储市场总体需求强劲，特别是生
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自SK海力士官网获悉，4月24日，SK海力士宣布，为应对AI半导体需求的急剧增长，计划扩大AI基础设施核心组件HBM等下一代DRAM的生产能力。SK海力士表示，若理事会批准该计划，三星电子将在忠北清州M15X工厂建立新的DRAM生产基地，并投资5.3万亿韩元用于建设新工厂。该工厂计划于4月底开始建设，目标是在2025年11月完工，并进行早期批量生产。随着设备投资的逐步增加，新生产基地的长期总投资将超过20万亿韩元。（图源：SK海力士官网）SK海力士总经理郭鲁正(Kwak Noh-Jung)称，M15X将成
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2024年4月4日，SK海力士宣布，在美国印第安纳州西拉斐特（West Lafayette）建造适于AI的存储器先进封装生产基地，同时与美国普渡（Purdue）大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作。公司计划向该项目投资38.7亿美元。当地时间4月3日，公司与印第安纳州、普渡大学、美国政府有关人士在位于西拉斐特的普渡大学举办了投资签约仪式活动，并在此发表了上述计划。印第安纳州州长埃里克·霍尔科姆（Eric Holcomb）、美国参议员（印第安纳州）托德·杨（Todd
Young）、白宫科技政策办公
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由于上海公司的销售额持续下降，SK海力士的中国业务中心已转移到无锡，因此决定清算上海销售公司。据韩媒报道，韩国半导体公司SK海力士正在重组其在中国的业务。报道称，该公司计划关闭成立于2006年的上海公司，并将重点转移到其半导体制造工厂所在地无锡，作为其在中国的新业务中心。据悉，SK海力士在中国有三家工厂，分别是无锡DRAM厂、大连NAND闪存厂和重庆封装厂。由于上海公司的销售额持续下降，且与无锡的地理位置相近，SK海力士的中国业务中心已转移到无锡，因此公司决定清算上海销售公司，提高效率降低风险。
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近期，SK海力士副社长Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已经售罄，已开始为2025年做准备。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也对外透露，美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。生成式AI火热发展，推动了云端高性能AI芯片对于高带宽内存（HBM）的旺盛需求，存储大厂积极瞄准HBM扩产。其中，三星电子从2023年四季度开始扩大HBM3的供应。此前2023年四季度三星内部消息显示，已经向客户提供了下一代HBM3E的8层堆叠样品，并计划在今年上半年开始量产。到下半年，其占比预计将
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最近，SK 海力士披露了亮眼的第四季度财报，2023 年第四季度实现扭亏为盈，当季营业利润 3460 亿韩元（约合 2.6 亿美元），而上年同期营业亏损 1.91 万亿韩元。这意味着，SK 海力士成功摆脱了从 2022 年第四季度以来一直持续的营业亏损情况。相比之下，同为韩国半导体巨头的三星，业绩却不尽如人意。数据显示，三星电子去年销售额为 258.16 万亿韩元（1.4 万亿元人民币），同比下滑 14.58%。受半导体部门业绩不佳影响，三星电子全年营业利润时隔 15 年再次跌至 10 万亿韩元（544
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据了解，CAMM是一种新型内存标准，厚度更薄，容量更大；速度更快，功耗也更低。该标准已经发展到第二代，即应用于笔电和轻薄型PC的LPCAMM2。SK海力士在CES 2024展会上指出，CAMM标准将进军桌面计算机平台，而首款支持桌面计算机CAMM产品也在研发中，但未透露具体细节。CAMM2将采用统一连接器设计，兼容DDR5和低功耗LPDDR5／X内存模块。市场人士预计，CAMM内存的导入，将对主板设计带来重大变革，目前主流主板采用2或4个DIMM插槽，使用最新64GB模块，可获得最高256GB容量。如果想
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