2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。SK海力士强调：“随着10纳米级DRAM技术的世代相传，微细工艺的难度也随之加大，但公司以通过业界最高性能得到认可的第五代（1b）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年内完成1c
DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。”公司以1b DRAM
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SK海力士 第六代 10纳米级 DDR5 DRAM
8月15日消息，日前，SK海力士副总裁Kang Wook-seong透露，公司已经开始将HBM引入汽车半导体，Waymo已搭载SK海力士的HBM2E。Kang Wook-seong表示，目前，汽车DRAM半导体正在从LPDDR 4转向LPDDR 5，HBM最快三年内、最迟五年内将成为主流。他预测表示，当自动驾驶L3、L4级普及时，对HBM的需求将迅速增加，更高的计算能力对于L2.5级或更高级别的自动驾驶至关重要，HBM3在一块芯片上每秒计算1TB，能够满足要求。根据外媒报道，SK海力士已向上游设备企业订购
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HBM2E 自动驾驶 SK海力士
三星去年10月就向英伟达提供了8层垂直堆叠的HBM3E（24GB）样品，不过一直没有通过英伟达的测试。此前有报道称，已从多家供应链厂商了解到，三星的HBM3E很快会获得认证，将在2024年第三季度开始发货。据The Japan Times报道，三星的HBM3E终于通过了英伟达的所有测试项目，这将有利于其与SK海力士和美光争夺英伟达计算卡所需要的HBM3E芯片订单。虽然三星和英伟达还没有最终确定供应协议，但是问题不大，预计今年底开始交付。值得一提的是，三星还有更先进的12层垂直堆叠HBM3E（32GB）样品
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三星 HBM3E 英伟达 SK海力士 AI
IT之家 8 月 1 日消息，韩媒 ETNews 报道称，SK 海力士将加速下一代 NAND 闪存的开发，计划 2025 年末完成 400+ 层堆叠 NAND 的量产准备，2026 年二季度正式启动大规模生产。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 层堆叠 NAND 闪存的样品，并称这一颗粒计划于 2025 上半年实现量产。▲ SK 海力士 321 层 NAND 闪存按照韩媒的说法，SK 海力士未来两代 NAND 的间隔将缩短至约 1 年，明显短于业界平均水平。IT之家注：从代际发布间隔
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SK海力士 内存 NAND
IT之家 7 月 29 日消息，综合外媒《韩国经济日报》（Hankyung）与 Blocks & Files 报道，SK 海力士考虑推动 NAND 闪存与固态硬盘子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收购英特尔 NAND 与 SSD 业务，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收购第一阶段后成立的独立美国子公司。▲ Solidigm D5-P5336，E1.L 规格，61.44TB由于内外部因素的共同影响，Sol
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AI应用热！SK海力士、三星及美光等全球前三大内存厂，积极投入高带宽内存（HBM）产能扩充计划，市场人士估计，2025年新增投片量约27.6万片，总产能拉高至54万片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零组件，根据外媒拆解，英伟达H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超过生产封装。HBM经历多次迭代发展，进入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相继采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是垄断HBM3市场，而2024年HBM3与HBM3E订单都满载。美光2
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韩国SK集团30日宣布，旗下内存制造商SK海力士将在2028年前投资103兆韩元（约750亿美元）强化芯片事业，尤其将着重AI发展。SK集团日前刚结束为期两天的策略会议，并于会后宣布全力发展AI价值链，将SK海力士的技术应用在高带宽内存芯片（HBM）、AI数据中心及AI语音助理等领域。SK集团指出，上述103兆韩元当中将有80％，也就是大约82兆韩元（约600亿美元）投入发展HBM。 HBM广泛应用在生成式AI芯片组，且SK海力士目前是辉达的HBM3独家芯片供货商。今年第一季SK海力士营收年增超过1倍至1
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- SK海力士28日宣布，公司开发出用于端侧（On-Device）AI* PC的业界最高性能固态硬盘（SSD，Solid State Drive）产品‘PCB01’。* 端侧（On-Device）AI：在设备本身上实现AI运行，而非依赖物理分离的服务器进行计算。由于智能手机或PC等终端设备自行收集信息并进行计算，可提升AI功能的反应速度、加强用户定制性AI服务功能。SK海力士表示：“公司业界率先将PCB01适用了‘PCIe* 5.0 x8接口**’技术，以显著提升数据处理速度等性能。继HBM等超高性能DR
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6月25日消息，据媒体报道，SK海力士在近期于美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，重磅发布了关于3D DRAM技术的最新研究成果，展示了其在该领域的深厚实力与持续创新。据最新消息，SK海力士在3D DRAM技术的研发上取得了显著进展，并首次详细公布了其开发的具体成果和特性。公司正全力加速这一前沿技术的开发，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一数据意味着在单个测试晶圆上，能够成功制造出约1000个3D DRAM单元，其中超过一半（即561个）为良
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6月25日消息，据国外媒体报道称，自从美国对中国实施半导体领域制裁以来，韩国最难受，因为其半导体旧设备库存积压严重。韩国半导体旧设备库存积压严重，仓储成本让三星电子、SK海力士非常难受，所以可能会进行一次全面清理，售卖来自美国和欧洲的旧设备，以换取数亿美元现金。自2022年10月起美国开始限制对华半导体设备出口（包括二手设备）以来，韩国半导体制造商已将大部分旧设备放在仓库中。在美国的压力下，三星仅向中国出售较旧的、更容易制造的后段工艺设备，但不出售前段工艺设备；SK海力士同样不出售来自美国、欧洲的旧的前段
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IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士计划在 HBM4E 内存中集成更多功能，从而将 HBM 产业推向一个新的高度。SK 海力士正在积极探索 HBM4E 内存，尝试推出可以整合计算、高速缓存和网络存储器等多种功能的 HBM 类型，进一步提高能效和信号传输速度。IT之家援引韩媒 ETNews 报道，该方案目前依然停留在概念阶段，不过 SK 海力士已经着手设计相关 IP 朝着这个目标迈进。SK 海力士计划在 HBM 上集成内存控制器，内存控制器置于其 HBM 结构的基础芯片上，赋予第
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IT之家 5 月 22 日消息，在北京时间本月 21 日至 24 日举行的戴尔科技全球峰会上，SK 海力士带来了多款存储领域新品，涵盖内存、固态硬盘品类。在消费级固态硬盘领域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固态硬盘。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 规格，支持 M.2 2230/2242/2280 三种物理规格，可选 256GB~1TB 容量。限于图片分辨率，IT之家无法确认 PVC10 的具体读写性能，预计将强于此前推出的 BC901。而在企业级固态硬盘方面，SK 海力
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近两年，DRAM市场已经开始从DDR4内存向DDR5内存过渡，此外在存储器市场经历低迷后，供应商普遍减少了DDR3内存的生产并降低了库存水平。DDR3内存的市场需求量进一步减少，更多地被DDR4和DDR5内存所取代。据市场消息称，全球头部DRAM供货商三星、SK海力士将在下半年停止供应DDR3内存，全力冲刺高带宽内存（HBM）与主流DDR5规格内存。随着三星和SK海力士停产DDR3内存，很可能带动DDR3内存的价格上涨，预计涨幅最高可达20%。三星已经通知客户将在本季度末停产DDR3；而SK海力士则在去年
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IT之家 5 月 16 日消息，韩国每日经济新闻报道称，SK 海力士代工部门启方半导体（SK Key Foundry）将于今年下半年开始为特斯拉生产电源管理（PMIC）芯片。▲ 图源：SK Key Foundry业内人士表示，SK 启方半导体计划最早于 7 月在忠清北道清州工厂的 8 英寸晶圆厂生产电源管理芯片，并安装在特斯拉电动汽车上。除了特斯拉之外，SK 启方半导体还在汽车功率半导体领域与多个全球车企展开合作，近期还通过了博世、大陆集团等全球领先汽车零部件公司的生产质量审查。半导体
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5月15日消息，据市场消息称，三星、SK海力士将在下半年停止生产、供应DDR3内存，转向利润更丰厚的DDR5内存、HBM系列高带宽内存。DDR3虽然在技术、性能上已经落伍，PC、服务器都不再使用，但因为非常成熟，功耗和价格都很低，在嵌入式领域依然大有可为，尤其是Wi-Fi路由器、网络交换机等。但对于芯片厂商来说，DDR3利润微薄，无利可图，形同鸡肋。而在AI的驱动下，HBM高带宽内存需求飙升，产能远远无法满足，2024年和2025年的大部分产能都已经被订满，HBM2E、HBM3、HBM3E等的价格预计明年
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