据韩媒报道，SK海力士子公司SK海力士系统集成电路（SK Hynix System IC）计划将其持有的无锡晶圆厂（SK Hynix System IC (Wuxi) Limited）49.9%的股权，转让给中国无锡产业发展集团有限公司（以下简称“无锡产业发展集团”）。报道称，交易将在今年10月份完成。这一战略举措旨在进一步加强无锡晶圆厂与中国市场的联系，并扩大其在中国市场的业务布局。据悉，本次股权转让计划分为两个阶段。第一阶段，SK海力士系统集成电路将以约2054亿韩元（约合10.87亿元人民币）的价格
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SK海力士 无锡晶圆厂
· 作为业界最高性能产品，将于今年第3季度开始量产并搭载于端侧AI手机· 与前一代产品相比，长期使用所导致的性能下降方面实现大幅改善，其使用寿命也提升40%· “继HBM后，也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存储器市场”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司开发出用于端侧（On-Device）AI*的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0为新一代移动端NAND闪存解决方案产品，其产品实现业界最高
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SK海力士 AI 存储 NAND
5月6日消息，供应链爆料称，SK海力士将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价，涨幅均有15%-20%。按照消息人士的说法，海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%-100%不等，下半年涨幅将趋缓。靠着存储涨价，三星电子2024年第一季营业利润达到了6.606万亿韩元。财报显示，三星电子一季度存储业务营收17.49万亿韩元，环比增长11%，同比暴涨96%，在整体的半导体业务营收当中的占比高达75.58%。三星表示，一季度存储市场总体需求强劲，特别是生
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SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上涨
自SK海力士官网获悉，4月24日，SK海力士宣布，为应对AI半导体需求的急剧增长，计划扩大AI基础设施核心组件HBM等下一代DRAM的生产能力。SK海力士表示，若理事会批准该计划，三星电子将在忠北清州M15X工厂建立新的DRAM生产基地，并投资5.3万亿韩元用于建设新工厂。该工厂计划于4月底开始建设，目标是在2025年11月完工，并进行早期批量生产。随着设备投资的逐步增加，新生产基地的长期总投资将超过20万亿韩元。（图源：SK海力士官网）SK海力士总经理郭鲁正(Kwak Noh-Jung)称，M15X将成
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SK海力士 AI DRAM
2024年4月4日，SK海力士宣布，在美国印第安纳州西拉斐特（West Lafayette）建造适于AI的存储器先进封装生产基地，同时与美国普渡（Purdue）大学等当地研究机构进行半导体研究和开发合作。公司计划向该项目投资38.7亿美元。当地时间4月3日，公司与印第安纳州、普渡大学、美国政府有关人士在位于西拉斐特的普渡大学举办了投资签约仪式活动，并在此发表了上述计划。印第安纳州州长埃里克·霍尔科姆（Eric Holcomb）、美国参议员（印第安纳州）托德·杨（Todd
Young）、白宫科技政策办公
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SK海力士 后端工艺
由于上海公司的销售额持续下降，SK海力士的中国业务中心已转移到无锡，因此决定清算上海销售公司。据韩媒报道，韩国半导体公司SK海力士正在重组其在中国的业务。报道称，该公司计划关闭成立于2006年的上海公司，并将重点转移到其半导体制造工厂所在地无锡，作为其在中国的新业务中心。据悉，SK海力士在中国有三家工厂，分别是无锡DRAM厂、大连NAND闪存厂和重庆封装厂。由于上海公司的销售额持续下降，且与无锡的地理位置相近，SK海力士的中国业务中心已转移到无锡，因此公司决定清算上海销售公司，提高效率降低风险。
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SK海力士
近期，SK海力士副社长Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已经售罄，已开始为2025年做准备。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也对外透露，美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。生成式AI火热发展，推动了云端高性能AI芯片对于高带宽内存（HBM）的旺盛需求，存储大厂积极瞄准HBM扩产。其中，三星电子从2023年四季度开始扩大HBM3的供应。此前2023年四季度三星内部消息显示，已经向客户提供了下一代HBM3E的8层堆叠样品，并计划在今年上半年开始量产。到下半年，其占比预计将
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最近，SK 海力士披露了亮眼的第四季度财报，2023 年第四季度实现扭亏为盈，当季营业利润 3460 亿韩元（约合 2.6 亿美元），而上年同期营业亏损 1.91 万亿韩元。这意味着，SK 海力士成功摆脱了从 2022 年第四季度以来一直持续的营业亏损情况。相比之下，同为韩国半导体巨头的三星，业绩却不尽如人意。数据显示，三星电子去年销售额为 258.16 万亿韩元（1.4 万亿元人民币），同比下滑 14.58%。受半导体部门业绩不佳影响，三星电子全年营业利润时隔 15 年再次跌至 10 万亿韩元（544
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据了解，CAMM是一种新型内存标准，厚度更薄，容量更大；速度更快，功耗也更低。该标准已经发展到第二代，即应用于笔电和轻薄型PC的LPCAMM2。SK海力士在CES 2024展会上指出，CAMM标准将进军桌面计算机平台，而首款支持桌面计算机CAMM产品也在研发中，但未透露具体细节。CAMM2将采用统一连接器设计，兼容DDR5和低功耗LPDDR5／X内存模块。市场人士预计，CAMM内存的导入，将对主板设计带来重大变革，目前主流主板采用2或4个DIMM插槽，使用最新64GB模块，可获得最高256GB容量。如果想
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SK海力士 CAMM 内存标准
据韩媒报道，韩国芯片巨头SK海力士准备打破美国对华极紫外（EUV）光刻机出口相关限制，对其中国半导体工厂进行技术提升改造。这被外界解读为，随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力提升，一些韩国芯片企业准备采取一切可以使用的方法来提高在华工厂制造工艺水平。韩国《首尔经济》13日的报道援引韩国业内人士的话称，SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分动态随机存取存储器（DRAM）生产设备提升至第四代10纳米工艺。对于“无锡工厂将技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。无锡工厂
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据韩媒，韩国SK海力士公司周四表示，将成立一个名为AI Infra的新部门，负责人工智能（AI）半导体相关业务，由现任全球销售营销部门负责人Kim Juseon管理。报道称，新部门将整合分散在公司内部的高带宽内存（HBM）能力和功能，还将主导新一代HBM芯片等人工智能技术的发展，寻找并开发新市场。
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据外媒报道，在OpenAI训练的人工智能聊天机器人ChatGPT大火，谷歌等一众科技巨头纷纷加入生成式人工智能和大型语言模型的赛道之后，外媒就预计对AI服务器的需求将大幅增加，高性能GPU、高带宽存储器的需求也将随之增加，半导体行业的多家厂商，将迎来新的发展机遇。市场研究公司Omdia的最新分析显示，存储芯片厂商SK海力士就已从人工智能应用需求增加中获益，他们三季度在全球DRAM市场的份额达到了35%，占据了超过三分之一的份额。也是SK海力士自成立以来，在全球DRAM市场份额最高的一个季度。由于生成式人工
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AI SK海力士 DRAM
SK海力士日前宣布，向客户供应LPDDR5T（Low Power Double Data Rate 5 Turbo）16GB容量的产品，该款产品是迄今最快的行动DRAM产品，可达每秒9.6Gpbs的传输速度。LPDDR5X DRAM是第七代产品，此系列产品以1-2-3-4-4X-5的顺序开发而成。LPDDR5T则是SK海力士首次开发的产品，也是第八代LPDDR6问世之前，将第七代LPDDR（5X）性能进一步升级的产品。SK海力士表示，LPDDR5T可以最大幅度地提升智能型手机效能，其速率达到了前所未有的高
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SK海力士 LPDDR5T 移动DRAM
据报道，近日，韩国芯片制造商SK海力士周一表示，已开始向中国智能手机制造商Vivo供应其最新款移动DRAM芯片。据悉，SK海力士表示，今年1月开发的16GB低功耗双数据速率5 Turbo （LPDDR5T）封装将与台湾芯片制造商联发科的下一代移动应用处理器（AP）一起安装在Vivo最新的智能手机型号X100和X100 Pro上。据了解，这是LPDDR5T技术的首次商业化。LPDDR5T是继LPDDR5X之后移动DRAM技术的最新成果，是目前最快的移动DRAM，可实现 9.6Gpbs的传输速度。
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