再加码！台积电在美投资或增加到2000亿美元

日前，特朗普接受专访时再度提到台积电赴美投资重大里程碑，谈及投资规模时，表示最大的芯片制造商将投资2000亿美元，并称台积电董事长魏哲家是“商界最受敬重的人之一”。

台积电的“赴美”之路

· 2020年，台积电宣布在亚利桑那州设立首个芯片生产基地，初期预计投资约120亿美元；

· 2023年，台积电计划进一步增加在美国的投资力度，决定在亚利桑那州增设第二个晶圆制造厂，这使台积电在美国的总投资额提升至400亿美元；

· 2024年，为了更多利用《芯片和科学法案》所提供的补贴支持，台积电再次扩大了其在美国的布局计划，宣布将在亚利桑那州建设第三座晶圆制造厂，至此，台积电在亚利桑那州三座芯片工厂的总投资金额达650亿美元。

而特朗普却对《芯片和科学法案》进行了抨击，声称这是一个极其不利的政策，并提出了替代方案 —— 主张通过大幅提高关税来促进产业“回流”美国，而不是依赖巨额的财政补贴吸引企业在美国设厂。

本月初，台积电董事长魏哲家与美国总统特朗普在白宫共同宣布，未来四年台积电将在美增加投资1000亿美元，这也是美国史上规模最大的单项海外直接投资案，而总投资金额达到了1650亿美元。不但规划新建三座新晶圆厂、两座先进封装设施，还会在美国设立一个大型研发中心。

值得注意的是，这不是特朗普第一次说台积电要在美投资2000亿美元。3月9日，特朗普谈到台积电赴美投资时，即提及2000亿美元投资规模的数字。美系设备业者透露，2000亿美元规模才是特朗普最希冀达到的目标，随英特尔新任CEO陈立武18日就职，第二轮谈判即将展开。

美方将台积电此举视为降低对亚洲芯片依赖的关键举措，美国商务部长霍华德·卢特尼克表示，这一投资是“特朗普强硬关税政策的直接成果”，暗示台积电是为了规避即将生效的25%海外产品关税而加快向美国转移产能。

台积电加快在美建厂速度

日经报道称，台积电在经历首座美国工厂五年建设周期后，已基本掌握在美建厂经验，计划将后续晶圆厂建设周期缩短至两年。目前，台积电正在完成凤凰城Fab 21一期工厂的设备安装工作，并计划在Fab 21二期建设完成后将（设备安装）工具移至该区域。

· 一期：2020年动工，预计今年上半年开始生产4nm芯片，目前已进入最后的质量验证阶段；

· 二期：目前该工厂已经完成主体厂房建设，计划2026年试产、2028年开始量产3nm和2nm芯片；

· 三期：将于今年年中开始动工，2029年之后生产2nm和更先进（A16节点）制程芯片。

尽管建设速度提升，但光刻机交付周期难以压缩，设备供应成了新的制约因素，这可能导致美国工厂的实际技术导入滞后中国台湾1-2个制程节点。除此之外，根据供应链信息，美国工厂生产的芯片不会用于苹果的最新机型，因为最先进的制造工艺仍将保留在中国台湾工厂。