如何看待格罗方德来中国设工厂？

　　根据格罗方德公布的数据，22nm FD-SOI工艺的功耗比中芯国际目前掌握的28nm HKMG降低了70%，22nm FD-SOI拥有堪比14/16nm FinFET的性能和功耗，唯一的缺点就在于采用SOI工艺成本较高。因此，22nm FD-SOI并非落后技术，本次成都与格罗方德合资并非重复引进淘汰产能。

　　何况SOI工艺在在传感器、射频芯片和物联网方面颇具市场潜力。就以射频芯片来说，由于在成本、集成度上的优势，RF-SOI已经在手机射频芯片的斩获80%-90%的市场份额——采用RF-SOI可以使同一张硅芯片上可以实现更多逻辑与控制的集成，这就避免了采用GaAS(砷化镓)技术必须采用单独芯片控制GaAS芯片的情况。而且国内华虹宏力已经掌握了0.18um 200mm的RF-SOI量产技术，并实现在成本上优于GaAS。

　　另外，SOI还具有了较高的跨导、降低的寄生电容、减弱的短沟效应、较为陡直的亚阈斜率，与体硅电路相比，SOI电路的抗辐照强度提高了100倍。在高温环境下，SOI器件性能明显优于体硅器件。

　　国内对SOI工艺寄予一定希望

　　对于SOI工艺，国内的一些其他动作还是比较值得关注和玩味的。在去年，上海硅产业投资有限公司收购法国Soitec公司14.5%的股份(消息人士表示：如果不是国外政府限制，在商业谈判时是打算实现中资控股的)。上海硅产业投资有限公司由国家集成电路大基金和上海嘉定工业区等机构共同出资成立。显而易见，上海硅产业投资有限公司很有可能是中国资本收购的海外半导体公司，获取半导体技术的执行者。

　　FD-SOI技术的确在跨导，高频，低功耗，抗静电等方面有显著优点，并且制程设计和流片上较为简单，有利于缩短开发周期，但其硅晶片成本则明显昂贵于Fin-FET晶片(这正是规模生产的边际效益不足，导致的个体成本偏高，8寸SOI硅片甚至十倍价格于Fin-FET 的体硅片)。法国Soitec公司是一家设计和生产创新性半导体材料的科技公司，拥有约3600项专利，其核心技术是FD-SOI技术。Soitec所掌握的SmartCut技术使其具备的生产全球最好的SOI硅片的技术实力，国际上其它SOI wafer供应商SunEdison(MEMC)和日本信越SEH也是得益于SOITEC的SmartCut技术授权，因此，Soitec的技术实力是毋庸置疑的。

　　在收购达成之后，中方的IC设计厂商能够通过格罗方德和三星的代工厂来获得使用FD-SOI技术，同时Soitec公司还承诺如果未来中国大规模采用了这个技术，需要多少晶圆都可以提供。

　　在这里必须指出，中方的IC设计厂商能够使用能够通过格罗方德和三星的代工厂来获得使用FD-SOI技术是非常有意义的。

　　目前，虽然国际上对采用ARM内核的手机SoC芯片在境外代工厂流片没有多大限制，比如华为海思麒麟、展讯的SoC都可以在台积电流片。但对于国内自主设计的CPU，如果要在台积电流片，就必须使用代理穿马甲(台积电装瞎赚钱)，这不仅大幅太高了芯片的成本，还非常不利于自主CPU的规模化生产。

　　而如果中方的IC设计厂商能够通过格罗方德的代工厂生产SOI工艺的芯片，而且Soitec公司充分保障晶圆供应，这对国内IC设计公司而言的确是一个好消息，比如采用ST 28nm SOI工艺流片的龙芯3A3000。虽然龙芯和ST保持了多年良好的合作，但多一个流片渠道不仅有利于提升龙芯的议价能力，更有利于保障流片渠道的稳定性(此前多次发生因龙芯流片量小，而被嫌弃不得不排队等档期以致拉长研发周期的情况)。

　　对国内企业是否会造成冲击

　　目前，中芯国际是中国大陆晶圆代工企业的龙头老大，在资金上得到了国家集成电路大基金的鼎立支持，已在上海、天津、深圳三地宣布扩产计划，其中在上海和深圳启动建设300毫米晶圆生产线，深圳厂预计2017年底投产，目标产能为每月4万片晶圆。

　　在商业上，相关部门积极协调，拉了高通、华为这样的大客户，而中芯国际的重要股东大唐电信，其麾下的联芯也采用了28nm HKMG工艺量产手机芯片，这款芯片将会被用于小米旗下的某款智能手机。

　　在技术上，中芯国际也获得了比利时微电子研究中心的支持，成立了合资公司开发下一代CMOS逻辑工艺。按照计划，中芯国际将在2018年实现14nm制造工艺的试生产。

　　作为中国大陆仅次于中芯国际之后实现28nm制造工艺的上海华力微电子，最近也是大动作连不断，先是从台湾联电高薪聘请了50人的28nm工艺研发团队。在去年年底，投资387亿元的300毫米生产线正式开工，预计在2022年前投产，月产能可达4万片，工艺则涵盖28nm、20nm、14nm，可以满足国内IC设计公司对先进芯片制造工艺的需求。

　　而格罗方德只不过在2018年导入22nm SOI工艺，一切顺利的话，投产要到2019年。因此，对于中芯国际的威胁远远不如台积电来得大，而且中芯国际的14nm FinFET工艺也比格罗方德的22nm SOI工艺更加主流，而这意味着中芯国际可以有机会获得更多的订单。而台积电也在南京开启了16nm产线，计划2019年就到达预计产能，因此格罗方德在华投资既没有必要在Fin-FET领域，也难以对大陆既有的Fin-FET企业造成威胁，反而对格罗方德推动SOI技术生态和产业链完整化更为重要，半导体行业的规模效应尤为突出，产业规模越大，成本才能越低。因此成都的SOI两期工程，第一期RF-SOI低风险进度快，关键在第二期的22nm SOI，如果顺利实施，有助于完善SOI生态，降低成本，以及让SOI技术得到更多的市场份额，届时中国将成为SOI技术较为成熟的国家。因此格罗方德在成都的投资，对于国内半导体行业来说，更象一种两面下注，既是技术补充(毕竟在RF等领域有明显优势)，又能在Fin-FET与SOI的竞争中成为对冲。

　　该合资公司的成立很有可能是与海硅产业投资有限公司收购法国Soitec公司股份是一脉相承的，国内可以借此机会实现中国大陆对SOI工艺相关技术的掌握。