新芯/中芯/同方国芯等NAND Flash晶圆制造商现状分析

　　(四)、外资晶圆制造企业在中国：Samsung与Intel

　　1. Samsung西安Flash工厂产能拉高至每月产出10万片

　　目前以Samsung在中国的投资最为领先，Samsung至2015年底投入西安厂的投资总金额已超过50亿美元，产能建置来到每月8万片，Samsung于西安佈建最先进的3D NAND Flash制程，预计2016年底将产能进一步拉升至每月10万片。

　　2. Intel大连厂转为3D NAND Flash厂

　　Intel则宣布投资55亿美元将原先65nm生产线的大连厂，改建为月产能3万片的3D NAND Flash厂，预计2016年先投入15亿美元，到2016第四季开始投片生产，月产能估计达1万片。

　　Samsung和Intel在中国NAND Flash的产能建置，预估至2016年第四季将达到每月11万片，约佔全球NAND Flash晶圆出货量7.6%，若将3D NAND有单片较高的bit产出纳入考虑，加上中国厂商的进展，则Made in China的NAND位元数在2017年全球佔比有机会达到10%。

　　(五)、TRI观点

　　武汉新芯在2014年与Spansion合作，成功将NAND技术推向32nm，至2015年5月武汉新芯宣布其Spansion合作的3D NAND项目研发取得突破性进展，是中国在NAND Flash产业进展最快的厂商。

　　中芯在2014年9月宣布38nm NAND Flash记忆体工艺已就绪，虽不像武汉新芯在NAND Flash的成果和专注，此技术仍为后续开发更先进的2x/1x nm和3D NAND Flash记忆体的研发和量产奠定基础。

　　紫光集团在Flash相关竞争中，资金是主要优势，但在没有既有营运的支持下，如何突破生产技术的取得和授权，会是整个投资最关键环节。

　　国际投资方面，Samsung和Intel在中国NAND Flash的产能建置，预估至2016年第四季将达每月11万片，约占全球NAND Flash晶圆出货量7.6%。

　　NAND Flash产品特性、3D NAND需求、新兴市场的成长空间，以及国际半导体大厂在中国的投资，则为中国发展NAND Flash制造产业提供切入机会。