半导体清洗技术

　　不管哪一种解决方案成为标准，栅氧化前清洗和RIE后密集分布刻蚀在SOI硅中的垂直“鳍”(图4a)的清理都将成为重要的工艺元素。图4b显示了围绕“鳍”制作的MOSFET例子。

　　MEMS加工提出了另一些不同的挑战。MEMS制造的特点是，它含有3D精细图形的深刻蚀，并要求横向深刻蚀埋层氧化物的释放加工工艺。用常规的湿法刻蚀和清洗技术是不能完成从这种非常紧密的几何图形除去可能的刻蚀残留物，并确保悬臂梁和膜片的无静摩擦操作的。已经研究用无水HF/甲醇(AHF/MeOH)(图2)牺牲层氧化物刻蚀工艺作为后者的可行解决方法。

　　特殊的电应用(如高温、大功率以及超高速)和光应用(如蓝光发射或UV检测)中有不断增长的提高性能的需求，这要求大大地改进硅以外的许多半导体的制造技术。这些材料的例子包括锗，因为它有高于Si的电子迁移率，有可能与高-k栅介质集成;加工应力沟道SiMOSFET所需的SiGe;以及碳化硅SiC，其带隙很宽。除了最先进的GaAs外，像GaN、InAs、InSb、ZnO等等一些Ⅲ-Ⅴ族半导体也越来越引起人们的兴趣。

　　表面清洗正成为此类半导体加工中不断出现的问题。这是因为衬底晶体的低劣质量(而不是其表面洁净度)不再是限定与那些材料有关的制造良率的主导因素。随着各种半导体材料衬底单晶质量的提高，考虑因素就会变化，会对清洗技术给予更加密切的关注。

　　半导体器件技术飞速地扩展进入主流硅逻辑和模拟应用以外的领域。在显示技术、太阳电池板技术和一些其它大面积光电系统中，其表面需要加工的材料可能包括玻璃、ITO(铟锡氧化物)或柔性塑料衬底等等。即使在主流硅IC和Ⅲ-Ⅴ族光学应用中，非半导体衬底也有明显的优点，因此得到大力的追踪研究。例如，蓝宝石(单晶Al2O3)是半导体器件制造中重要性越来越大的一种衬底。所有这些材料的清洗均具有重要意义。

　　多年来开发的硅清洗技术是解决其它半导体材料表面加工挑战的基础。各种新材料的出现必将推动半导体清洗技术的发展。