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基于FPGA的NAND Flash的分区续存的功能设计实现
- 传统的控制器只能从NAND Flash存储器的起始位置开始存储数据，会覆盖上次存储的数据，无法进行数据的连续存储。针对该问题，本文设计了一种基于FPGA的简单方便的NAND Flash分区管理的方法。该方法在NAND Flash上开辟专用的存储空间，记录最新分区信息，将剩余的NAND Flash空间划成多个分区。本文给出了分区工作机理以及分区控制的状态机图，并进行了验证。
- 关键字： 202308 NAND Flash FPGA 分区 起始地址
6月中国市场NAND Flash Wafer部分容量合约价有望小幅翻扬
- 据TrendForce集邦咨询调查，5月起美、韩系厂商大幅减产后，已见到部分供应商开始调高wafer报价，对于中国市场报价均已略高于3~4月成交价。因此，TrendForce集邦咨询预估6月在模组厂启动备货下，主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反弹，结束自2022年5月以来的猛烈跌势，预期今年第三季起将转为上涨，涨幅约0~5%，第四季涨幅将再扩大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等产品库存仍待促销去化，现阶段价格尚未有上涨迹象。下半年旺季备货周期将至，尽管今
- 关键字： NAND Flash Wafer TrendForce
传铠侠/西数合并进入最终阶段 NAND Flash营收或超三星？
- 近日，据日本共同社消息，日本存储器大厂铠侠与合作方美国西部数据的合并经营已经进入最终收尾调整阶段。目前，作为全球知名的存储器厂商，铠侠和西部数据既是竞争对手又是合作伙伴，目前两家公司正在共同运营岩手县北上市和三重县四日市的工厂。报道引用相关人士消息称，铠侠和西部数据正在探讨出资设立新公司、统一开展半导体生产及营销的方案等，未来双方将进行经营合并，拟由铠侠掌握主导权，关于出资比率等将继续探讨。报道称，由于面向智能手机等的半导体行情疲软、业绩低迷，铠侠和西部数据此举意在提升经营效率并提高竞争力。资料显示，铠侠
- 关键字： 铠侠 西数 NAND Flash 三星
需求持续下修，第一季NAND Flash总营收环比下跌16.1%
- 据TrendForce集邦咨询研究显示，第一季NAND Flash买方采购动能保守，供应商持续透过降价求售，但第一季NAND Flash位元出货量仅微幅环比增长2.1%，平均销售（ASP）单价季减15%，合计NAND Flash产业营收约86.3亿美元，环比减少16.1%。SK集团（SK hynix & Solidigm）及西部数据（WDC）量价齐跌，冲击营收表现，环比下降均逾两成。SK集团受淡季及削价竞争影响，第一季NAND Flash营收仅13.2亿美元，环比减少24.8%
- 关键字： 集邦 NAND Flash
兆易创新超小尺寸128Mb SPI NOR Flash面世
- 中国北京（2023年5月16日） —— 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice（股票代码 603986）今日宣布，率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH，其最大厚度仅为0.4mm，容量高达128Mb，是目前业界在此容量上能实现的最小塑封封装产品，可在应对大容量代码存储需求的同时，提供极大限度的紧凑型设计自由。近年来，随着物联网、可穿戴、健康监护、网通等应用的快速发展，市场需求变化多样，不仅要在精致小巧的产品形态中
- 关键字： 兆易创新 超小尺寸 SPI NOR Flash
3D NAND 堆叠可超 300 层，铠侠解读新技术
- 5 月 5 日消息， 铠侠和西数展示最新的技术储备，双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。根据其公布的技术论文，铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，读取延迟缩小到 40 微秒。此外，铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件，这是一个具有实验性的 3D NAND IC，通过金属诱导侧向
- 关键字： 3D NAND
复旦微电推出NAND Flash及EEPROM存储器新品
- 4月27日，上海复旦微电子集团股份有限公司今日举办线上发布会，推出FM25/FM29系列SLC NAND，FM24N/FM24LN/FM25N高可靠、超宽压系列EEPROM，以及符合AEC-Q100的车规FM24C/FM25系列EEPROM等非挥发存储新产品。FM25/FM29系列产品基于28nm先进NAND flash工艺，满足6万次擦写次数和数据保存10年的高可靠性要求，应用于工规、5G通讯、车载等相关领域。FM24N/FM24LN/FM25N系列产品基于95nm先进EEPROM工艺，具备低功耗、
- 关键字： 复旦微电 NAND Flash EEPROM 存储器
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [ 查看详细 ]
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