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英飞凌推出 256 Mbit SEMPER™ Nano NOR Flash 闪存产品
- 【2023 年 04 月 10日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）近日推出 SEMPER™ Nano NOR Flash 闪存产品。这种存储器经过专门优化，适合在电池供电的小型电子设备中使用。健身追踪器、智能耳机、健康监测仪、无人机和 GPS 导航等新型可穿戴应用及工业应用不断涌现，有助于实现精准跟踪、记录关键信息、增强安全性、降低噪声等更多功能。这些先进的功能和使用场景要求在体积更小的电子设备中配备更大容量的存储器。据Omdia 数据显示，蓝牙耳
- 关键字： 英飞凌 SEMPER Nano NOR Flash 闪存
预估第二季NAND Flash均价续跌5~10%，能否止跌端看下半年需求
- 即便原厂持续进行减产，然需求端如服务器、智能手机、笔电等需求仍未见起色，NAND Flash市场仍处在供给过剩状态，故TrendForce集邦咨询预估，第二季NAND Flash均价仍将持续下跌，环比下跌幅度收敛至5~10%。而后续恢复供需平衡的关键在于原厂是否有更大规模的减产，TrendForce集邦咨询认为若目前需求端未再持续下修，NAND Flash均价有机会在第四季止跌反弹，反之，若旺季需求端持续疲弱，均价反弹时间恐再延后。Client SSD方面，目前PC OEM零部件库存去化已见成
- 关键字： 集邦 NAND Flash
NAND Flash 大降价，固态硬盘取代机械硬盘指日可待
- 相信有很多小伙伴已经注意到了，目前市场上很多固态硬盘的价格相比去年又降低了不少。这是由于制造固态硬盘所需的 NAND 芯片降价导致的。根据集邦咨询的数据显示，NAND Flash 市场自 2022 年下半年以来面临需求逆风，供应链积极去化库存加以应对，此情况导致第四季 NAND Flash 合约价格下跌 20-25%，其中 Enterprise SSD（企业级固态硬盘）是下跌最剧烈的产品，跌幅约 23-28%。这对于 NAND 芯片厂商来说并不是什么好消息，但对于普通消费者来说，我们确实能买到更便宜的固态
- 关键字： NAND Flash
存储器厂商Q1亏损恐难逃
- 由于DRAM及NAND Flash第一季价格续跌，加上库存水位过高，终端消费支出持续放缓，据外电消息，韩国三星电子及SK海力士本季度的芯片业务恐因提列库存损失而面临数十亿美元亏损。法人指出，南亚科（2408）及华邦电（2344）因减产及跌价导致营收及毛利率持续下滑，第一季本业亏损恐将在所难免。据外电报导，三星电子3月19日提交给韩国金融监督院的申报文件中指出，截至去年第四季，整体库存资产达到52.2兆韩元（约折合399亿美元），远高于2021年的41.4兆韩元并创下历史新高。其中，占三星营收比重最高的半导
- 关键字： 存储器 DRAM NAND Flash
存储大厂展示300层NAND Flash，预计最快2024年问世
- 近日，在第70届IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，韩国存储器大厂SK海力士展示了最新300层堆叠第八代3D NAND Flash快闪存储器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快闪存储器预定两年内上市，有望打破纪录。外媒报导，SK海力士揭示有更快资料传输量和更高储存等级的第八代3D NAND Flash开发，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2单位容量、16KB单页容量、四个平面和2,400MT/s的介面。最大资料传输量达194MB/s，较上一代238层堆叠和164MB/
- 关键字： 300层 NAND Flash SK海力士
均价跌幅扩大，2022年第四季NAND Flash总营收环比下跌25%
- TrendForce集邦咨询最新调查显示，NAND Flash市场自2022年下半年以来面临需求逆风，供应链积极去化库存加以应对，此情况导致第四季NAND Flash合约价格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最剧烈的产品，跌幅约23~28%。在原厂积极降价求量的同时，客户为避免零部件库存再攀高，备货态度消极，使得第四季NAND Flash位元出货量环比增长仅5.3%，平均销售单价环比减少22.8%，2022年第四季NAND Flash产业营收环比下跌25.0%，达
- 关键字： 集邦 NAND Flash
NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成
- 消费性固态硬盘（Client SSD）受惠于疫情红利，在过去二年作为推动全球NAND Flash需求位成长的要角，市调机构集邦预估，2022年消费性SSD在笔电的渗透率达92％，2023年约96％。但随疫情红利退场，加上总经不佳导致消费性电子需求急冻，未来消费性SSD需求放缓最明显，连带使整体NAND Flash需求位成长受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消费性SSD于笔电搭载容量已逾500GB，512GB消费性SSD在近期迅速跌价后，已与半年前256GB报价相近，甚至
- 关键字： NAND Flash
基于FPGA的NAND FLASH坏块表的设计与实现
- 在现代电子设备中，越来越多的产品使用NAND FLASH芯片来进行大容量的数据存储，而且使用FPGA作为核心处理芯片与NAND FLASH直接交联。根据NAND FLASH的特点，需要识别NAND FLASH芯片的坏块并进行管理。FPGA对坏块的管理不能按照软件的坏块管理方式进行。本文提出了一种基于FPGA的NAND FLASH芯片坏块表的设计方法，利用FPGA中RAM模块，设计了状态机电路，灵活地实现坏块表的建立、储存和管理，并且对该设计进行测试验证。
- 关键字： NAND FLASH FPGA 坏块 坏块检测 202212
nand flash介绍
Nand-flash内存是flash内存的-种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数 [ 查看详细 ]
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