首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> nand flash

nand flash 文章 进入nand flash技术社区

存储系统的数字安全技术

  • NAND 闪存用于各种消费和工业产品,从笔记本电脑和手机到工业机器人、医疗设备和嵌入式物联网设备,如传感器和控制器。 在我们日益互联的世界中,这些应用程序中的所有脆弱点都需要足够和强大的安全措施,包括数据存储系统。 因此,在选择或设计 NAND 闪存存储系统时,必须确保存储器的安全性满足应用程序的要求。执行现代安全技术需要足够的处理能力。 作为存储系统的“大脑”,NAND闪存控制器必须足够强大以支持整个存储系统所需的安全级别。 本文概述了 NAND 闪存的安全性,涵盖了最常见的硬件和软件技术,有助于告知读
  • 关键字: 存储系统  数字安全  海派世通  NAND  

SK海力士:未研究过“转移中国工厂设备”相关具体计划

  • 近日,SK海力士考虑“撤出中国”、“转移中国工厂设备”等消息引发业界高度关注,对此,SK海力士于10月26日就中国工厂运营作出澄清说明。SK海力士表示,公司在10月26日的第三季度业绩发表会上,针对由于地缘政治问题及多种因素导致中国工厂运营受困的各种假想情境,作出了可能会考虑应急方案(Contingency Plan)的原则性回复。其中,“中国工厂的设备转移”等相关发言是针对可能性极低的极端情况作出的现场回复,SK海力士澄清并未研究过与此相关的具体计划。另外,针对美国对芯片设备出口的管制,SK海力士表示,
  • 关键字: SK海力士  DRAM  NAND  

SK海力士与美国完成协商,确保在一年内不获取许可的前提下为中国工厂供应设备

  • SK海力士于10月12日通过声明表示,公司完成与美国商务部进行协商,确保在接下来一年内不获取个别许可的前提下为中国工厂供应所需的半导体生产设备。借此,SK海力士预期将能够在接下来一年内不获取美方个别许可的前提下为中国工厂保障生产设备的供应,进而维持在中国的生产经营。SK海力士表示:“公司与美方圆满完成了就在中国持续生产半导体产品的协商。SK海力士将继续与韩国政府及美国商务部紧密合作,在遵循国际原则的前提下为保障中国工厂的运营尽最大的努力。”美国商务部先前于10月7日发布称,将限制用于在中国生产18纳米以下
  • 关键字: SK海力士  DRAM  NAND  

业界首发,美光232层NAND,开启存储技术创新浪潮

  • 如何开发出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低,同时容量更大的闪存产品,这是美光研发工程师每天都要应对的挑战。随着各国对数字化转型和云迁移的重视,世界对存储容量和性能的要求越来越大。美光正在迎接这一创新变局。这些变化体现在异构计算、边缘计算、数据中心、金融系统实时大数据更新,以及移动设备、消费电子、汽车信息娱乐系统带来智能化沉浸式体验。美光232层NAND技术为这些高性能存储应用环境提供了可能。优秀的架构,高效优化存储颗粒的使用空间和密度 美光推出的全球首款232层NAND基于CuA架构,通过增加NAN
  • 关键字: 美光  232层  NAND  存储技术  

集邦:第四季NAND Flash价格续跌15~20%

  • 根据集邦科技研究显示,目前NAND Flash正处于供过于求,下半年起买方着重去化库存而大幅减少采购量,卖方开出破盘价以巩固订单,使第三季NAND晶圆(wafer)价格跌幅达30~35%,但各类NAND Flash终端产品仍疲弱,原厂库存因此急速上升,预期将导致第四季NAND Flash总体平均价格跌幅扩大至15~20%。集邦表示,因为需求低迷导致NAND Flash下半年价格大跌,多数原厂的NAND Flash产品销售也将自今年底前正式步入亏损,意即部分供货商在运营陷入亏损的压力下,对于采取减产以降低亏
  • 关键字: 集邦  NAND Flash  

库存难减 DRAM价Q4恐再跌13~18%

  • 市调机构表示,在高通胀影响下,消费性产品需求疲软且旺季不旺,第三季DRAM位消耗与出货量持续呈现季减,各终端买方因需求明显下滑而推迟采购,导致供货商库存压力进一步升高。同时,各DRAM供货商为求增加市占的策略不变,市场上已有「第三、四季合并议价」或「先谈量再议价」的情形,导致第四季DRAM价格续跌13%~18%。标准型DRAM方面,由于笔电需求疲弱,OEM厂仍将着重去化DRAM库存,而DRAM供应端在营业利益仍佳的前提下,未有实际减产情形,故位产出仍持续升高,供货商库存压力日益明显。以DDR4与DDR5来
  • 关键字: 集邦  DRAM  NAND  

拆机证实,国行苹果 iPhone 14 / Pro 系列已采用长江存储国产 NAND 闪存

  • IT之家 9 月 16 日消息,9 月 8 日,苹果召开新品发布会,正式发布了 iPhone 14 系列手机,起价 5999 元。在此之前,韩媒消息称中国厂商长江存储已经进入苹果供应链,将供货 iPhone 14 系列 NAND 闪存。后续苹果也承认正考虑从长江存储采购 NAND 芯片,但仅会用于在中国销售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前,苹果高度依赖三星电子、SK 海力士等韩国存储芯片厂商。因此,市场观察人士认为,苹果与长江存储合作,将使他们 NAND 闪存的供应商进一步
  • 关键字: iPhone 14  NAND  长江存储  

NAND半壁江山 三星与海力士拿下全球闪存市场52.9%份额

  • 根据市场研究机构TrendForce最近发布的报告显示,在2022年二季度全球NAND Flash闪存市场中,三星电子与SK海力士拿下了全球52.9%的市场份额。根据数据显示,2022年二季度三星电子NAND销售额为59.8亿美元,环比下滑5.4%,排名第一。SK海力士因为对英特尔NAND闪存业务收购的完成,2022年二季度销售额位36.15亿美元,环比增长12.1%,超越了铠侠,成为了全球第二大NAND闪存厂商,两家韩国厂商已经那拿下了全球NAND市场52.9%的份额。
  • 关键字: NAND  内存  

FORESEE中国大陆首发512Mb SPI NAND Flash

  • 江波龙(股票代码:301308)近期发布了中国大陆首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龙完全自主研发,能够极大地帮助客户降低整机系统成本,并提升终端的产品竞争力。目前,FORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量产,在智能穿戴、物联网模块、安防监控、网络通讯等领域得到广泛应用。加量减价,降本与增效兼得替换256Mb以上大容量SPI NOR Flash的上佳选择根据系统存储容量需求的不同,客
  • 关键字: 江波龙  NAND  

应需而生!兆易创新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品系列

  • 业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice(股票代码 603986)宣布,推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品——GD25UF系列。该系列在数据传输速度、供电电压、读写功耗等关键性能指标上均达到国际领先水平,在针对智能可穿戴设备、健康监测、物联网设备或其它单电池供电的应用中,能显著降低运行功耗,有效延长设备的续航时间。  随着物联网技术的发展,新一代智能可穿戴设备需要拥有更丰富的功能来满足消费者的需求,这种空间敏感型产品对系统功耗提出了更严苛的要求,希
  • 关键字: 兆易创新  1.2V  SPI NOR Flash  

三星电子236层NAND闪存预计年内开始生产

  • 据国外媒体报道,当前全球最大的存储芯片制造商三星电子,预计会在年内开始生产236层NAND闪存。此外,它还计划在本月开设一个新的研发中心,负责更先进NAND闪存产品的开发。韩国媒体在报道中还表示,三星目前量产的NAND闪存,最高是176层,在236层的产品量产之后,三星电子NAND闪存的层数就将创下新高。从韩国媒体的报道来看,三星电子对即将量产的236层NAND闪存寄予了厚望。他们在报道中就表示,在NAND闪存市场,三星电子的市场份额占了35%,为全球最高。将层数增加60层后,他们计划凭借生产技术、价格及
  • 关键字: 三星  NAND  闪存  

业界首发,不二选择:美光推出全球首款232层NAND

  • 半导体行业十分有趣,同时也充满挑战。俗话说,“打江山难,守江山更难”,这句话形容半导体行业十分贴切。我们需要顶住重重压力,不断突破物理、化学、制造和创新的极限,以推动逻辑、内存、存储等计算器件的发展。如何开发出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低,同时容量更大的闪存技术是我们每天都要应对的挑战。美光凭借3D NAND新技术与率先推出的新产品再攀高峰,借此机会让我们回顾美光取得的辉煌成就。 美光一直以来被公认为3D NAND技术的领导厂商,之前我们推出了业内首款176层替换栅极NAND技术,再次
  • 关键字: 美光  232层  NAND  

集邦:明年DRAM需求位成长8.3%创新低 NAND跌价带动搭载容量成长

  • 根据集邦科技指出,2023年DRAM市场需求位成长仅8.3%,是历年来首度低于10%,远低于供给位成长约14.1%,分析至少2023年的DRAM市况在供过于求的情势下仍相当严峻,价格恐将持续下滑。至于NAND Flash仍是供过于求,但价格下跌应有助于搭载容量提升。从各类应用来看,高通膨持续冲击消费市场需求,故优先修正库存是品牌的首要目标,尤其前两年面对疫情造成的上游零组件缺料问题,品牌超额下订,加上通路销售迟缓,使得目前笔电整机库存去化缓慢,造成2023年笔电需求将进一步走弱。标准型PC DRAM方面,
  • 关键字: 集邦  DRAM  NAND  

美光出货全球首款232层NAND,进一步巩固技术领先地位

  • Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布已量产全球首款 232 层 NAND。它采用了业界领先的创新技术,从而为存储解决方案带来前所未有的性能。与前几代 NAND 相比,该产品拥有业界最高的面密度和更高的容量及能效,能为客户端及云端等数据密集型应用提供卓越支持。   美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示:“美光 232 层 NAND 率先在生产中将 3D NAND堆叠层数扩展到超过 200 层,
  • 关键字: 美光  232层  NAND  

SSD价格还将要大降价:NAND供应过剩

  • 芯研所7月22日消息,TrendForce集邦咨询表示,需求未见好转,NAND Flash产出及制程转进持续,下半年市场供过于求加剧,包含笔记本、电视与智能手机等消费性电子下半年旺季不旺已成市场共识,物料库存水位持续攀升成为供应链风险。因渠道库存去化缓慢,客户拉货态度保守,造成库存问题漫溢至上游供应端,卖方承受的抛货压力与日俱增。芯研所采编TrendForce集邦咨询预估,由于供需失衡急速恶化,第三季NAND Flash价格跌幅将扩大至8~13%,且跌势恐将延续至第四季。按照供应链的说法,虽然仍
  • 关键字: NAND  SSD  存储  
共1417条 6/95 |‹ « 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 » ›|

nand flash介绍

 Nand-flash内存是flash内存的-种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。   NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数 [ 查看详细 ]

热门主题

树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473