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3d nand 文章 进入3d nand技术社区

美光率先量产面向客户端和数据中心的200+层QLC NAND产品

  • Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，美光232层QLC NAND现已量产，并在部分 Crucial 英睿达固态硬盘（SSD）中出货。与此同时，美光 2500 NVMeTM SSD 也已面向企业级存储客户量产，并向 PC OEM 厂商出样。这些进展彰显了美光在 NAND 技术领域的长期领导地位。美光 232 层 QLC NAND 可为移动
  • 关键字： 美光  QLC NAND  

如何减少光学器件的数据延迟

  • 光子学和电子学这两个曾经分离的领域似乎正在趋于融合。
  • 关键字： 3D-IC  

Zivid最新SDK 2.12:捕获透明物体，最先进的点云

  • Zivid最新SDK2.12正式发布，是对我们3D视觉相机的一次绝佳更新。本次发布中，我们全新的Omni Engine有了更惊人的性能提高。Omni v2提供了更长的工作距离，速度更快，点云质量更好，特别是在透明物体上。升级要点· Omni Engine v.2我们用于捕捉透明度的最先进的3D技术已经获得了重大升级。Omni v2显著减少了与成像透明物体相关的点云伪影和错误并且可以比以前快约35%地生成这些高质量的点云。当在高端GPU上运行时，我们推荐的预设和配置的捕获时间从490毫秒减少到约315毫秒。
  • 关键字： Zivid  3D  机器人  

3D DRAM进入量产倒计时

  • 在 AI 服务器中，内存带宽问题越来越凸出，已经明显阻碍了系统计算效率的提升。眼下，HBM 内存很火，它相对于传统 DRAM，数据传输速度有了明显提升，但是，随着 AI 应用需求的发展，HBM 的带宽也有限制，而理论上的存算一体可以彻底解决「存储墙」问题，但该技术产品的成熟和量产还遥遥无期。在这样的情况下，3D DRAM 成为了一个 HBM 之后的不错选择。目前，各大内存芯片厂商，以及全球知名半导体科研机构都在进行 3D DRAM 的研发工作，并且取得了不错的进展，距离成熟产品量产不远了。据首尔半导体行业
  • 关键字： 3D DRAM  

群联3月营收年增73%，创历史单月新高纪录

  • 近日，存储厂商群联公布了2024年3月份营运结果，合并营收为新台币67.75亿元，年成长达73%，刷新历史单月营收新高纪录。全年度营收累计至3月份达新台币165.26亿元，年成长达64%，为历史同期次高。群联表示，2024年3月份SSD控制芯片总累计总出货量年成长达96%，其中PCIe SSD控制芯片总出货量年增率达176%，刷新历史单月新高。此外，全年度累计至3月份之整体NAND闪存位元数总出货量的年成长率（Bit Growth Rate）也达80%，刷新历史同期新高，显示整体市场需求持续缓步回升趋势不
  • 关键字： 群联  SSD固态硬盘  NAND Flash  

3D NAND，1000层竞争加速

  • 据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
  • 关键字： NAND Flash  存储芯片  铠侠  

3D NAND，1000层竞争加速！

  • 据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
  • 关键字： 3D NAND  集邦咨询  

第二季NAND Flash合约价季涨13~18%，Enterprise SSD涨幅最高

  • TrendForce集邦咨询表示，除了铠侠（Kioxia）和西部数据（WDC）自今年第一季起提升产能利用率外，其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑，但整体市场氛围持续受供应商库存降低，以及减产效应影响，预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。eMMC方面，中国智能手机品牌为此波eMMC最大需求来源，由于部分供应商已降低供应此类别产品，中国模组厂出货大幅提升。买方为了满足生产需求开始扩大采用模组厂方案，助益中国模组厂技术进一步升级及
  • 关键字： TrendForce  NAND Flash  Enterprise SSD  

西部数据NAND Flash业务拆分最新进展，新任CEO揭晓

  • 月5日，西部数据宣布，在NAND Flash业务拆分后，将保留原名，专注经营核心HDD业务，并表示这一分拆过程有望在2024年下半年完成。与此同时，将为即将分拆的闪存和传统硬盘业务任命CEO。西部数据称，现任西部数据全球运营执行副总裁 Irving Tan 将出任剩下的独立 HDD公司的CEO，继续以西部数据的身份运营。现任CEO David Goeckeler则受命转往NAND Flash部门成立的新公司，出任新公司执行长。图片来源：西部数据西部数据与铠侠合并进展如何？据悉，自2021年以来，西部数据及
  • 关键字： 闪存芯片  NAND Flash  西部数据  

2023Q4 NAND 闪存行业产值环比增长 24.5%：三星增长 44.8% 居首位

  • IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨询近日发布市场研究报告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 闪存产值 114.9 亿美元，环比增长 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 产值将继续保持上涨，预估环比会继续增长两成。三星第四季营收以三星（Samsung）增长幅度最高，主要是服务器、笔记本电脑与智能手机需求均大幅增长。三星该季度出货量环比增加 35%，平均销售价格环比增加 12%，带动营收上升至 42 亿美元，环比增加 44.8%。SK 集团SK 集团（SK Group）受惠于价
  • 关键字： NAND 闪存  存储  市场分析  

千亿美元蛋糕！3D DRAM分食之战悄然开局

  • 从目前公开的DRAM（内存）技术来看，业界认为，3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一，是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工？如何解决尺寸限制等行业技术痛点？大厂布局情况？如何理解3D DRAM？DRAM（内存）单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成，其中，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
  • 关键字： 3D DRAM  存储  

为什么仍然没有商用3D-IC？

  • 摩尔不仅有了一个良好的开端，但接下来的步骤要困难得多。
  • 关键字： 3D-IC  HBM  封装  

1年利润暴跌84.9%！三星乐观 今年业绩回暖：存储涨价是开始

  • 2月1日消息，存储一哥三星2023年的日子不太好过，全年利润暴跌84.9%，确实没办法，不过他们保持乐观态度。2023年IT市场整体低迷，尤其是存储芯片价格暴跌的背景下，三星全年营收为258.94万亿韩元，同比减少14.3%；营业利润为6.57万亿韩元，同比下滑84.9%。按照三星的说法，2024年上半年业绩会回暖，其中以存储产品价格回暖最为明显，相关SSD等产品涨价不会停止，只会更猛烈。NAND芯片价格止跌回升后，目前报价仍与三星、铠侠、SK海力士、美光等供应商达到损益两平点有一段差距。国内重量级NAN
  • 关键字： 存储  三星  镁光  海力士  NAND  

一季度 NAND Flash合约价预计上涨15%-20%

  • 供应商为了尽量减少损失，正在推高 NAND Flash 价格。
  • 关键字： NAND Flash  

预估2024年第一季NAND Flash合约价平均季涨幅15~20%

  • 据TrendForce集邦咨询研究显示，尽管适逢传统淡季需求呈现下降趋势，但为避免缺货，买方持续扩大NAND Flash产品采购以建立安全库存水位，而供应商为减少亏损，对于推高价格势在必行，预估2024年第一季NAND Flash合约价季涨幅约15~20%。值得注意的是，NAND Flash原厂为减少亏损而急拉价格涨幅，但由于短期内涨幅过高，需求脚步却跟不上，后续价格上涨仍需仰赖Enterprise SSD拉货动能恢复。2024年第一季供应商的投产步伐不一，随着部份供应商产能利用率提早拉升
  • 关键字： NAND Flash  TrendForce  
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3d nand介绍

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