近日，有消息称，国内存储芯片大厂长江存储已向客户交付了192层堆叠的3D NAND闪存芯片。而预计在2022年底或2023年初，会实现232层堆叠的3D NAND闪存技术。这意味着国内存储芯片厂商，终于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，而大规模量产和应用要到2022年底或2023年初去了。而三星预计也是在2022年内推出200层以上的3D NAND闪存芯片，而大规模应用也要到2023年去了。可见，国产存储芯片，在技术上确实已经追上了三星
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长江存储 3D NAND
中国芯片传来捷报，长江存储取得重大技术突破，正式打破韩国三星垄断，目前已经完成192层3D NAND闪存样品生产，预计年底实现大规模量产交付。长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业，从成立之初就保持着高速稳定的发展状态，用短短3年的时间，接连推出了32层NAND闪存，以及64层堆栈3D NAND闪存，成功进入了华为Mate40手机的供应链。随后为了缩短和三星、SK海力士、铠侠等寡头企业的距离，长江存储直接越级跳过了96层，直接进入了128层3D NAND 闪存的研发，并成功在2020年正式宣布研发成功，它是
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长江存储 3D NAND
头一段时间，有媒体报道称，长江存储自主研发的192层3D NAND闪存已经送样，预计年底实现量产。长江存储一直是我们优秀的国产存储芯片企业，从成立之初便保持了一个高速的发展状态。2016年成立，2017年便推出了32层NAND闪存。2019年，推出64层堆栈3D NAND闪存，并成功进入了华为Mate40手机的供应链。为了缩短与三星、SK海力士、铠侠等行业大厂的差距，长江存储跳过了96层，直接进行了128层3D NAND 闪存的研发，并在2020年正式宣布研发成功，它是业内首款128层QLC规格的3D N
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长江存储 3D NAND
内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布推出全球首款专为数据中心工作负载设计的基于 176 层 NAND 技术的SATA 固态硬盘 (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先进的数据中心 SATA SSD产品，采用久经考验的第 11 代 SATA 架构，支持广范的应用场景，提供相比传统机械硬盘 (HDD) 显著提升的性能，并延长了 SATA 平台的使用寿命。美光副总裁暨数据中心存储产品总经理 Alvaro Toledo 表示
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美光 数据中心 176 层 NAND SATA SSD
比利时微电子研究中心（imec）于本周举行的2022年IEEE国际超大规模集成电路技术研讨会（VLSI Symposium），首度展示从晶背供电的逻辑IC布线方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）结构，将晶圆正面的组件连接到埋入式电源轨（buried power rail）上。微缩化的鳍式场效晶体管（FinFET）透过这些埋入式电源轨（BPR）实现互连，性能不受晶背制程影响。 FinFET微缩组件透过奈米硅穿孔（nTSV）与埋入式电源轨（BPR）连接至晶圆背面，与晶圆正面连接则利用埋入式电源轨、通孔对
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imec 晶背供电 逻辑IC 布线 3D IC
3D深度传感器在汽车座舱监控系统中发挥着着举足轻重的作用，有助于打造创新的汽车智能座舱，支持新服务的无缝接入，并提高被动安全。它们对于满足监管规定和NCAP安全评级要求，以及实现自动驾驶愿景等都至关重要。有鉴于此，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与专注3D ToF（飞行时间）系统领域的湃安德（pmd）合作，开发出了第二代车用REAL3™图像传感器，该传感器符合ISO26262标准，具有更高的分辨率。
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3D 图像传感器
增强现实（AR）应用将从根本上改变人类的生活和工作方式。预计今年下半年，AR领域的开拓者Magic Leap将推出其最新的AR设备Magic Leap 2。Magic Leap 2专为企业级应用而设计，将成为市场上最具沉浸感的企业级AR头显之一。Magic Leap 2符合人体工学设计，拥有行业领先的光学技术和强大的计算能力，能够让操作人员更高效地开展工作，帮助公司优化复杂的流程，并支持员工进行无缝协作。Magic Leap 2的核心优势之一是采用了由英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D s深度传感
5月25日，有消息传出，华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限，DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前，DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么，10nm是DRAM工艺的极限吗？在回答这个问题之前，我
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DRAM 3D DRAM 华为 三星 美光 制程 纳米
“独立子公司成立仅三个月，两家公司在事业上的合作全面开始”SK海力士和Solidigm首次公开了结合SK海力士128层NAND闪存与Solidigm的SSD控制器和固件的合作产品。SK海力士和Solidigm将继续优化两家公司的运营，以创造协同效应和合作伙伴关系。加州圣何塞和南韩首尔2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm（或“公司”， www.skhynix.com）今日首次公开了两家公司共同开发的新企业级SSD（eSSD）产品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
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SK海力士 Solidigm eSSD NAND
当人们在75年前使用宝丽来 (Polaroid ) 相机拍摄出世界上第一张实时成像照片时，便是一项以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界画面的创举。时至今日，人工智能 (AI) 研究人员反将此作法倒转过来，亦即在几秒钟内将一组静态影像变成数字 3D 场景。 NVIDIA Research 透过人工智能，在一瞬间将 2D 平面照片变成 3D 立体场景这项称为逆向渲染 (inverse rendering) 的过程，利用 AI 来预估光线在真实世界中的表现，让研究人员能利用从不同角度拍摄的少量 2D
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3D CPU GPU NVIDIA
TMAG5170UEVM 是一个易于使用的平台，用于评估 TMAG5170 的主要特性和性能。此评估模块 (EVM) 包含图形用户界面
(GUI)，用于读取和写入寄存器以及查看和保存测量结果。还包括一个 3D 打印旋转和推送模块，用于通过单个器件测试角度测量和按钮的常用功能。特性· GUI 支持读取和写入器件寄存器以及查看和保存测量结果· 3D 打印旋转和推送模块· 可分离式 EVM 适用于定制用例· 方便通过常见的 micro-USB 连接器充电
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精密数模转换器 霍尔效应传感器 3D
IBM发布下一代闪存产品，瞄准日益严峻的勒索软件和其他网络攻击。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在帮助企业更快速地检测勒索软件和其他网络攻击并从中恢复；而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存储模型能够提供单一且一致的操作环境，旨在提高混合云环境下的网络复原力和应用程序性能。 IBM 推出下一代储存产品，瞄准勒索软件及其他网络攻击根据IBM网络弹性机构的研究，46%的受访者表示在过去两年中经历了勒索软件攻击。随着网络攻
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NAND Flash IBM 闪存
据韩国媒体消息，中国监管机构审查了SK海力士垄断的可能，并就该家韩国芯片制造商从英特尔手中收购NAND闪存业务进行评估，并决定批准该收购，这为SK海力士扫清了最后一个障碍。
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中国西安正受疫情影响而封城，目前尚无法预期解封时间，根据TrendForce调查，由于三星（Samsung）在当地设有两座大型工厂，均用以制造3D NAND高层数产品，投片量占该公司NAND Flash产能达42.3%，占全球亦达15.3%，现下封城措施并未影响该工厂的正常营运。然而，当地封城措施严格管控人流及物流，尽管2021年底至2022年一月中以前的出货多已经安排妥适，但无法排除接下来因物流延迟出货的可能，这将可能对采购端的物料安排造成影响。此外，该公司的原物料进货也有可能受到物流受阻而延迟，但三星
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TrendForce 三星 NAND Flash
按照摩尔定律进一步缩减晶体管特征尺寸的难度越来越大，半导体工艺下一步发展走到了十字路口。在逼近物理极限的情况下，新工艺研发的难度以及人力和资金的投入，也是呈指数级攀升，因此，业界开始向更多方向进行探索。
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摩尔定律 3D 堆叠技术
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