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3d nand 文章 进入3d nand技术社区

三星明年将升级NAND核心设备供应链

  • 据媒体报道,三星作为全球最大的NAND闪存供应商,为了提高新一代NAND闪存的竞争力,将在2024年升级其NAND核心设备供应链,各大NAND生产基地都在积极进行设备运行测试。 三星平泽P1工厂未来大部分产线将从第6代V-NAND改为生产更先进的第8代V-NAND,同时正在将日本东京电子(TEL)的最新设备引入其位于平泽P3的NAND生产线,此次采购的TEL设备是用于整个半导体工艺的蚀刻设备。三星的半导体产品库存在今年上半年都有一定程度的增加,在上半年结束时,三星旗下设备解决方案部门的库存已增至
  • 关键字: 三星  NAND  闪存  

3D NAND还是卷到了300层

  • 近日,三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存,据爆料,这款闪存将采用双层堆栈架构,并超过 300 层。同样在 8 月,SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存,并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份,据欧洲电子新闻网报道,西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知,固态硬盘的数据传输速度虽然很快,但售价和容量还
  • 关键字: V-NAND  闪存  3D NAND  

基于FPGA的NAND Flash的分区续存的功能设计实现

  • 传统的控制器只能从NAND Flash存储器的起始位置开始存储数据,会覆盖上次存储的数据,无法进行数据的连续存储。针对该问题,本文设计了一种基于FPGA的简单方便的NAND Flash分区管理的方法。该方法在NAND Flash上开辟专用的存储空间,记录最新分区信息,将剩余的NAND Flash空间划成多个分区。本文给出了分区工作机理以及分区控制的状态机图,并进行了验证。
  • 关键字: 202308  NAND Flash  FPGA  分区  起始地址  

因业务低迷,消息称三星计划暂停部分工厂 NAND 闪存生产

  • IT之家 8 月 16 日消息,据韩国电子时报报道,为了克服低迷的存储器市场状况,三星电子计划停止其位于韩国平泽市 P1 工厂的部分 NAND 闪存生产设备。业内人士透露,三星目前正在考虑停止 P1 工厂 NAND Flash 生产线部分设备的生产,该生产区主要负责生产 128 层堆叠的第 6 代 V-NAND,其中的设备将停产至少一个月。外媒表示,鉴于市场持续低迷,业界猜测三星的 NAND Flash 产量可能会减少 10% 左右,而三星在近来 4 月份发布的 2023 年第一季度财报中也正式
  • 关键字: 三星电子  V-NAND  

3D DRAM时代即将到来,泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构

  • 动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路,目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备,如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩,随着技术在节点间迭代,芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐,向三维发展,以提高单位面积的存储单元数量。(NAND指“NOT AND”,意为进行与非逻辑运算的电路单元。)l  这一趋势有利于整个行业的发展,因为它能推动存储器技术的突破,而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。l  DRAM技
  • 关键字: 3D DRAM  泛林  

基于NAND门的行李安全警报

  • 在乘坐火车和公共汽车的旅途中,我们会携带许多重要的物品,而且总是担心有人会偷走我们的行李。因此,为了保护我们的行李,我们通常会用老办法,借助链条和锁来锁住行李。但锁了这么多把锁之后,我们还是会担心有人会割断锁链,拿走我们的贵重物品。为了克服这些恐惧,这里有一个基于 NAND 门的简易电路。在这个电路中,当有人试图提起你的行李时,它就会发出警报,这在你乘坐公共汽车或火车时非常有用,即使在夜间也是如此,因为它还能在继电器上产生声光指示。这种电路的另一个用途是,您可以在家中使用这种电路,以便在这种报警电路的帮助
  • 关键字: NAND  逻辑门  

被垄断的NAND闪存技术

  • 各家 3D NAND 技术大比拼。
  • 关键字: NAND  3D NAND  

3D 晶体管的转变

基于 LPC5528 的 3D 打印机方案

  • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印机主板方案,该方案主控 MCU LPC5528 是一颗 Cortex-M33 内核的高性能 MCU,主频达到 150MHz,拥有 512KB 片上 Flash ,256KB RAM ,有多个 Timer,多路 PWM,多种通信接口,支持 16 位的 ADC,资源丰富。      该方案支持 3.5 寸触摸屏显示,480*320 分辨率,支持 SD 卡、 U 盘传输打印资料给打印机,支持 5 轴电机控制,支
  • 关键字: 3D 打印机  NXP  LPC5528  

三季度DRAM和NAND闪存价格跌幅放缓

  • 今年 Q3,存储产品价格有望迎来拐点。
  • 关键字: DRAM  NAND  

Teledyne将在Vision China展示最新3D和AI成像方案

  • 中国上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 将于 7 月 11-13 日在上海国家会展中心举办的 2023中国(上海)机器视觉展 (Vision China) 展示最新产品和解决方案。欢迎各位莅临 5.1A101 展位了解先进的 3D 解决方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
  • 关键字: Teledyne  Vision China  3D  AI成像  

6月中国市场NAND Flash Wafer部分容量合约价有望小幅翻扬

  • 据TrendForce集邦咨询调查,5月起美、韩系厂商大幅减产后,已见到部分供应商开始调高wafer报价,对于中国市场报价均已略高于3~4月成交价。因此,TrendForce集邦咨询预估6月在模组厂启动备货下,主流容量512Gb NAND Flash wafer有望止跌并小幅反弹,结束自2022年5月以来的猛烈跌势,预期今年第三季起将转为上涨,涨幅约0~5%,第四季涨幅将再扩大至8~13%。至于SSD、eMMC、UFS等产品库存仍待促销去化,现阶段价格尚未有上涨迹象。下半年旺季备货周期将至,尽管今
  • 关键字: NAND Flash  Wafer  TrendForce  

传铠侠/西数合并进入最终阶段 NAND Flash营收或超三星?

  • 近日,据日本共同社消息,日本存储器大厂铠侠与合作方美国西部数据的合并经营已经进入最终收尾调整阶段。目前,作为全球知名的存储器厂商,铠侠和西部数据既是竞争对手又是合作伙伴,目前两家公司正在共同运营岩手县北上市和三重县四日市的工厂。报道引用相关人士消息称,铠侠和西部数据正在探讨出资设立新公司、统一开展半导体生产及营销的方案等,未来双方将进行经营合并,拟由铠侠掌握主导权,关于出资比率等将继续探讨。报道称,由于面向智能手机等的半导体行情疲软、业绩低迷,铠侠和西部数据此举意在提升经营效率并提高竞争力。资料显示,铠侠
  • 关键字: 铠侠  西数  NAND Flash  三星  

DDR5 重新下跌,内存现货价格未见回暖

  • 业界对 DDR5 DRAM 的市场预期不太乐观。
  • 关键字: NAND Flash  NAND  DDR5  

需求持续下修,第一季NAND Flash总营收环比下跌16.1%

  • 据TrendForce集邦咨询研究显示,第一季NAND Flash买方采购动能保守,供应商持续透过降价求售,但第一季NAND Flash位元出货量仅微幅环比增长2.1%,平均销售(ASP)单价季减15%,合计NAND Flash产业营收约86.3亿美元,环比减少16.1%。SK集团(SK hynix & Solidigm)及西部数据(WDC)量价齐跌,冲击营收表现,环比下降均逾两成。SK集团受淡季及削价竞争影响,第一季NAND Flash营收仅13.2亿美元,环比减少24.8%
  • 关键字: 集邦  NAND Flash  
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