长期进行IGBT器件焊接封装发现，IGBT器件封装所用关键部件子单元的存放时间长短对焊接空洞影响较大，本文分别对两批存放时间差别较大的子单元进行封装，通过实验对比两批产品的空洞率，结果表明存放时间较短的子单元焊接的IGBT器件空洞率明显偏小，从而提高了IGBT器件的可靠性。
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IGBT 焊接 封装 空洞率 子单元 202201
据国外媒体报道，三星电子计划采用一种新的封装技术，以降低图像传感器的成本。从外媒的报道来看，三星图像传感器计划采用的是芯片级封装（Chip Scale Package，CSP）技术，从明年开始采用，不过只会用于低分辨率的图像传感器。COB封装技术据The Elec报道，目前三星电子的图像传感器采用板上芯片封装（Chips on Board，COB） —— COB是当前图像传感器最常用的封装方法，即将图像传感器放置在PCB上，并通过导线连接，再将镜头附着在上面。然而，该过程需要一个洁净室，因为在封
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三星 图像传感器 CSP 封装
5G通信与新能源汽车引领的新一轮科技迭代浪潮，将全球半导体行业引入了新一轮景气周期。面对强劲市场需求，包括封测在内的行业相关企业普遍迎来业绩利好。日前，国内封测龙头长电科技（股票代码600584）发布了截至2021年6月30日的半年度财务报告。财报显示，长电科技上半年实现营收人民币138.2亿元，同比增长15.4%。净利润为人民币13.2亿元，同比增长261.0%，创历年上半年净利润新高。自2020年起，长电科技进入增长快车道，去年全年净利润达到13亿元。进入2021年，长电科技的业绩增速势头不减，上半年
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封装 先进
据国外媒体报道，本月中旬，三星展示了他们的3D芯片封装技术，而外媒最新的报道显示，三星已加快了这一技术的部署。外媒是援引行业观察人士透露的消息，报道三星在加快3D芯片封装技术的部署的。加快部署，是因为三星寻求明年开始同台积电在先进芯片的封装方面展开竞争。从外媒的报道来看，三星的3D芯片封装技术名为“eXtended-Cube” ，简称“X-Cube”，是在本月中旬展示的，已经能用于7nm制程工艺。三星的3D芯片封装技术，是一种利用垂直电气连接而不是电线的封装解决方案，允许多层超薄叠加，利用直通硅通孔技术来
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三星 3D 芯片 封装 台积电
在Intel的六大技术支柱中，封装技术和制程工艺并列，是基础中的基础，这两年Intel也不断展示自己的各种先进封装技术，包括Foveros、Co-EMIB、ODI、MDIO等等。Intel又宣布了全新的“混合结合”(Hybrid Bonding)，可取代当今大多数封装技术中使用的“热压结合”(thermocompression bonding)。据介绍，混合结合技术能够加速实现10微米及以下的凸点间距(Pitch)，提供更高的互连密度、更小更简单的电路、更大的带宽、更低的电容、更低的功耗(每比特不到0.0
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Intel 封装 凸点密度
据台湾媒体报道，三星电子成功研发3D晶圆封装技术“X-Cube”，称这种垂直堆叠的封装方法，可用于7纳米制程，能提高该公司晶圆代工能力。图片来自三星电子官方三星的3D IC封装技术X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、简称TSV)，能让速度和能源效益大幅提升，以协助解决次世代应用严苛的表现需求，如5G、人工智能(AI)、高效能运算、行动和穿戴设备等。三星晶圆代工市场策略的资深副总裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技术，确保TSV在先进的极紫外光(EUV)制程节
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三星 3D 晶圆 封装
摘要传感器半导体技术的开发成果日益成为提高传感器集成度的一个典型途径，在很多情况下，为特殊用途的MEMS（微机电系统）类传感器提高集成度的奠定了坚实的基础。本文介绍一个MEMS光热传感器的封装结构以及系统级封装（SIP）的组装细节，涉及一个基于半导体技术的红外传感器结构。传感器封装以及其与传感器芯片的物理交互作用，是影响系统整体性能的主要因素之一，本文将重点介绍这些物理要素。本文探讨的封装结构是一个腔体栅格阵列（LGA）。所涉及材料的结构特性和物理特性必须与传感器的光学信号处理和内置专用集成电路（ASIC
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红外传感器 封装 光窗 红外滤光片 MEMS
封装是半导体生产流程中的重要一环，也是半导体行业中，中国与全球差距最小的一环。然而，新冠肺炎疫情的突袭，让中国封装产业受到了一些影响。但是，随着国内数字化、智能化浪潮的不断推进，中国的封装产业增加了更多冲破疫情阴霾、拓展原有优势取得进一步发展的机会。
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封装 半导体 5G新基建
盛美半导体设备公司，作为国际领先的半导体和晶圆级封装设备供应商，近日发布公司新产品：适用于晶圆级先进封装应用(Wafer Level Advance Package)的无应力抛光(Stree-Free-Polish)解决方案。先进封装级无应力抛光（Ultra SFP ap）设计用于解决先进封装中，硅通孔（TSV）和扇出(FOWLP)应用金属平坦化工艺中表层铜层过厚引起晶圆翘曲的问题。
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盛美半导体 晶圆 封装
全球领先的高科技设备制造商Manz亚智科技，交付大板级扇出型封装解决方案于广东佛智芯微电子技术研究有限公司（简称佛智芯），推进国内首个大板级扇出型封装示范线建设，是佛智芯成立工艺开发中心至关重要的一个环节，同时也为板级扇出型封装装备奠定了验证基础，从而推进整个扇出型封装（FOPLP）行业的产业化发展。5G、云端、人工智能等技术的深入发展，使其广泛应用于移动装置、车载、医疗等行业，并已成为全球科技巨擘下一阶段的重点发展方向。而在此过程中，体积小、运算及效能更强大的芯片成为新的发展趋势和市场需求，不仅如此，芯
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封装 FOPLP
Intel近日宣布，已成功将1.6Tbps的硅光引擎与12.8Tbps的可编程以太网交换机成功集成在一起。这款一体封装解决方案整合了Intel及旗下Barefoot Networks部门的基础技术构造模块，可用于以太网交换机上的集成光学器件。
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Intel 以太网交换机 封装
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。
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儒卓力 威世N-Channel MOSFET 封装
德州仪器（TI）近日推出了业界更小的采用四方扁平无引线封装（QFN）的36V、4A电源模块。TPSM53604 DC/DC降压模块5mm x 5.5mm的面积使工程师能够将其电源尺寸缩小30%，同时将功率损耗减少到其他同类模块的50%。新电源模块配有一个导热垫来优化热传递，使工程师能够简化电路板安装和布局。如需了解更多信息、样品和评估模块，敬请访问 http://www.ti.com.cn/product/cn/TPSM53604。TPSM53604可在高达105°C的环境温度下运行，
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新模块 封装
这款指甲大小的英特尔芯片是首款采用了Foveros技术的产品。英特尔院士、芯片工程事业部成员 Wilfred Gomes，手执一枚采用Foveros先进封装技术打造而成的处理器。该处理器将独特的3D堆叠与一种混合计算架构结合在一起，这种架构混搭了多种类型、功能各异的内核。（图片来源：Walden Kirsch/英特尔公司）Foveros封装技术改变了以往将不同IP模块放置在同一2D平面上的做法，改为3D立体式堆叠，让处理器有了全新的构建模式。试想一下，全新设计的芯片就像一个设计成1毫米厚的夹心蛋
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3D 封装
近日，运动控制和节能系统电源和传感解决方案的全球领导厂商Allegro MicroSystems（以下简称Allegro）宣布推出名为“MC”的全新定制SOIC16W封装，这标志着业界电流传感技术在需要高隔离度和低功耗的功率密集型应用中的一个飞跃。这种全新封装具有265µΩ的超低串联电阻，比现有SOIC16W解决方案低2.5倍以上，同时提供Allegros最高认证的5kV隔离等级。采用新封装供货的首批器件是Allegro电流传感器IC ACS724和ACS725，两款产品在速度和精度方面均可提供领先的性能
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电流传感器 封装
封装介绍
程序 封装 (encapsulation)
隐藏对象的属性和实现细节，仅对外公开接口,控制在程序中属性的读和修改的访问级别.
封装 (encapsulation)
封装就是将抽象得到的数据和行为(或功能)相结合，形成一个有机的整体，也就是将数据与操作数据的源代码进行有机的结合，形成“类”，其中数据和函数都是类的成员。
封装的目的是增强安全性和简化编程，使用者不必了解具体的 [
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