尔必达：计划明年转向40nm制程技术

　　据透露，为了防止在与韩国对手的竞争中落在后面，日本尔必达内存公司计划明年内转向使用40nm制程技术，而在40nm制程技术完全成熟之前，尔必达将采 用50nm制程技术作为过渡性的制程技术。目前，尔必达公司刚刚在65nm制程技术基础上开发出了60nm制程技术。不过尔必达曾计划直接 跳过50nm制程进入40nm阶段，但由于受到经济危机的影响未能成行。

　　目前韩国三星电子已经在使用40nm 6F2技术生产内存芯片，而到40nm制程技术成熟时，三星还将推出4F2技术。

　　美国镁光公司则已经在110nm制程中采用了6F2技术，不过他们同样计划明年开始使用40nm制程技术，并于同年40nm 6F2技术成熟后启用4F2技术。

　　台湾内存厂商部分，南亚以及华亚则有望在采用40nm制程方面走在台湾同僚的前面。南亚，华亚曾表示会在明年转向50nm制程。

　　另外，尔必达日前刚刚宣布收购了奇梦达的显存部门并获得了该公司有关显存技术的授权。尔必达与奇梦达2008年曾签订共同开发内存技术的协议，按这份协议，两家公司将共同开发40nm 4F2技术，并在明年推出这项技术。

　　小资料：

　　8F2、6F2、4F2的DRAM技术，是在利用现有的DRAM制程技术上，不增加其他机器设备开发成本下，在相同面积的晶圆片上，透过设计概念的改变方式，增加晶圆的产出颗数，提升产出和成本效率。在同一个世代的制程下，6F2设计概念可比8F2设计增加约15%的晶圆颗数，而4F2又可比8F2技术增加30%产出，因此DRAM厂之要成功做出此款的设计，在不需要增加设备成本之下，可轻易提升生产效率。