近日，紫光集团旗下武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称“武汉新芯”），一家领先的非易失性存储供应商，宣布其采用50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC全线量产，产品容量覆盖16Mb到256Mb。该系列支持低功耗宽电压工作，为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。
关键字：
武汉新芯 SPI NOR Flash 50nm
合肥恒烁半导体有限公司（以下简称“恒烁半导体”）正式推出第一款面向物联网应用的50nm 128Mb 高速低功耗、业界最小尺寸的 NOR Flash 存储芯片，此芯片的推出将有效加快万物智能互联的进程。
关键字：
物联网 50nm NOR Flash芯片 恒烁半导体
近日，紫光集团旗下武汉新芯集成电路制造有限公司，宣布推出业界先进的50nm Floating Gate工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC。该系列支持低功耗宽电压工作，为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。
关键字：
武汉新芯 50nm SPI NOR Flash
对于内存厂商来说，已经过去的2009年就像是一场噩梦。而2010年情况则大有好转，可是今年内存厂商却遇上了芯片供货紧缺，芯片产品投产准备时间加长，产品价格居高不下的问题。在本周三举办的Memcon会议上，一位分析师将今年内存厂商遇到的这些问题归结为由内存厂商自身的问题而引起，不过著名光刻设备制造商ASML则也在被指责之列。
ObjectiveAnalysis市调公司的分析师JimHandy认为内存市场的上扬期恐怕不久便会结束，他并称2011年中期或2012年间内存芯片市场将再度陷入供过于求的局面
关键字：
ASML 内存芯片 50nm
美光公司今天宣布了一款新品50nm工艺2Gb DDR2内存颗粒产品，依靠其小尺寸、高密度和低功耗特色，专门针对Intel在6月份Computex上宣布的Atom平板机平台(代号Oak Trail)。Intel Oak Trail平台包括Atom Z6xx系列处理器和Whitney Point单芯片处理器，在“x86手机芯”Moorestown的基础上，加入了多种PC平台接口，可以支持标准的Windows 7、Chrome、Meego操作系统，专门针对平板机和超便携上网本市场。
关键字：
美光 50nm Atom
日本尔必达公司最近完成了采用铜互连技术的50nm制程 2Gb密度GDDR5显存芯片的开发，这款产品据称是在尔必达设在德国慕尼黑的设计中心开发完成的。尔必达表示公司将于今年7月份开始试销这种50nm 2Gb GDDR5显存样片，而这款产品的量产则预计会定在今年7-9月份的时间段。
据尔必达表示，其设在广岛的芯片厂将负责这款2Gb GDDR5显存芯片的生产，另外尔必达还透露公司1Gb密度的GDDR3/GDDR5显存芯片产品已经外包给了台湾华邦公司代工。
GDDR显存的主要用途是图形图像处理
关键字：
尔必达 50nm 显存
Intel计划停产采用50nm制程NAND闪存芯片制作的1.8/2.5寸SSD硬盘产品，自今年第二季度开始，Intel公司将仅向客户提供采用 34nm制程MLC NAND闪存芯片制作的Postville40-160GB容量SSD硬盘产品，另外到今年第四季度，Intel还将推出80-600GB容量的 Postville SSD硬盘。
今年第四季度上市的新款Postville系列产品将采用25nm制程闪存芯片制作，容量则有80/160/300/600GB几种，型号为X25-M;另外还将推出80GB容
关键字：
Intel 50nm SSD
据透露，台湾内存芯片厂商南亚计划增加2010年的资本支出预算，将其由原计划的190亿新台币提升到200亿新台币(6.27亿美元)，据悉这笔增加的 预算将用于改进制程和扩展产能之用。南亚计划将其12英寸厂产能由目前的每月3万片提升到5-6万片。如果将其合资公司华亚(由镁光和南亚合资成立)的产能计算在内，那么南亚12英寸总产能将达到每月11.5-12.5万片，这个数字已达到了全球内存芯片厂总产能的10%左右。
目前华亚12英寸厂的产能有一半是向南亚供货，另一半则为镁光公司供货，这家合资公司的月产能大
关键字：
南亚科 内存芯片 50nm
韩国Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3内存芯片产品通过了Intel的认证，Hynix并称将开始批量生产这种芯片产品，另外他们还宣称面向服务器应用的Registered DIMM产品的验证工作也将于年底前顺利完成。
这次通过验证的Hynix产品有2Gb DDR3 SDRAM内存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(笔记本内存条)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型内存条)，验证时的运行频率为1333MHz，芯片电压为1.5V。
Hynix宣称
关键字：
Hynix 40nm SDRAM 50nm
据透露，为了防止在与韩国对手的竞争中落在后面，日本尔必达内存公司计划明年内转向使用40nm制程技术，而在40nm制程技术完全成熟之前，尔必达将采 用50nm制程技术作为过渡性的制程技术。目前，尔必达公司刚刚在65nm制程技术基础上开发出了60nm制程技术。不过尔必达曾计划直接 跳过50nm制程进入40nm阶段，但由于受到经济危机的影响未能成行。
目前韩国三星电子已经在使用40nm 6F2技术生产内存芯片，而到40nm制程技术成熟时，三星还将推出4F2技术。
美国镁光公司则已经在110nm制
关键字：
尔必达 40nm 内存芯片 50nm
尔必达和Numonyx已经推迟它们的代工计划达6个月。NOR闪存大厂Numonyx原本与尔必达签约的第一个代工订单，计划在2009年中期开始量产，如今要推迟到2010年的上半年。
尽管近期DRAM价格回升及日本政府为尔必达注资，可是对于存储器制造商尔必达最大的问题是如何生存下来。显然尔必达还不可能如奇梦达同样的命运，退出存储器。但是日本存储器制造商需要经济剌激，因为从长远看能生存下来可能是个奇迹。
前些时候尔必达CEO己经把尔必达的生存问题提高到日本国家的利益上。但是仍有人质疑为什么要支持
关键字：
尔必达 DRAM 50nm 40nm
8月7日消息 据透露，为了防止在与韩国对手的竞争中落在后面，日本尔必达内存公司计划明年内转向使用40nm制程技术，而在40nm制程技术完全成熟之前，尔必达将采 用50nm制程技术作为过渡性的制程技术。目前，尔必达公司刚刚在65nm制程技术基础上开发出了60nm制程技术。不过尔必达曾计划直接 跳过50nm制程进入40nm阶段，但由于受到经济危机的影响未能成行。
目前韩国三星电子已经在使用40nm 6F2技术生产内存芯片，而到40nm制程技术成熟时，三星还将推出4F2技术。
美国镁光公司则已经
关键字：
尔必达 DRAM 40nm 50nm 60nm
美光科技股份有限公司近日宣布生产出业内首个DDR3低负载双列直插内存模块(LRDIMM)，并将于今年秋季开始推出16GB版本的样品。通过减少服务器内存总线上的负载，美光的LRDIMM可用以支持更高的数据频率并显著增加内存容量。
新的LRDIMM将采用美光先进的1.35v 2Gb 50nm 的DDR3内存芯片制造。由于芯片的高密度和业内领先的小尺寸，使美光能够轻松并具成本效益地增加服务器模块的容量。美光的2Gb 50nm DDR3产品目前正在进行客户认证，将很快进行大量生产。
如今多数中端企
关键字：
美光 LRDIMM DDR3 50nm
50nm介绍
纳米（符号为nm）是长度单位，原称毫微米，就是10^-9米（10亿分之一米），即10^-6毫米（100万分之一毫米）。如同厘米、分米和米一样，是长度的度量单位。相当于4倍原子大小，比单个细菌的长度还要小。
随着苹果(Apple)iPhone及更高阶iPod将陆续登场，可望带动NAND型快闪存储器(Flash)市场庞大商机，吸引国际NAND Flash大厂摩拳擦掌，其中，三星电子(Samsu [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473