东芝提出16nm制程工艺

　　目前大多数存储芯片处于30nm制程，而逻辑电路更是在42nm制程徘徊。而东芝已经宣布他们在制程提升上取得了突破，他们已经可以制造出16nm甚至更低制程的场效应管。突破的关键是他们使用了锗代替现在流行的硅，锗一直以来都被认为有潜力制造更小的设备，但是它也比硅存在更多的问题，难于控制。但是现在硅化合物的潜能已经发掘殆尽，所以人们再一次将目光转向了锗。

　　东芝称他们将会在下周在东京举行的2009 VLSI座谈会上详细讲解他们的成果。