磁阻式随机存储器将挑战闪存

　　磁阻式随机存储器（MRAM）将优于快闪记忆体（Flash闪存）？飞思卡尔半导体正试图证明这一点。

　　根据消息，飞思卡尔半导体（前摩托罗拉公司芯片部门）周一宣布，它已经获得了几个风险投资公司的加入。据悉他们将联合成立一家命名为Everspin科技的独立技术公司，侧重于研发制造MRAM（磁阻式随机存储器），其目的是为了“扩大MRAM及其相关产品的市场份额”。

　　MRAM与快闪记忆体不同，它使用了磁性材料与常规硅电路相结合记录方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高速读写能力，以及Flash不挥发性的特性，在Cell面积上也和DRAM比例相近，而重复读写次数和DRAM、SRAM相同，操作电压也近似，可说是集各种记忆体优点于一体的产品。它的主要竞争对手是快闪记忆体，目前一些公司如三星、东芝、Intel正在不断开发更快更高容量的闪存式存储装置。

　　据悉飞思卡尔半导体将把MRAM的相关知识产权移交给Everspin科技，而Everspin的后盾则是风险投资公司例如Venture Partners、Sigma Partners、Lux Capital、Draper Fisher Jurvetson和Epic Ventures等。分离后的Everspin将负责推广MRAM同时作为一个主要的MRAM供应商存在，飞思卡尔的嵌入式产品也将采用everspin提供的MRAM产品。