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快闪记忆体 文章 进入快闪记忆体技术社区

台积电0.25微米车用嵌入式快闪记忆体出货已达60万片八吋晶圆

  •   TSMC今(21)日宣布该公司符合汽车电子AEC-Q100第一级(AEC-Q100 grade1)高规格要求之0.25微米嵌入式快闪记忆体工艺,累积出货量已达到60万片八吋晶圆,为客户产出各种不同汽车电子应用之集成电路产品,相当于微控制器(MCU)的出货量已超过7亿2千万个。在2009年,部分客户产品的实际行车故障率(field failure rate)已达到低于千万分之一(<0.1ppm)的极高水准。   考虑每个产品在测试筛选过程中,其资料写入及消除(endurance cycles)及
  • 关键字: 台积电  嵌入式  快闪记忆体  

旺宏电子推出全球首颗256Mbit序列快闪记忆体

  •   日前,序列式快闪记忆体(Serial Flash)生产制造公司旺宏电子(TSE:2337)宣布,领先业界推出全球第一颗256Mbit序列快闪记忆体产品─MX25L25635E。   旺宏电子创新的32位元定址技术,利用简单的切换,即可让原有的记忆体容量提高至256Mbit,并且还提供了能相容于既有24位元定址的模式,使得系统工程师及制造商易于提高原有产品的功能及效能。   据了解,旺宏电子256Mbit序列快闪记忆体产品的主要应用市场,是在需大量程式码及资料存储方面,如高阶网通、WiMAX、服务器
  • 关键字: 旺宏  快闪记忆体  MX25L25635E  

Hynix新NAND快闪记忆体制造厂在清州投产

  •   据国外媒体报道,全球第二大电脑记忆体晶片制造商Hynix周四表示,其在韩国建成的新NAND快闪记忆体制造工厂正式投产。   据国外媒体报道,Hynix表示,该新厂位于清州,月产量可达到30万件,并有望于在数月后提高到50万件。   Hynix在清州还建有另外两个芯片制造厂,目前正在运作当中。   Hynix的首席执行官Kim Jong-gap表示,公司计划加强产品在价格方面的竞争力,并在接下来的研发道路中保持高水准的投资。
  • 关键字: NAND  Hynix  快闪记忆体  

磁阻式随机存储器将挑战闪存

  •   磁阻式随机存储器(MRAM)将优于快闪记忆体(Flash闪存)?飞思卡尔半导体正试图证明这一点。   根据消息,飞思卡尔半导体(前摩托罗拉公司芯片部门)周一宣布,它已经获得了几个风险投资公司的加入。据悉他们将联合成立一家命名为Everspin科技的独立技术公司,侧重于研发制造MRAM(磁阻式随机存储器),其目的是为了“扩大MRAM及其相关产品的市场份额”。   MRAM与快闪记忆体不同,它使用了磁性材料与常规硅电路相结合记录方式,在性能上MRAM具有接近SRAM的高
  • 关键字: MRAM  快闪记忆体  Flash  DRAM  Everspin  
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快闪记忆体介绍

快闪记忆体 百科名片 快闪记忆体的英文名称是"Flash Memory",一般简称为"Flash",它属于内存器件的一种。 目录 二、闪存的物理特性与常见的内存的差异 三、性能比较 四、接口差别 五、容量和成本 六、可靠性和耐用性 七、寿命(耐用性) 八、位交换 九、坏块处理 十、易于使用 十一、软件支持 十二、其他作用二、闪存的物理特性与常见的内存的差异 三、性能比较 [ 查看详细 ]

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