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美国美光科技:NAND闪存的未来在SSD

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作者:时间:2007-05-23来源:半导体国际收藏
作为赞助商参加Windows Hardware Engineering Conference(WinHEC)的美国美光科技公司(Micron Technology, Inc.)举办了名为“Flash Memory Technology Direction”的技术研讨会(Technical Session)。该公司 Memory Products Group 的首席应用工程师(Director of Application Engineering)Jim Cooke登台做了演讲。 

Jim Cooke首先就市场走向提到了大容量存储器领域闪存的优势,他介绍说,闪存在“性能、可靠性、耐久性、耗电、尺寸、重量、耐冲击性、温度方面均超过硬盘”,不如硬盘的方面是容量和单位容量所对应的成本。目前闪存的使用方法有缓存(Cache)中使用了闪存的硬盘“混合(Hybrid)型”和全部由闪存构成的大容量光盘(Disk)“(固态存储,Solid State Disk)”两种,预计混合型将首先开始普及,但2010年时将赶上并超过混合型 
。Jim Cooke表示,根据美国IDC公司的预测,单位容量所对应的成本“2010年时将压缩至0.85~1.8英寸硬盘的1倍、2.5英寸硬盘的5.6倍。目前分别为5.3倍、8.8倍,到那时,二者的差将比现在小得多”。 

技术方面,Jim Cooke表示“2片型将是今后的趋势”。将分为偶数片与奇数片两个块、使它可同时读取两个片以提高访问速度。目前每单元2值的SLC(单层单元)技术、每单元4值的MLC(多层单元)技术均被采用使用。Jim Cooke表示,对MLC而言,从耐久性的观点出发依次改变写入单元的“损耗平衡(Wear Leveling)”是必需的,而一开始就从芯片方面支持它的Managed 是很重要的。具体而言,“eMMC(嵌入式多媒体卡,embedded Multimedia Card)”等实际上确定了接口等。 

Jim Cooke最后总结表示,型闪存的主要市场为手机等移动设备以及SSD。事实上,在WinHEC的展出会场上,除美光公司外,美国SanDisk Corp.与韩国三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)等也展出了SSD,让人不禁感受到闪存厂商的雄心。 

另一方面,美国微软公司(Microsoft Corp.)也举办了题为“Solid-State Drives:Next-Generation Storage”的技术研讨会。微软强调,Windows一直在关注存储器是否为SSD,与存储器是硬盘的情况下,删除数据时将出现一个删除标记相对,当存储器为SSD时,为了防止擦写,将进行真正删掉数据等处理、执行与SSD相应的动作。另外作为将来硬盘与闪存的组合,提出了“复合SSD(Composite SSD)”的构想。不是把闪存用作缓存,而是在擦写频繁的地方用硬盘、保存时间长的数据存储在闪存里。比如,为了将闪存用于服务器等大规模存储器,提出了复合SSD是有效的这一见解。


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