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SiC功率模块关键在价格,核心在技术

作者:时间:2015-09-09来源:电子产品世界收藏

  日前,碳化硅()技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感应加热设备、电机驱动器、太阳能和风能逆变器、UPS和开关电源以及牵引设备等。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/279888.htm

  世强代理的CAS300M12BM2外壳采用行业标准的62mm x 106mm x 30mm,封装则采用Half-Bridge Module,具有超低损耗、高频率特性以及易于并联等特点。漏极电流方面,连续通电时最大为404A(@25℃),285A(@90℃), 脉冲通电时最大为1500A(@25℃),导通电阻在栅源间电压为+20V、周围温度为25℃时只有5mΩ(标准值)。此外,即使周围温度上升至+150℃,导通电阻也只有8.6mΩ(标准值),温度上升对导通电阻增加的影响非常小。总栅极电荷仅1025nC(标准值),因此十分容易提高开关频率。

  

图1:Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2

 

  图1:Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2

  Cree方面表示,如果使用功率模块,与使用Si功率的电源装置相比,由开关损失引起的功率损耗可降低5倍以上。与采用Si材料IGBT的电源装置相比,CAS300M12BM2可改善装置整体的转换效率,而且能将开关频率提高,从而能够缩小外置部件,因此可削减电源装置整体的体积和重量。在感应效率达到99%的同时,CAS300M12BM2在高频感应加热系统可减少2.5倍的电源模块数。CAS300M12BM2的转换效率和性能可使设计师减少冷却片和散热片,降低系统的热要求,提升两倍的功率密度并降低系统成本,最终减少了用户的成本。

  

图2:使用SiC与Si技术比较

 

  图2:使用SiC与Si技术比较

  Cree功率和RF产品营销经理MrinalDas表示:“Cree的SiC功率模块系列还可以为太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和工业电源等应用带来极大益处。即使设计人员只是在电动机中用SiC取代硅模块,SiC的增强性能也可以降低功率耗损和冷却要求,从而降低动力电子设备系统的尺寸、重量、复杂性和总成本”。

  Cree与世强已于日前宣布,双方将展开紧密合作,共同开拓汽车和工业市场。来自Cree的CAS300M12BM2现可通过世强订购。欢迎致电世强热线400-887-3266咨询。

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关键词: SiC SiC

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