台积电28纳米3D晶片准备好了

　　晶圆代工龙头厂台积电在3DIC领域的布局，一直被视为领头羊角色，日前不但有重大突破和美光(Micron)一起打造逻辑和记忆体晶片的3DIC技术外，其28纳米的3DIC晶片更是大声疾呼「已经准备好了」!业界认为，市场非常期待16纳米3DIC晶片的问世。

　　台积电为了布局3DIC技术领域，积极耕耘上下游一条鞭整合型服务。在技​​术端方面，2年前宣布和SK海力士(SKHynix)合作3DIC测试晶片，首度和DRAM一同合作，台积电在此领域策略也是开放式的，不排除与任何记忆体合作伙伴结盟，因此日前再与第二家记忆体美光携手，打造3DIC晶片。

　　在后段封测领域，台积电很早就跨入封测市场，长远就是为3DIC布局打基础，初期先建置庞大的Bumping产能，且传出台积电这几年默默建立的后端封测12吋Bumping产能单月出货量已高​​达15万片，累计出货量超过500万片，其他封测供应商对于台积电的封测布局不敢小觑。

　　另外，Bumping产能打下封测端基础后，台积电持续投资先进技术，扩大投资包括Fan-outPoP、2.5Dinterposer等技术，提供完整的封测解决方案，首波主打客户应该是移动通讯晶片供应商包括高通(Qualcomm)、联发科、苹果(Apple)等现在既有的重量级大客户，更可巩固既有的手机AP晶片订单和客户需求。

　　台积电目前针对28纳米HP制程的3DIC晶片，已到了准备完成地步，目前正在着手研发16纳米3DIC晶片，市场认为届时3DIC晶片技术市场会更成熟，且成本更适合客户大量导入量产。

　　台积电28纳米制程2014年占营收比重可超过30%，且主流制程会转到HKMG制程，现在HKMG制程占28纳米比重已超过85%，掌握60个客户在手，已积极着手新版本的16纳米FinFETPlus制程。

　　28纳米和20纳米制程在台积电的技术发展上，台积电的量产速度都曾经创下历史，更奠定先进制程的领导地位。

　　同时，台积电在先进制程投入的资金、人力和心力也是相当惊人。过去4年在先进制程上共投入310亿美元，2012和2013年的资本支出为83亿美元、97亿美元，2014年资本支出也在95亿~100亿美元之间，2015年资本支出也是会维持高档。

　　市场看好台积电在3DIC技术布局上，有SK海力士和美光两大记忆体厂，未来可通吃逻辑和记忆体整合技术，强化与三星电子(SamsungElectronics)竞争利器。