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IR授权使用DirectFET封装技术

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作者:时间:2007-02-09来源:收藏
  近日与两家总部分别位于不同地区的半导体供应商达成协议,他们使用  的  技术。

   MOSFET技术基于突破性的双面冷却技术,在2002年推出后迅速成为了先进计算、消费及通信应用解决安装散热受限问题的首选解决方案。自从该技术推出后, 便成为  公司历史上增长速度最快的产品。由于 DirecFET 能改善电流密度和性能,IR 预期随着有关协议的达成,这项封装技术将成为多元化应用的行业标准。

  IR 公司的首席执行官 Alex Lidow 先生表示:“我们不断开发节省能源的技术。IR 的 DirectFET 封装技术有助于降低能量损失并减少设计的占板面积,还能够推动计算技术的发展。”他补充道:“通过这些协议,我们将可以扩大 IR DirectFET 创新封装技术在节能方面的影响力。” 

 


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