球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用，包括大功率直流电机，直流/交流逆变器，以及动态ORing热插拔和电熔丝等大电流开关应用。
全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封装器件提供卓越的导通电阻性能，从而实现较低的导通损耗和更理想的系统效率。这款大罐式产品与中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具备
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IR MOSFET DirectFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片组，为 12V 输入同步降压应用 (包括服务器、台式电脑和笔记本电脑) 提供最佳效率。
IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片组不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技术，还具有业界领先的性能指数 (FOM) 及 DirectFET 封装卓越的开关和热特性，成为一个为高频率 DC-DC 开
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IR MOSFET DirectFET 芯片组
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。
IR 的这些首款汽车用 DirecFET2 件完全不含铅，与传统标准塑料封装元件相比，可降低整体系统级尺寸和成本，实现更优异的性能和效率。
IR 亚洲区销售副总裁潘大伟
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IR MOSFET AUIRF7739L2 AUIRF7665S2 DirectFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界最低的通态电阻 (RDS(on))，并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。
IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术，提供极低的通态电阻(在10V Vgs时典型为0.5mΩ)，同时比D2PAK的占位面积缩小60%，高度缩小85%。新器件大幅减少了有关旁路元件的传导
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IR MOSFET DirectFET
英飞凌科技股份有限公司与国际整流器公司IR宣布，英飞凌获得国际整流器公司DirectFET?的授权许可，获准使用享有专利的先进功率封装技术。 DirectFET功率封装技术适用于计算机、笔记本、通信设备和消费类电子产品中的交流-直流以及直流-直流电源转换器件，是业界一流的表面贴功率MOSFET封装技术，在SO-8封装尺寸或更小尺寸上进行顶部冷却非常有效。较之标准分立塑封，DirectFET的“金属帽”结构可实现双面冷却，将高频直流-直流降压转换器的电流处理能力提升一倍。 英飞凌将在OptiMOS2和Opt
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工业控制 国际整流器 英飞凌 DirectFET 中间件 软件库
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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IR DirectFET
IR近日与两家总部分别位于不同地区的半导体供应商达成协议，授权他们使用 IR 的 DirectFET 封装技术。 DirectFET MOSFET封装技术基于突破性的双面冷却技术，在2002年推出后迅速成为了先进计算、消费及通信应用解决安装散热受限问题的首选解决方案。自从该技术推出后，DirectFET 便成为 IR 公司历史上增长速度最快的产品。由于 DirecFET 封装能改善电流密度和性能，I
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DirectFET IR 电源技术 封装技术 模拟技术 封装
IR近日与两家总部分别位于不同地区的半导体供应商达成协议，授权他们使用 IR 的 DirectFET 封装技术。 DirectFET MOSFET封装技术基于突破性的双面冷却技术，在2002年推出后迅速成为了先进计算、消费及通信应用解决安装散热受限问题的首选解决方案。自从该技术推出后，DirectFET 便成为 IR 公司历史上增长速度最快的产品。由于 DirecFET 封装能改善电流密度和性能，I
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DirectFET IR 电源技术 封装 模拟技术 授权 封装
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