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基于VxWorks的NAND FLASH驱动程序设计

作者:时间:2009-08-25来源:网络收藏

0 引 言
目前,随着电子技术的不断发展,计算机技术也得到飞速的发展,产生了很多新技术。但就计算机的基本结构来说,还是基本采用了冯・诺依曼结构。然而冯・诺依曼结构的一个中心点就是存储一控制,所以存储器在计算机系统中的作用是非常重要的。嵌入式计算机作为计算机中的一个类别,对执行速度和系统可靠性都有较强的要求,这也决定了嵌入式系统不仅要有实时性很强的操作系统,同时也需要一种安全、快速的存储设备。同时,嵌入式系统经常会涉及到海量数据的存储,这就要求存储设备必须具有可靠性高,功耗低,容量大,掉电数据不丢失等特点,而 芯片正好具有这些优点。
是嵌入式领域内公认的最有特色的高性能实时操作系统之一。它以其良好的可靠性和卓越的实时性,被广泛地应用在通信、军事、航空、航天等高精尖技术及实时性要求极高的领域中,如卫星通信、军事演习、弹道制导、飞机导航等。
目前,在实现上,涉及文件系统的文章不少,但一般都是针对容量较小,操作相对简单的NOR实现的。本文讨论了如何在以AMCC公司的Power PC芯片PPC440epx为核心的嵌入式平台上,利用三星公司的大容量 实现文件系统的具体办法。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202665.htm

1 三星 FLASH芯片K9F2G08QOM
K9F2G08QOM芯片的容量为256 M×8 b=2 Gb的数据区,再加上64 Mb的备用区。一块这种芯片被分为2 048个块,每个块又分为64页,每页由2 KB的数据区加上64 B的备用区组成。如图1所示,列地址为12 b(A11~A0)。当A12为0时,A10~A0确定对每页中2 KP;数据的访问;当A12为1时,访问的是64 B的备用区。由于NANDFLASH芯片在出厂时就可能出现坏块(块中的某个或多个bit不能有效的进行读写),为了将其标注出来,三星公司保证每个坏块的第一页和第二页备用区第一个byte的数据没有被初始化为0xFF。设计人员要确保在对该芯片进行擦除之前,先将这个信息保留起来(建一个坏块表)。行地址为17 b(A28~A12)。它确定了对2 048块×64页=128 K个页中的某一页进行访问。为了简化NAND FLASH芯片的管脚,其地址和数据信息共享8个I/O管脚,因此,其29 B的地址信息被设计为5个周期进行传输。具体操作如表1所示。

注:起始地址是列地址;L表示必须置为低电平
对NAND FLASH的操作流程比较简单,即在第一个周期里送操作相关的命令字,然后送地址,以及相应的数据,最后送确认字。需要说明的是,由于地址、命令和数据都共用8个I/O管脚来进行传输,因此在硬件上必须要有专用的管脚来区分传输类型(在传输命令的时候,命令锁存使能信号CLE有效;在传输地址的时候,地址锁存使能信号ALE有效)。具体的命令字、时序和操作流程在K9F2G08Q0M的数据手册上有较详细的描述,在此不一一详述。


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关键词: VxWorks FLASH NAND 驱动

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