芯片巨头，盯上EUV

三星电子正在推动关键半导体材料的本土化，此举引起广泛关注，因为该公司试图减少对日本进口的严重依赖。在美国、日本、中国大陆和中国台湾的全球半导体主导地位竞争日益激烈的背景下，这一战略转变被视为应对韩日关系潜在紧张的主动措施。

据业内人士透露，三星电子半导体部门正在加快努力用韩国本土替代品取代「ArF（氟化氩）空白掩模」。这些掩模在半导体光刻工艺中至关重要，占整个阶段的 40% 以上。目前，三星对这些掩模的采购严重依赖日本的 Hoya。然而，三星现在正与韩国生产商 S&S Tech 密切合作，以实现本土化。一位业内人士透露，「三星一直在接收少量国产 ArF 空白掩膜，但最近已开始评估在特定工艺中全面采用。」

除了 ArF 空白掩膜，三星还在加大力度将其他高度依赖日本的材料本地化。对于目前由日本三井化学主导的 EUV 薄膜，三星正在与韩国 FST 合作实现本地化。此外，对于高带宽存储器（HBM）的关键材料非导电膜（NCF），三星正在与 LG Chem 合作。目前，NCF 材料 100% 由日本 Resonac 供应给三星。

三星材料供应链的多样化主要是为了应对人工智能（AI）革命引发的半导体需求激增。这种需求需要多样化目前由一两家公司垄断的工艺材料。该战略还考虑到与美国和日本以及中国大陆和中国台湾之间日益激烈的半导体主导地位竞争。

日本则在培育 Rapidus 等新芯片制造公司，以增强国内半导体产业。如果日本再次对半导体材料实施类似于 2019 年的出口限制，韩国国内半导体生产线可能会面临严重中断。一位资深行业官员评论说：「在最近国内外政治局势变化的情况下，韩美、韩日、韩中关系的波动性比以往任何时候都高，三星从多个角度加强风险管理的努力意义重大。」

据悉，三星电子将从 ASML 引进首台 High-NA EUV 光刻机 EXE:5000，预计 2025 年初到货。这意味着三星将正式加入与英特尔和台积电在下一代光刻技术商业化研发方面的竞争。

ASML 的 High-NA EUV 光刻机 EXE:5000 是一款先进的极紫外光刻设备，具有高数值孔径 (NA) 和 8nm 的分辨率，相较于之前的 NXE 系列光刻机，其分辨率显著提高。这款光刻机采用了 0.55 NA 的透镜，能够实现更精细的图案化，从而支持更小的物理特征尺寸。

根据此前相关资料，EXE:5000 的设计使其能够每小时处理超过 185 片晶圆，相比 NXE 系列的产能有所提升。然而，目前的生产速度仅为每小时 150 片晶圆，预计到 2026 年左右将提升到每小时约 200 片晶圆。

EXE:5000 光刻机预计将在 2025 年进入大规模生产阶段。目前，该设备已经向英特尔交付了首批模块，并且正在安装和测试中。

与此同时，三星电子正在与蔡司集团深化在下一代极紫外光刻技术和芯片技术领域的合作。

三星电子执行董事长李在镕在访问位于奥伯科亨的全球光学和光电子技术集团总部时，与蔡司公司总裁兼首席执行官 Karl Lamprecht 及其他高管进行了会晤。

双方同意扩大在 EUV 技术和尖端半导体设备研发方面的合作，以进一步增强在代工和存储芯片领域的业务竞争力。作为全球顶尖的动态随机存取存储器（DRAM）芯片生产商，三星电子与蔡司集团在 EUV 技术方面拥有广泛的合作基础。

通过与蔡司集团深化合作，三星电子期望改进其下一代半导体技术，优化芯片制造工艺，并提高先进芯片的产量。通过这次合作，三星希望提升下一代半导体技术，优化芯片制造流程，提高先进芯片的生产良率。

蔡司还计划到 2026 年投资 480 亿韩元在韩国建设研发中心，加强同三星等韩企的战略合作，以建立其首个海外研究工作站，专注于解决方案研发。

三星电子的目标是推动 3 纳米以下的微制造工艺技术的发展，此外，该公司还计划在东北亚地区建立首个先进逻辑和存储芯片流程控制解决方案研发中心，以满足该地区对光学解决方案不断增长的需求。

蔡司集团是全球领先的极紫外（EUV）光系统供应商 ASML Holding NV 的唯一光学系统供应商，对于全球芯片产业，特别是代工芯片制造商如台积电和三星电子等具有重要影响力。