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英特尔:首批两台High-NA EUV 设备已投产

作者: 时间:2025-02-25 来源:全球半导体观察 收藏

24日表示,ASML首批的两台先进曝光机已投产,早期数据显示比之前机型更可靠。

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/202502/467310.htm

资深首席工程师 Steve Carson 指出,用ASML 高数值孔径(High NA)曝光机一季内生产 3 万片晶圆,即生产数千颗运算芯片的大型硅片。

英特尔去年成为全球第一间接收这些设备的芯片制造商,与之前ASML设备相比,这些机器可望制造出更小、更快的运算芯片。 此举是英特尔策略转变,因英特尔采用上代极紫外光()曝光机时落后竞争对手。

英特尔花了七年才将之前机器全面投产,导致领先优势被台积电超越。 生产初期,英特尔曾因机型可靠性问题遇到挫折。 不过 Carson 表示,ASML High NA 设备初步测试可靠性约前代机器两倍,「我们能以一致速度输出晶圆,这对平台是一大帮助」。

ASML 新设备用光束在芯片印制电路图案,同时能以更少曝光次数完成与早期设备相同工作量,节省时间和成本。 Carson指出,英特尔工厂早期结果显示,High NA EUV 机器只需一次曝光和「个位数」处理步骤,即可完成早期机器需三次曝光和约 40 个步骤的工作。

英特尔表示,计划使用High NA EUV设备来协助开发其所谓的18A制程,该技术预计今年稍晚时跟着新PC芯片量产; 此外,也计划下代14A制程全面导入新设备,但尚未公布量产时间。




关键词: 英特尔 High-NA EUV

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