三季度DRAM和NAND闪存价格跌幅放缓

据业内消息人士称，DRAM 和 NAND 闪存的合同市场价格将在 2023 年第三季度继续下跌，尽管降幅有所放缓。

自 2022 年初以来存储下游需求不振引发供需错配，厂商竞相出货导致存储价格持续下探。2023 Q1 存储产品价格继续下跌，伴随下游笔记本电脑需求回暖、AI 应用浪潮袭来与汽车市场景气度上升，叠加龙头企业减产停止价格跌势，预计价格环比跌幅将持续缩小。

部分 DRAM 价格止跌

据台媒报道，在智能手机、PC 上用于暂时储存数据的 DRAM 价格止跌，而此可能是因为存储大厂减产、导致市场库存减少所致。2023 年 5 月份指标性产品 DDR4 8Gb 批发价（大宗交易价格）为每个 1.48 美元左右、同于前一个月份（2023 年 4 月）水准，结束连 12 个月下跌局面；容量较小的 4Gb 产品价格为每个 1.1 美元左右，同于前一个月份水准，结束连 12 个月下跌局面。

DRAM 批发价格为存储厂商和客户间每个月或每季敲定一次。

报道指出，美光、SK 海力士于 2022 年秋天表明减产，龙头厂三星也在今年 4 月宣布减产，而随着各家厂商减产、市场库存持续进行调整。半导体商社负责人指出，需求稳健的资料中心相关库存已呈现适当水平。美光科技此前曾表示，AI 服务器对 DRAM 和 NAND 的容量需求分别是常规服务器的 8 倍和 3 倍。

近日，有市场消息称，存储芯片三大原厂拟在下季拉动 DRAM 价格上涨。业内人士表示，目前三大原厂都想要拉高合约价，目标涨幅 7%~8%。虽然仍有库存以及终端需求未见明显复苏的迹象，但进入拉扯的角力战，至少代表产业落底、复苏有望。此外，美光科技公布的 2023 财年第三财季业绩超出市场预期，对存储芯片板块形成利好刺激。

日本电子情报技术产业协会（JEITA）6 月 6 日发布新闻稿指出，根据 WSTS 最新公布的预测报告显示，因智能手机、PC 需求疲弱，导致存储需求预估将呈现大幅减少，因此 2023 年全球半导体销售额预估将年减 10.3% 至 5,150.95 亿美元，其中存储销售额预估将暴减 35.2% 至 840.41 亿美元。

WSTS 预估，2024 年全球半导体销售额将年增 11.8% 至 5,759.97 亿美元，将超越 2022 年的 5,740.84 亿美元，创下历史新高纪录，其中，存储销售额预估将暴增 43.2% 至 1,203.26 亿美元。

6 月份 NAND 市场将发生转变

据业内人士透露，三星电子已经通知模块客户，将提高 NAND 晶圆的官方报价。此外，如果消费电子市场需求在下半年改善，NAND 晶圆合约报价有望企稳。之前三星和 SK 海力士已在寻求将 NAND 闪存价格提高 3%-5%，并表示 NAND 闪存的价格已降至可变成本以下，一些品牌 SSD 价格已接近 HDD 价格。

另据 TrendForce 调查报告显示，5 月起美、韩系厂商大幅减产后，已见到部分供应商开始调高 NAND 晶圆报价，对于中国市场报价均已略高于 3-4 月成交价。

TrendForce 预测，NAND 闪存价格将从今年第三季度开始上涨，预计涨幅约为 0-5%。预计 2023 年第四季度价格增长率将进一步扩大到 8%-13%。然而，对于固态硬盘、eMMC 和 UFS 等产品，仍然需要促销活动来清理库存，目前没有价格上涨的迹象。

相较其他买方，中国模组厂持续建立低价库存的意愿较强，因此目前对原厂小幅调涨晶圆报价的接受度高，有分析师认为部分容量晶圆价格在中国市场将会率先止跌翻涨。若其他市场也出现接受价格合理调涨，原厂上调晶圆报价的趋势将获得有效支撑，使得买方采购策略转趋积极，进一步支撑后续晶圆价格上涨。

今年 6 月 7 日，SK 海力士宣布已开始大规模生产其 238 层 NAND 存储设备，有望实现高性能和高容量的固态硬盘。新芯片拥有 2400MT/s 的数据传输速率，可用于驱动下一代最佳固态硬盘，高速型号将采用 PCIe5.0x4 接口，并提供 12GB/s 或更高的顺序读/写速度。该公司首款 238 层 3D NAND 器件是一款 512Gb(64GB) 的 3D TLC 设备，与该公司 176 层 3D NAND 节点上制造的可比设备相比，制造效率高出 34%。SK 海力士计划首先在智能手机上使用这种新的 238 层内存，然后在其他产品组合中推广使用。