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台积电下周举行3纳米量产典礼 台媒称宣示深耕台湾决心

作者:时间:2022-12-26来源:网易科技收藏

日前,发出活动通知,预计12月29日在台南科学园区的晶圆18厂新建工程基地,举行3纳米量产暨扩厂典礼,届时将有上梁仪式。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202212/442072.htm

业界认为,由于过往先进制程量产罕有举办实体活动,此举意义重大。据台湾地区媒体经济日报报道,扩大美国投资,外派工程师赴美支援,引发“去台化”、掏空台湾疑虑,即将举行的3纳米量产暨扩厂典礼,罕见以实际行动宣示持续深耕台湾的决心,化解外界疑虑。

报道指出,相较于对手三星(Samsung)于今年6月30日抢先宣布3纳米GAA技术量产,并于7月25日在京畿道华城厂区内盛大举行3纳米GAA晶片产品出厂纪念活动,台积电3纳米量产时间晚了近半年。

此前,台积电总裁魏哲家曾表示,3纳米技术发展很困难,有许多客户踊跃合作,台积电3纳米沿用FinFET架构,是经过考虑良久,制程技术推出不是好看、要实用,要协助客户让产品持续推进。

相较于5纳米,台积电3纳米制程技术的逻辑密度将增加70%,在相同功耗下速度提升10%至15%,在相同速度下功耗降低25%至30%。预计苹果及英特尔等客户都将采用台积电3纳米制程。

据了解,台积电的南科晶圆18厂是5纳米及3纳米的生产基地,其中,晶圆18厂5期至9期厂房是3纳米生产基地。

台积电美国亚利桑那州厂第1期工程,预计2024年量产4纳米;第2期工程开始兴建,预计2026年生产3纳米制程,两期工程总投资金额约400亿美元,两期工程完工后合计将年产超过60万片晶圆。

对于赴美投资引发的“去台化”、掏空台湾疑虑,魏哲家在日前参加活动中的演讲时以“门都没有”回应。他说,半导体产业用的是脑力,在大部分国家都有工程师不足情况;不是工厂搬到哪个地方,那个地方就会发展茂盛,“门都没有”。



关键词: 台积电 3nm

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