SEMICON China | 探讨热点与前沿技术 ，功率及化合物半导体论坛2022圆满举办

11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半导体国际论坛2022”在上海国际会议中心成功举办。共有19位来自功率及化合物半导体产业链领先企业的讲师亲临现场做报告分享。此次论坛重点讨论的主题包括：开幕演讲，化合物半导体与光电及通讯，宽禁带半导体及新型功率器件。

SEMI全球副总裁、中国区总裁居龙先生为此次论坛致欢迎词。居龙表示：“在大家的支持下，功率及化合物半导体国际论坛从2016年开始首办，今年已经是第七届。在严格遵守防疫规定的前提下，希望大家能在SEMI的平台上充分交流。不经历风雨，怎么能见彩虹。险境岂不益坚，不坠青云之志！产业目前虽然经历了风雨，但前景依然向好。预计到2030年半导体产业会突破一万亿美元。而化合物半导体、第三代半导体是引领产业发展的新动力，在新能源汽车等各种各样新的应用上的机会非常大。预祝今天论坛取得重大成功，再次感谢大家参会。”

苏州能讯总裁张乃千就《Extending The Frontiers of GaN RF Technology》做了主题演讲。GaN 是 Sub-6GHz 基础设施的主导技术；GaN在毫米波、小型蜂窝、射频领域蓬勃发展，GaN是智能手机、6G通信、互联网最有希望的候选者之一。能讯通过强大的IP组合和质量保证为营销提供一流的技术匹配，为 5G 基础设施、工业、科学、医疗等提供创新、一致的产品和解决方案。

广东芯聚能总裁周晓阳分享了《碳化硅助力新能源汽车发展》的主题演讲。新能源汽车是 SiC功率器件的主要应用场景，在主驱逆变器、OBC、以及直流充电桩模块中，SiC MOSFET 有望对 Si IGBT 加速替代。目前功率器件寿命可靠性薄弱点主要是铝线键合工艺，有压银烧结可有效提高器件导热效率，同时稳定的连接界面也可以实现更高寿命可靠性。

江南大学教授敖金平探讨了《氮化镓射频功率器件的研究与应用》。GaN是可以兼顾功率、耐压和速度的半导体, 氮化镓射频功率放大器是移动通信基站（5G和6G）通信时代的核心器件。已开发出sub-6G，5W和10W的射频功放器件，计划在2022年将射频器件工作频率提高至28GHz。

中科汉韵董事长袁述带来了《碳化硅产业发展机遇和挑战》的主题演讲。随着电动汽车电压从400V转为800V，汽车制造商对SiC MOSFET的需求将增加，而进口SiC MOSFET供不应求且价格昂贵。SiC MOSFET可靠性和稳定性最终都是与接口状态和近界面氧化物电荷结构设计、工艺设计和过程控制至关重要。本次演讲介绍了SiC MOSFETs的应用、市场机会和市场挑战。

百识电子总经理宣融探讨了《碳化硅外延与晶圆制造技术》。他指出，碳化硅是国内功率器件重要的起飞赛道，主要应用于新能源汽车/光伏逆变器芯片等等 。量产制造是碳化硅芯片加速渗透应用市场的重要关键，碳化硅外延片的厚度、浓度缺陷将直接影响到芯片的良率稳定性。本次演讲介绍了碳化硅应用前景、供应链现况、外延片量产工艺与芯片良率，为碳化硅芯片国产化尽份心力。

常州臻晶董事长陆敏深入剖析了《液相法碳化硅长晶技术》。液相法是碳化硅长晶三大技术之一，比起PVT和HTCVD，液相法具有扩径容易、Al掺杂容易、长晶速度大、良率高的优势。液相法在中国、日本、韩国均有不同程度的进展，陆博士分析认为液相法的产业化将对行业带来的诸多钜惠冲击。

博世中国区汽车电⼦战略部负责⼈Sebastian Mueller分享了《博世半导体赋能汽车电动化发展》。由SiC制成的微芯片以较低的损耗切换高电流，从而为电子移动性提供更多优势。SiC可用于NEV逆变器、OBC、DC/DC和充电桩，并为未来的800V NEV系统趋势带来比当前主流400V系统更多的优势。博世SiC的核心优势在于：汽车级可靠性、内部6英寸和8英寸制造厂生产、核心IP及专有技术。

青岛四方思锐智能销售总监叶惟解析了《ALD在功率化合物半导体领域的技术新突破》。与大多数功率及化合物半导体器件相关的核心挑战，皆与表面缺陷和高质量共形电介质栅极以及表面钝化层的沉积有关。原子层沉积（ALD）工艺由于沉积膜的致密、共形和无针孔特性，在解决此类制造挑战方面具有独特的优势，从而ALD技术广泛应用于功率及化合物半导体制造。

Thermo Fisher Scientific市场及业务拓展资深经理曹潇潇在《利用电学及物性分析对SiC及GaN器件的性能及良率提升》的演讲中提出，“摩尔定律”技术通常要求更高的功率效率操作频率和更严格的设备环境，这对传统的硅基技术提出了越来越大的挑战。消除或减少外延生长期间的晶体缺陷是提高器件产率和可靠性的关键。

应用材料ICAPS副总裁兼总经理原铮就《PPACt赋能下一代功率电子》发表演讲。作为材料工程解决方案的领导者，应用材料公司领先的技术和产品组合能够帮助客户加速推进‘新战略’，提高芯片的功率（Power）、性能（Performance），降低面积成本（Area-Cost）和上市时间（Time-to-market），即：业内经常会提到的PPACt，以释放物联网、大数据和人工智能的潜力。

宜普电源转换公司胡琛围绕《氮化镓（GaN）集成电路可以实现更高的功率和更快的速度 — 探讨GaN集成电路的进程和路线图》展开演讲。本次演讲介绍了eGaN®FET Plus 驱动器的集成，eGaN功率级集成等。GaN集成的优势在于可以提高效率，降低EMI，降低组件数，缩短设计时间以及降低成本等。

北方华创副总裁兼CVD事业部总经理董博宇通过探讨《碳化硅产业装备解决方案》提出，SiC器件的优势主要体现在高功率、高压、高频、高温等应用领域，其在新能源、汽车电子、轨道交通、智能制造等方面具有重要意义。北方华创具备6寸4H-N型与4寸4H高纯半绝缘型SiC晶体生长工艺，晶体参数满足行业标准。北方华创在GaN装备领域布局广泛，各个装备在国内主流生产线实现规模应用，可以为客户提供全面的GaN产品解决方案。

中电科十三所的孙聂枫教授带来了《InP产业的新趋势和发展》的演讲。InP是一种战略性化合物半导体材料，是微电子领域100GHz以上频段的首选材料，同时也是激光器及光电集成电路等不可替代的核心材料。合成的工艺性强、难度大是InP材料价格居高不下的主要原因之一。中电科十三所自主研制了国际最大口径多功能高压单晶炉，开创了双管注入合成技术，实现了国际上合成速度最快、合成量最大、纯度最高的InP多晶。

AIXTRON中国区副总经理方子文就《化合物半导体外延量产技术》展开讨论。宽带隙渗透加速的实现，以及汽车电气化和电动汽车对碳化硅的需求，使氮化镓和碳化硅的市场增长正在持续发生，AIXTRON间歇式反应器技术，可以满足所有传统和新的生产提升要求，以强大的提升能力满足未来几年的市场需求。

KLA Corporation产品应用经理蔡晓林就《提高汽车芯片的可靠性》展开论述。半导体器件已成为当今汽车市场的关键部件。对于车辆的安全性和功能性而言，芯片的可靠性至关重要。零缺陷和拥有比汽车更持久的使用寿命，成为了汽车芯片必须突破的关卡。

天岳先进营销总监李宛曈阐述了《宽禁带半导体产业现状与未来展望》。以碳化硅为代表的新一代宽禁带半导体材料具有耐高温、抗高压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点，近年来其发展开始受到重视，国内外相关企业纷纷投入到宽禁带半导体材料的研发和产业化中。本次演讲通过材料特性、应用领域、市场容量、未来展望四个方面，详细分析了宽禁带半导体材料的发展现状与未来前景。

SPTS Technologies技术支持经理陈怡骏围绕《功率应用中SiC器件的等离子体蚀刻和沉积工艺》发表演讲。电压范围650V（电动汽车、太阳能逆变器）到几千伏（轨道和风力涡轮机）。预计到2027年，电动汽车的碳化硅将达到50亿美元。随着对高压操作设备的不断增长的需求，特别是电动汽车的增长，已经导致越来越多的SiC和GaN基功率设备的采用。尽管来自硅基功率器件的持续竞争，但高效率、耐恶劣环境和快速开关时间使SiC MOSFET成为电力牵引的理想选择。

Axcelis Technologies产品应用总监赵洪辰在《通过创新的离子注入解决方案助力功率和化合物半导体器件大规模量产》的演讲中提到，随着强劲的需求推动制造量的增加，SiC器件的制造最终过渡到真正的大批量制造（类似于80年代至90年代的Si过渡）。Axcelis为解决传统瓶颈而推出的新型高生产率工具组合（尤其是大电流和高能注入机）有助于实现SiC生产向真正的大批量生产的转变。

安徽芯塔电子的应用技术总监李冬黎分析了《国产碳化硅功率器件和产业链在新能源时代下的机遇》。在全球石化能源危机，及碳达峰与碳中和的双碳战略下，新型高功率、高效率和高频率功率器件迎来巨大的市场需求和产业使命，以碳化硅为代表的第三代半导体功率器件在新能源发电、储能和新能源汽车等新兴领域发挥着越来越重要的作用。