意法半导体（ST）是一家拥有非常广泛产品组合的半导体公司，尤其汽车更是ST非常重视的市场之一。 意法半导体车用和离散组件产品部策略业务开发负责人Luca SARICA指出，2022年车用和离散组件产品部（ADG）占了ST总营收的30%以上。ST在2021年的营收达到43.5亿美元，而若与2022年相比，车用产品部门与功率和离散组件部门的营收增幅都相当显著，达30%以上。车用和离散组件产品部拥有意法半导体大部分的车用产品，非常全面性的产品组合能够支持汽车的所有应用。 图一 : ADG营运策略ADG
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汽车 ST 碳化硅
英飞凌科技与其碳化硅 (SiC) 供货商扩展合作关系，宣布与 Resonac (前身为昭和电工) 签订多年期供应及合作协议，以补充并扩展双方在 2021年的协议。新合约将深化双方在 SiC 材料的长期合作，根据合约内容，Resonac将供应英飞凌未来10年预估需求量中双位数份额的SiC半导体。 英飞凌工业电源控制事业部总裁 Peter WawerResonac将先供应6吋的SiC晶圆，并将于合约期间支持过渡至 8 吋晶圆，英飞凌亦将提供 Resonac 关于 SiC 材料技术的智财 (IP)。双
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英飞凌 Resonac 碳化硅
SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大。其中一个主要原因是与以前的功率半导体相比，SiC MOSFET 使得高速开关动作成为可能。但是，由于开关的时候电压和电流的急剧变化，器件的封装电感和周边电路的布线电感影响变得无法忽视，导致漏极源极之间会有很大的电压尖峰。这个尖峰不可以超过使用的MOSFET 的最大规格，那就必须抑制尖峰。MOS_DS电压尖峰产生的原因在半桥电路中，针对MOS漏极和源极产生的尖峰抑制
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Arrow 碳化硅 MOSFET
2023年1月4日 — 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布将其碳化硅(SiC)系列命名为“EliteSiC”。在本周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，安森美将展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能，并突显安森美在工业碳化硅方案领域的领导者地位。安森美的1700 V EliteSiC M
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安森美 EliteSiC 碳化硅
近些年来，电子产业迎来巨大变革，突如其来的疫情引发了产业结构和供应链的重大调整，对于很多半导体企业来说，管理层需要顺应技术发展的趋势进行企业战略方向的调整，安森美在过去的两年间通过成功的转型之旅，实现了业绩和利润的双丰收。在转型路上公司又有哪些关键技术和策略的调整呢？带着这些问题本刊记者采访了安森美CEO Hassane El-Khoury。两大技术支柱的创新支持和打造可持续发展的生态系统，这是驱动安森美投资的主要动力，也是企业职责所在。一切的核心都是要打造强大的生态系统，从可再生能源的存储、工厂的自动化
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近日消息，从东风汽车官方获悉，东风碳化硅功率模块项目课题已经顺利完成，将于2023年搭载东风自主新能源乘用车，实现量产。IGBT行业的门槛非常高，除了芯片的设计和生产，IGBT模块封装测试的开发和生产等环节同样有着非常高的技术要求和工艺要求，作为IGBT模块的升级产品、第三代半导体，碳化硅功率模块有着更低损耗、更高效率、更耐高温和高电压的特性。该模块能推动新能源汽车电气架构从400V到800V的迭代，从而实现10分钟充电80%，并进一步提升车辆续航里程，降低整车成本。同时，总投资2.8亿元的功率模块二期项
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IT之家 12 月 12 日消息，国星光电研究院基于宽禁带半导体碳化硅技术，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模块新品”，可应用于传统工控、储能逆变、UPS、充电桩、轨道交通和其他功率变换领域。面向储能逆变器市场，国星光电 NS62m 功率模块新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模块的电流密度以及开关频率，降低了开关损耗和导通损耗，减少了无源器件的使用和冷却装置的尺寸，最终达到降低系统成本、提升系统效率的目的。国星光电 NS62m 功率模块采用标准型封装，半桥拓扑
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国星光电 碳化硅 NS62m MOSFET
2022年12月5日，英国伦敦、美国北卡罗来纳州达勒姆市与中国上海市讯 — 全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc.（NYSE: WOLF）宣布为捷豹 TCS 车队近日重磅发布的捷豹 I-TYPE 6 赛车提供功率半导体技术和产品的全方位支持。全新I-TYPE 6赛车专为 2023 年度 ABB 国际汽联电动方程式世界锦标赛 Formula E（以下简称：Formula E）设计、研发打造，标志着 Formula E 赛事正式迈入第三代（Gen3）赛车新时代。
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据日本共同社日前报道， 日本电子零部件巨头罗姆（ROHM）将于今年12月量产下一代功率半导体，以碳化硅（SiC）为原材料。据悉，罗姆花费约20年推进研发碳化硅半导体。新一代半导体可让可提高机器运转的用电效率， 若装在纯电动汽车上，续航里程可提升一成，电池体积也可更小。据悉，罗姆将在福冈县筑后市工厂今年开设的碳化硅功率半导体专用厂房实施量产，还计划为增产投资最多2200亿日元（约合人民币114亿元），并将2025年度的碳化硅销售额上调至1100亿日元。公开资料显示， 碳化硅具备
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目前影响着车辆运输和半导体技术的未来有两大因素。业界正在采用令人振奋的新方法，即以洁净的能源驱动我们的汽车，同时重新设计支撑电动车（EV）子系统的半导体材料，大幅提升功效比，进而增加电动车的行驶里程。政府监管机构持续要求汽车OEM减少其车系的整体二氧化碳排放量，对于违规行为给予严厉的处罚，同时开始沿着道路和停车区域增设电动车充电基础设施。但是，尽管取得了这些进展，主流消费者仍然对电动车的行驶里程存有疑虑，使电动车的推广受到阻力。更复杂的是，大尺寸的电动车电池虽然可以增加其行驶里程，缓解消费者关于行驶里程的
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2022年11月16日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布梅赛德斯-奔驰在其主驱逆变器中采用安森美的碳化硅（以下简称“SiC”）技术，这是两家公司战略合作的一部分。安森美的VE-Trac SiC模块提高了梅赛德斯-奔驰纯电动汽车VISION EQXX主驱逆变器的能效并减轻了其重量，使电动汽车的续航里程增加10%。这款电动汽车完成了从德国斯图加特到英国银石的1,202公里（747英里）旅程，保持了单次充电后最远的行驶距离记录。VISION EQXX在电动车
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本文分析了目前不间断电源（UPS）在互联网数据中心中的应用和发展趋势。对目前热门的碳化硅材料和英飞凌碳化硅技术做了介绍，并着重说明了碳化硅器件在UPS应用中的优势。分析给出了目前UPS常用拓扑及方案，最后基于50 kW的逆变部分做了各方案的损耗分析。1.引 言互联网数据中心(Internet Data Center,IDC),是集中计算和存储数据的场所，是为了满足互联网业务以及信息服务需求而构建的应用基础设施。受新基建、数字经济等国家政策影响以及新一代信息技术发展的驱动，我国数据中心市场规模增长迅猛。随着
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2022年11月14日，美国北卡罗来纳州达勒姆市、加利福尼亚州洛杉矶市与中国上海市讯 -- 全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布，电动交通电池管理和充电技术的全球引领者 AMP 公司将在其电动交通能量管理单元中采用 Wolfspeed E-系列碳化硅 MOSFET。通过采用 Wolfspeed 创新型碳化硅技术，将助力 AMP 优化电池性能、充电和成本。 AMP 公司硬件工程副总裁 Jia
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中国北京 – 2022 年 11 月 8 日–移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）与半导体晶圆制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，双方已签署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供应协议。此次合作将提高半导体供应链的弹性，并更好地满足汽车市场对先进碳化硅解决方案迅速增长的需求。随着客户采用 Qorvo 业界领先的第 4 代 SiC FET 解决方案，该协议还会为他们提供更好的保护并增强其信心。SiC 器件
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Qorvo SK Siltron CSS 碳化硅
11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半导体国际论坛2022”在上海国际会议中心成功举办。共有19位来自功率及化合物半导体产业链领先企业的讲师亲临现场做报告分享。此次论坛重点讨论的主题包括：开幕演讲，化合物半导体与光电及通讯，宽禁带半导体及新型功率器件。SEMI全球副总裁、中国区总裁居龙先生为此次论坛致欢迎词。居龙表示：“在大家的支持下，功率及化合物半导体国际论坛从2016年开始首办，今年已经是第七届。在严格遵守防疫规定的前提下，希望大家能在SEMI的平台上充分交流。不经历风雨，怎么能
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碳化硅 氮化镓 InP
碳化硅介绍
碳化硅（SiC）为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600至2500°C高温加热。
发现
爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物，并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉，至今此技术仍为众人使用中。
性质
碳化硅至少有70种 [
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