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碳化硅 文章

三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造,贯通碳化硅器件产品线

  • 中国化合物半导体全产业链制造平台 --  三安集成于日前宣布,已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试,其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域,有助于减小系统体积,降低系统功耗,提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET随着中
  • 关键字: 三安集成  碳化硅  MOSFET  

新基建到来,长沙链式布局抢占碳化硅未来

  • 一张光盘大小的形状、厚度仅0.5毫米的SiC(碳化硅)单晶衬底,却能解决“卡脖子”问题——今年,随着新基建风口的兴起,碳化硅的发展迎来新时代,基于碳化硅研发的电子元器件正更多地推广到车用电子、5G系统和电源系统中。作为第三代半导体材料,碳化硅已是各国抢占的战略性新兴产业。近年来,长沙大力布局碳化硅全产业链,先后引进了湖南天岳和长沙三安等重要企业,链式发展初具成效。碳化硅应用市场前景广阔碳化硅是碳和硅的化合物,在各方面的优势“完爆”半导体基础材料硅。由于碳化硅能够提供较高的电流密度,常被用来制作功率半导体的
  • 关键字: 碳化硅  

“新一轮产业升级,全球进入第三代半导体时代“

  • 随着物联网,大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展,对半导体器件的需求日益增长,对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。以碳化硅为代表的第三代半导体开始逐渐受到市场的重视,国际上已形成完整的覆盖材料,器件,模块和应用等环节的产业链。全球新一轮的产业升级已经开始,正在逐渐进入第三代半导体时代。 碳化硅,作为发展的最成熟的第三代半导体材料,其宽禁带,高临界击穿电场等优势,是制造高压高温功率半导体器件的优质半导体材料。已在智能电网,轨道交通,新能源,开关电源等领域得到了应用,展现出了优良的性质和广阔的
  • 关键字: 碳化硅,半导体  

安森美全面布局碳化硅市场:汽车、新能源、5G

  • 目前,碳化硅市场正处于快速增长中,根据各大咨询机构统计,碳化硅在电源的功率因数校正(PFC)、太阳能逆变器、光伏逆变器、不间断电源、5G、通信电源、高频开关电源等领域都拥有非常广阔的市场。与传统硅材料相比,新一代的宽禁带半导体材料碳化硅可提供高场强、高能隙,以及高电子移动速度和热导率,让下一代半导体器件的性能得到革命性提升。
  • 关键字: 安森美  SiC  碳化硅  

减少开关损耗:儒卓力提供来自罗姆的节能SiC-MOSFET

  • 罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款,与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比,可最大限度地提高开关性能,并将开关损耗降低多达35%。SiC-MOSFET特别适合在服务器电源、UPS系统、太阳能逆变器和新能源汽车充电站中的节能使用。通过使用TO-247-4L封装,驱动器和电流源引脚得以分离,从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。这有助于显着降低功耗,对于必须提供不间断电源的高性能应
  • 关键字: MOSFET  碳化硅  UPS  

英飞凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和应用分析

  • 2020年2月,碳化硅的领导厂商之一英飞凌祭出了650V CoolSiC™ MOSFET,带来了高性能和高功效。它是如何定义性能和应用场景的?下一步产品计划如何?碳化硅业的难点在哪里?为此,电子产品世界等媒体视频采访了英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈清源先生。英飞凌科技 电源与传感系统事业部大中华区 开关电源应用高级市场经理 陈清源据悉,此次英飞凌推出了8款650V CoolSiC™ MOSFET产品,采用2种插件TO-247封装,既可采用典型的TO-247 三引脚封装,也
  • 关键字: MOSEFT  碳化硅  SMD  

碳化硅发展势头旺,英飞凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

  • 王  莹  (《电子产品世界》编辑)近期,多家公司发布了碳化硅 (SiC)方面的新产品。作为新兴 的第三代半导体材料之一,碳化硅 具备哪些优势,现在的发展程度 如何?不久前,碳化硅的先驱英飞凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC™ MOSFET ,值此机会,电子产品世 界访问了英飞凌电源与传感系统事 业部大中华区开关电源应用高级市 场经理陈清源先生。 碳化硅与氮化镓、硅材料的关系 碳化硅MOSFET是一种新器 件,使一些以前硅材料很难被应用 的电源转换结构,例如电流连续模 式
  • 关键字: 202004  碳化硅  CoolSiC™ MOSFET  

GT Advanced Technologies和安森美半导体 签署生产和供应碳化硅材料的协议

  • GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半导体(ON Semiconductor),宣布执行一项为期五年的协议,总价值可达5,000万美元。根据该协议,GTAT将向高能效创新的全球领袖之一的安森美半导体生产和供应CrystX?碳化硅(SiC)材料,用于高增长市场和应用。
  • 关键字: GT Advanced Technologies  安森美  碳化硅  

碳化硅(SiC)功率器件或在电动汽车领域一决胜负

  • 电力电子器件的发展历史大致可以分为三个大阶段:硅晶闸管(可控硅)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和刚显露头角的碳化硅(SiC)系列大功率半导体器件。碳化硅属于第三代半导体材料,与普通的硅材料相比,碳化硅的优势非常突出,它不仅克服了普通硅材料的某些缺点,在功耗上也有非常好的表现,因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为如此,已经有越来越多的半导体企业开始进入SiC市场。到2023年,SiC功率半导体市场预计将达到15亿美元。SiC器件的供应商包括Fuji、英飞凌、Littelfuse、三菱、安森
  • 关键字: 碳化硅、SiC、功率器件、电动汽车  

罗姆子公司SiCrystal和意法半导体宣布签署碳化硅晶圆长期供应协议

  • 近日,罗姆和横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;)宣布,意法半导体与罗姆集团旗下的SiCrystal公司签署一了份碳化硅(SiC)晶圆长期供应协议。SiCrystal为一家在欧洲SiC晶圆市场占有率领先的龙头企业。协议规定, SiCrystal将向意法半导体提供总价超过1.2亿美元的先进的150mm碳化硅晶片,满足时下市场对碳化硅功率器件日益增长的需求。意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示:“该SiC衬底长期供应协
  • 关键字: 碳化硅  晶圆  

环球晶圆:硅晶圆明年回温

  • 半导体硅晶圆大厂环球晶圆董事长徐秀兰日前表示,明年半导体景气仍受贸易摩擦、总体经济及汇率三大变数干扰,但从客户端库存改善、拉货动能加温,以及应用扩大等来看,硅晶圆产业已在本季落底,明年上半年整体景气动能升温速度优于预期,她预估环球晶圆明年首季与本季持平或略增,往后将会逐季成长。
  • 关键字: 环球晶圆  硅晶圆  碳化硅  

Maxim发布隔离式碳化硅栅极驱动器,提供业界最佳电源效率、有效延长系统运行时间

  • 近日,Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔离栅极驱动器,帮助高压/大功率系统设计者将电源效率提升4%,优于竞争产品;功耗和碳排放减少30%。驱动器IC优化用于工业通信系统的开关电源,典型应用包括太阳能电源逆变器、电机驱动、电动汽车、储能系统、不间断电源、数据农场及其他大功率/高效率电源等。目前,许多开关电源采用宽带隙碳化硅(SiC)晶体管来提高电源效率和晶体管可靠性。但是,高开关频率的瞬态特性会产生较大噪声,影响系统的正常工作或者需要额外的措施抑制干扰
  • 关键字: 碳化硅  栅极驱动器  

意法半导体完成对碳化硅晶圆厂商Norstel AB的并购

  • 近日, 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)于12月2日宣布,完成对瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB(“ Norstel”)的整体收购。在2019年2月宣布首次交易后,意法半导体行使期权,收购了剩余的45%股份。Norstel并购案总价为1.375亿美元,由现金支付。
  • 关键字: 意法半导体  碳化硅  Norstel AB  

科锐与ABB在汽车和工业领域展开SiC合作

  • 全球碳化硅(SiC)技术领先企业科锐与ABB电网事业部宣布达成合作,共同扩展SiC在快速增长大功率半导体市场的采用。协议内容包括在ABB种类齐全的产品组合中将采用科锐Wolfspeed SiC基半导体,这将助力科锐扩大客户基础,同时加快ABB进入正在快速扩大的电动汽车(EV)市场。
  • 关键字: 科锐  ABB  碳化硅  

北京经开区第三代半导体现新突破

  • 一辆新能源汽车、一组高能效服务器电源,核心功能的实现都离不开电力电子系统中半导体器件的支撑。碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的典型代表,具有低能耗、体积小、重量轻等特点,国际上都在竞相研发碳化硅半导体制备技术。近日,记者在区内企业世纪金光半导体有限公司(以下简称“世纪金光”)了解到,其研制成功了碳化硅6英寸单晶并实现小批量试产,研发的功率器件和模块也已大批量应用于新能源汽车、光伏、充电桩、高能效服务器电源、特种电源等领域,实现第三代半导体碳化硅关键领域全面布局。
  • 关键字: 第三代半导体  碳化硅  世纪金光  
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碳化硅介绍

碳化硅(SiC)为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。 制造 由于天然含量甚少,碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中,以1600至2500°C高温加热。 发现 爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物,并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉,至今此技术仍为众人使用中。 性质 碳化硅至少有70种 [ 查看详细 ]

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