碳化硅 文章
- 在现实世界中，没有人可以和“半导体”撇清关系。虽然这个概念听上去可能显得有些冰冷，但是你每天用的电脑，手机以及电视等等，都会用到半导体元件。半导体的重要性自不必说，今天我们来说一下半导体产业中一个很关键的组成部分，那就是半导体材料。
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碳化硅 氮化镓
- 11月4-7日，由中国电源学会与IEEE电力电子学会联合主办的第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会(IEEE PEAC
2018)在深圳隆重举行。基本半导体作为本次大会的金牌赞助商，重磅推出碳化硅MOSFET产品，反响热烈。 作为全球性的电力电子行业盛会，IEEE PEAC
2018可谓大咖云集，来自31个国家和地区的电力电子学术界和产业界的800余位代表参加了本次会议。大会主席、中国电源学会理事长徐德鸿教授主持开幕式并致开幕词，美国工程院院士、中国工程院外籍院士李泽元教授，中国工程院院
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基本半导体 碳化硅 第三代半导体
- 10月31日-11月2日，第92届中国电子展在上海新国际博览中心隆重举行。基本半导体亮相深圳坪山第三代半导体产业园展区，展示公司自主研发的碳化硅
MOSFET和碳化硅肖特基二极管等产品。 中国电子展是电子行业的年度盛会，集中展示电子元器件、集成电路、电子制造设备、测试测量、军民融合、物联网、汽车电子等产业，倾力打造从上游基础电子元器件到下游产品应用端的全产业链阵容。本次展会以“信息化带动工业化，电子技术促进产业升级”为主题，共有40000余名买家和专业观众观展，共同打造了一场电子行业年度盛会。
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基本半导体 碳化硅 第三代半导体
- 11月5日，在第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会期间，来自中国、日本和韩国的第三代半导体专家齐聚基本半导体，参加第三代半导体功率器件先进应用技术研讨会。 出席会议的嘉宾包括清华大学孙凯副教授和郑泽东副教授、上海交通大学马柯博士、华中科技大学蒋栋教授、长冈技术科学大学伊东淳一教授、东京都立大学和田圭二副教授、韩国亚洲大学Kyo-Beum
Lee教授、奥尔堡大学王雄飞博士和杨永恒博士等多所知名高校的专家学者和基本半导体研发团队。与会嘉宾分享了各自在第三代半导体功率器件领域的最新研究主题和方向，
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- 近日，从深圳市人力资源和社会保障局传来喜讯，基本半导体凭借在人才引进方面的突出成果，获评“2018年度深圳市人才伯乐奖”。 深圳市人才伯乐奖是由深圳市政府设立，旨在鼓励企事业单位、人才中介组织等引进和举荐人才，以增强企业科技创新能力，提升城市核心竞争力。每年市政府通过评选伯乐奖对在本市人才培养、引进过程中作出贡献的单位及个人给予表彰和奖励。 基本半导体是第三代半导体领域的高新技术企业，从创立之初就非常重视人才的引进和培养。作为一家由海归博士创立的公司，基本半导体依托广泛的海外资源，成功引进了来自英
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基本半导体 碳化硅 第三代半导体
- 第三代半导体材料技术正在成为抢占下一代信息技术、节能减排及国防安全制高点的最佳途径之一，是战略性新兴产业的重要组成内容。
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- 高温与长寿命半导体解决方案领先供应商CISSOID和中国碳化硅(SiC)功率器件产业化倡导者泰科天润半导体科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：双方已达成战略合作伙伴关系，将共同开展研发项目，推动碳化硅功率器件在工业各领域尤其是新能源汽车领域实现广泛应用。 CISSOID和泰科天润签署战略合作协议 泰科天润是中国首家第三代半导体材料碳化硅器件制造与应用解决方案提供商，既是碳化硅芯片的龙头企业，也是支撑高端制造业的新兴力量。CISSOID公司来自比利时，是高温半导体解决方案的领导者，专为极端温
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CISSOID 碳化硅
- LinkedIn随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。 这些新组件虽然
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碳化硅 氮化镓
- 4月9日上午，国家集成电路产业投资基金总裁丁文武一行莅临基本半导体考察调研。 基本半导体董事长汪之涵博士向丁文武介绍了公司自主研发的碳化硅功率器件产品，包括性能达到国际一流水平的碳化硅JBS二极管和MOSFET三极管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圆片。 随后丁文武一行听取了基本半导体总经理和巍巍博士对公司发展情况的汇报。丁文武对基本半导体的技术创新和战略定位予以充分肯定，并鼓励公司团队再接再厉，立足创新驱动，不断发展壮大，成为中国第三代半导体产业的领军企业。 国家集成电路产业投资基金是为促进集
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- 虽然碳化硅有成本方面的问题，但是其众所周知的在各个高端应用中所表现出的高性能也能够弥补其在价格方面的短板，尤其是在电动车与再生能源越来越受到重视，将为中功率、高功率应用领域带来大量需求。氮化镓技术能够降低成本，又能够保持半导体器件的优越性能，在中、低功率应用领域具备拥有巨大潜力。但也并不是说将来所有的功率器件都会被碳化硅替代，我们认为碳化硅和现存的IGBT或MOSFET都能在其有优势的领域中共同发挥所长，共生共栖。
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- 3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟、基本半导体和南方科技大学等单位发起共建的深圳第三代半导体研究院在五洲宾馆宣布正式启动。深圳第三代半导体研究院的成立具有里程碑意义，将对中国乃至全球第三代半导体产业发展产生深远影响。 科技部原副部长、第三代半导体产业技术创新战略联盟决策委员会主任、深圳第三代半导体研究院理事长曹健林，广东省委常委、深圳市委书记王伟中，深圳市委副书记、市长陈如桂，科技部高新司原司长、第三代半导体产业技术创新战略联盟决策委员会副主任、深圳第三代半
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- 碳化硅电力电子器件的发展现状分析-SiC电力电子器件中，SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品，美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。
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碳化硅
- 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。c科技股份公司开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上，英飞凌展出了1200 V CoolSiC™ MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今，英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。 英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已达到转折点，考虑到成本效益，它
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英飞凌 碳化硅
- 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上，英飞凌展出了1200 V CoolSiC™ MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今，英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。 英飞凌工业功率控
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- 三菱电机于6月27至29日在上海世博展览馆举行的PCIM Asia 2017(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)展会中，以十款新型功率器件强势登场，其中第7代IGBT模块更首次作全电压、全封装及全系列展出(三菱电机展位号：E06)。 三菱电机以“创新功率器件构建可持续未来”为主题，今年展出的功率器件应用范围跨越五大领域，包括：变频家电、铁道牵引及电力传输、电动汽车、工业应用和新能源发电，致力为客户提供高性能及低损耗的产品。 变频家电市场 在变频家电应用方面，三菱电机展出
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三菱电机 碳化硅
碳化硅介绍
碳化硅（SiC）为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600至2500°C高温加热。
发现
爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物，并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉，至今此技术仍为众人使用中。
性质
碳化硅至少有70种 [
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