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EEPW首页 >> 主题列表 >> 碳化硅

碳化硅 文章

图腾柱 PFC 级受益于CoolSiC™ MOSFET

  • 无桥式图腾柱功率因数校正(PFC) 级可用于满足严格的效率标准,但使用硅 MOSFET 时出现的较高损耗是不可接受的,而解决方案则是使用宽带隙碳化硅(SiC)器件。本文将讨论能够实现这些改进的 SiC器件性能参数。
  • 关键字: 碳化硅  图腾柱 PFC  体二极管  恢复  电荷  效率  损耗  输出电容  

意法半导体收购Norstel AB 强化碳化硅产业供应链

  • 近年随着电动汽车产业崛起,碳化硅(SiC)功率半导体市场需求激增,吸引产业链相关企业的关注,国际间碳化硅(SiC)晶圆的开发驱使SiC争夺战正一触即发。与硅(Si)相比,碳化硅是具有比硅更宽的能带隙(energy bandgap,Eg)的半导体;再者,碳化硅具有更高的击穿电场 (breakdown electric field,Ec),因此可被用于制造功率组件应用之电子电路的材料,因为用碳化硅制成的芯片即使厚度相对小也能够经受得起相对高的电压。表一分别示出了硅和碳化硅的能带隙(Eg)、击穿电场(Ec)和电
  • 关键字: 意法半导体  Norstel AB  碳化硅  SiC  

罗姆为电动汽车充电桩打造高效解决方案

  • 引言全球能源短缺和大气污染问题日益严峻,汽车产业绿色低碳发展已成为降低全社会碳排放、增强国家竞争力的有效手段。作为领先的功率半导体厂商之一,罗姆一直致力于技术创新,研发各种高效、高品质的功率器件,为大功率智能充电站提供安全可靠的解决方案,在支持绿色出行的同时助力全面低碳社会的可持续发展。缩短充电时间的高输出挑战对电动汽车车主来说,缩短充电时间是非常重要的诉求,而大功率充电是其中关键的支撑技术。提升续航距离需要増加电池容量,为缩短充电时间,需要高输出能力的充电桩,如360kW的充电桩要搭载9个40kW的电源
  • 关键字: 充电桩  碳化硅  

意法半导体制造首批8吋碳化硅晶圆

  • 意法半导体(STMicroelectronics)宣布,ST瑞典Norrkoping工厂制造出首批8吋(200mm)碳化硅(SiC)晶圆,这些晶圆将用于生产下一代功率电子芯片产品原型。将SiC晶圆升级到8吋代表着ST针对汽车和工业客户的扩产计划获得重要阶段性的成功,其巩固了ST在此一开创性技术领域的领导地位,且提升了功率电子芯片的轻量化和效能,降低客户获取这些产品的拥有总成本。 意法半导体制造首批8吋碳化硅晶圆意法半导体首批8吋SiC晶圆质量十分优良,对于芯片良率和晶体位错误之缺陷非常低。其低缺
  • 关键字: 意法半导体  碳化硅  

碳化硅基板及磊晶成长领域 环球晶布局掌握关键技术

  • 由于5G、电动车、高频无线通信及国防航天等新兴科技趋势的兴起,产业对于高频率、低耗损的表现需求日益增加,如何在高温、高频率及高电压等恶劣环境作业下损失较少功率的化合物半导体材料,备受产业期待。而基于碳化硅(SiC)芯片制作宽能隙半导体的器件,能够满足传统硅基半导体所不能满足的诸多优点。放眼全球化合物半导体大厂,碳化硅(SiC)晶圆的供应以美国大厂Cree为首,是具有上下游整合制造能力的整合组件制造商(IDM),在碳化硅之全球市占率高达六至七成。磊晶厂则以美国的II-VI Incorporated为代表;模
  • 关键字: 碳化硅  宽能隙半导体  

三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造,贯通碳化硅器件产品线

  • 中国化合物半导体全产业链制造平台 --  三安集成于日前宣布,已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试,其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域,有助于减小系统体积,降低系统功耗,提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET随着中
  • 关键字: 三安集成  碳化硅  MOSFET  

“新一轮产业升级,全球进入第三代半导体时代“

  • 随着物联网,大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展,对半导体器件的需求日益增长,对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。以碳化硅为代表的第三代半导体开始逐渐受到市场的重视,国际上已形成完整的覆盖材料,器件,模块和应用等环节的产业链。全球新一轮的产业升级已经开始,正在逐渐进入第三代半导体时代。 碳化硅,作为发展的最成熟的第三代半导体材料,其宽禁带,高临界击穿电场等优势,是制造高压高温功率半导体器件的优质半导体材料。已在智能电网,轨道交通,新能源,开关电源等领域得到了应用,展现出了优良的性质和广阔的
  • 关键字: 碳化硅,半导体  

安森美全面布局碳化硅市场:汽车、新能源、5G

  • 目前,碳化硅市场正处于快速增长中,根据各大咨询机构统计,碳化硅在电源的功率因数校正(PFC)、太阳能逆变器、光伏逆变器、不间断电源、5G、通信电源、高频开关电源等领域都拥有非常广阔的市场。与传统硅材料相比,新一代的宽禁带半导体材料碳化硅可提供高场强、高能隙,以及高电子移动速度和热导率,让下一代半导体器件的性能得到革命性提升。
  • 关键字: 安森美  SiC  碳化硅  

减少开关损耗:儒卓力提供来自罗姆的节能SiC-MOSFET

  • 罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款,与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比,可最大限度地提高开关性能,并将开关损耗降低多达35%。SiC-MOSFET特别适合在服务器电源、UPS系统、太阳能逆变器和新能源汽车充电站中的节能使用。通过使用TO-247-4L封装,驱动器和电流源引脚得以分离,从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。这有助于显着降低功耗,对于必须提供不间断电源的高性能应
  • 关键字: MOSFET  碳化硅  UPS  

英飞凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和应用分析

  • 2020年2月,碳化硅的领导厂商之一英飞凌祭出了650V CoolSiC™ MOSFET,带来了高性能和高功效。它是如何定义性能和应用场景的?下一步产品计划如何?碳化硅业的难点在哪里?为此,电子产品世界等媒体视频采访了英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈清源先生。英飞凌科技 电源与传感系统事业部大中华区 开关电源应用高级市场经理 陈清源据悉,此次英飞凌推出了8款650V CoolSiC™ MOSFET产品,采用2种插件TO-247封装,既可采用典型的TO-247 三引脚封装,也
  • 关键字: MOSEFT  碳化硅  SMD  

碳化硅发展势头旺,英飞凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

  • 王  莹  (《电子产品世界》编辑)近期,多家公司发布了碳化硅 (SiC)方面的新产品。作为新兴 的第三代半导体材料之一,碳化硅 具备哪些优势,现在的发展程度 如何?不久前,碳化硅的先驱英飞凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC™ MOSFET ,值此机会,电子产品世 界访问了英飞凌电源与传感系统事 业部大中华区开关电源应用高级市 场经理陈清源先生。 碳化硅与氮化镓、硅材料的关系 碳化硅MOSFET是一种新器 件,使一些以前硅材料很难被应用 的电源转换结构,例如电流连续模 式
  • 关键字: 202004  碳化硅  CoolSiC™ MOSFET  

GT Advanced Technologies和安森美半导体 签署生产和供应碳化硅材料的协议

  • GT Advanced Technologies(GTAT)和安森美半导体(ON Semiconductor),宣布执行一项为期五年的协议,总价值可达5,000万美元。根据该协议,GTAT将向高能效创新的全球领袖之一的安森美半导体生产和供应CrystX?碳化硅(SiC)材料,用于高增长市场和应用。
  • 关键字: GT Advanced Technologies  安森美  碳化硅  

碳化硅(SiC)功率器件或在电动汽车领域一决胜负

  • 电力电子器件的发展历史大致可以分为三个大阶段:硅晶闸管(可控硅)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和刚显露头角的碳化硅(SiC)系列大功率半导体器件。碳化硅属于第三代半导体材料,与普通的硅材料相比,碳化硅的优势非常突出,它不仅克服了普通硅材料的某些缺点,在功耗上也有非常好的表现,因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为如此,已经有越来越多的半导体企业开始进入SiC市场。到2023年,SiC功率半导体市场预计将达到15亿美元。SiC器件的供应商包括Fuji、英飞凌、Littelfuse、三菱、安森
  • 关键字: 碳化硅、SiC、功率器件、电动汽车  

罗姆子公司SiCrystal和意法半导体宣布签署碳化硅晶圆长期供应协议

  • 近日,罗姆和横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;)宣布,意法半导体与罗姆集团旗下的SiCrystal公司签署一了份碳化硅(SiC)晶圆长期供应协议。SiCrystal为一家在欧洲SiC晶圆市场占有率领先的龙头企业。协议规定, SiCrystal将向意法半导体提供总价超过1.2亿美元的先进的150mm碳化硅晶片,满足时下市场对碳化硅功率器件日益增长的需求。意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示:“该SiC衬底长期供应协
  • 关键字: 碳化硅  晶圆  

环球晶圆:硅晶圆明年回温

  • 半导体硅晶圆大厂环球晶圆董事长徐秀兰日前表示,明年半导体景气仍受贸易摩擦、总体经济及汇率三大变数干扰,但从客户端库存改善、拉货动能加温,以及应用扩大等来看,硅晶圆产业已在本季落底,明年上半年整体景气动能升温速度优于预期,她预估环球晶圆明年首季与本季持平或略增,往后将会逐季成长。
  • 关键字: 环球晶圆  硅晶圆  碳化硅  
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碳化硅介绍

碳化硅(SiC)为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。 制造 由于天然含量甚少,碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中,以1600至2500°C高温加热。 发现 爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物,并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉,至今此技术仍为众人使用中。 性质 碳化硅至少有70种 [ 查看详细 ]

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