碳化硅 文章
意法半导体收购Norstel AB 强化碳化硅产业供应链
- 近年随着电动汽车产业崛起，碳化硅（SiC）功率半导体市场需求激增，吸引产业链相关企业的关注，国际间碳化硅(SiC)晶圆的开发驱使SiC争夺战正一触即发。与硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更宽的能带隙(energy bandgap，Eg)的半导体；再者，碳化硅具有更高的击穿电场 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率组件应用之电子电路的材料，因为用碳化硅制成的芯片即使厚度相对小也能够经受得起相对高的电压。表一分别示出了硅和碳化硅的能带隙(Eg)、击穿电场(Ec)和电
- 关键字： 意法半导体 Norstel AB 碳化硅 SiC
“新一轮产业升级，全球进入第三代半导体时代“
- 随着物联网，大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展，对半导体器件的需求日益增长，对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。以碳化硅为代表的第三代半导体开始逐渐受到市场的重视，国际上已形成完整的覆盖材料，器件，模块和应用等环节的产业链。全球新一轮的产业升级已经开始，正在逐渐进入第三代半导体时代。 碳化硅，作为发展的最成熟的第三代半导体材料，其宽禁带，高临界击穿电场等优势，是制造高压高温功率半导体器件的优质半导体材料。已在智能电网，轨道交通，新能源，开关电源等领域得到了应用，展现出了优良的性质和广阔的
- 关键字： 碳化硅，半导体
碳化硅发展势头旺，英飞凌祭出650 V C oolSiC M O SFET
- 王 莹 （《电子产品世界》编辑）近期，多家公司发布了碳化硅 （SiC）方面的新产品。作为新兴 的第三代半导体材料之一，碳化硅 具备哪些优势，现在的发展程度 如何？不久前，碳化硅的先驱英飞凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC™ MOSFET ，值此机会，电子产品世 界访问了英飞凌电源与传感系统事 业部大中华区开关电源应用高级市 场经理陈清源先生。 碳化硅与氮化镓、硅材料的关系 碳化硅MOSFET是一种新器 件，使一些以前硅材料很难被应用 的电源转换结构，例如电流连续模 式
- 关键字： 202004 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET
GT Advanced Technologies和安森美半导体 签署生产和供应碳化硅材料的协议
- GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半导体（ON Semiconductor），宣布执行一项为期五年的协议，总价值可达5,000万美元。根据该协议，GTAT将向高能效创新的全球领袖之一的安森美半导体生产和供应CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增长市场和应用。
- 关键字： GT Advanced Technologies 安森美 碳化硅
碳化硅（SiC）功率器件或在电动汽车领域一决胜负
- 电力电子器件的发展历史大致可以分为三个大阶段：硅晶闸管（可控硅）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和刚显露头角的碳化硅（SiC）系列大功率半导体器件。碳化硅属于第三代半导体材料，与普通的硅材料相比，碳化硅的优势非常突出，它不仅克服了普通硅材料的某些缺点，在功耗上也有非常好的表现，因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为如此，已经有越来越多的半导体企业开始进入SiC市场。到2023年，SiC功率半导体市场预计将达到15亿美元。SiC器件的供应商包括Fuji、英飞凌、Littelfuse、三菱、安森
- 关键字： 碳化硅、SiC、功率器件、电动汽车
碳化硅介绍
碳化硅（SiC）为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600至2500°C高温加热。
发现
爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物，并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉，至今此技术仍为众人使用中。
性质
碳化硅至少有70种 [ 查看详细 ]
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