2024年3月27日,Wolfspeed宣布,其在位于美国北卡罗来纳州查塔姆县的“John Palmour碳化硅制造中心”举办建筑封顶庆祝仪式。据官方介绍,“John Palmour碳化硅制造中心”总投资50亿美元,获得了来自公共部门和私营机构的支持,将助力从硅向碳化硅的产业转型,提升对于能源转型至关重要的材料的供应。该中心占地445英亩,一期建设预计将于2024年底竣工,该中心将制造200mm碳化硅(SiC)晶圆,显著扩大Wolfspeed材料产能,满足对于能源转型和AI人工智能至关重要的新一代半导体的
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芯片制造 功率半导体 碳化硅
3月28日消息,当地时间3月26日,Wolfspeed宣布第三座工厂——8英寸SiC衬底产线一期工程举行了封顶仪式。据了解,该工厂位于贝卡莱纳州查塔姆县,总投资50亿美元(约合人民币356亿元),占地面积445英亩,主要生产8英寸SiC单晶衬底。目前,该工厂已有一些长晶炉设备进场,预计2024年底将完成一期工程建设,2025年上半年开始生产,预计竣工达产后Wolfspeed的SiC衬底产量将扩大10倍。近期,Wolfspeed与瑞萨电子、英飞凌等公司签署了客户协议,查塔姆工厂的投建将为这些协议提供支持,同
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随着近年来对碳化硅(SiC)衬底需求的持续激增,市场研究公司TrendForce表示,对于SiC的成本降低呼声越来越高,因为最终产品价格仍然是消费者的关键决定因素。SiC衬底的成本占整个成本结构的比例最高,约占50%。因此,衬底部分的成本降低和利用率提高尤为关键。由于其成本优势,大尺寸衬底逐渐开始被采用,市场对其寄予了很高的期望。中国SiC衬底制造商天科蓝半导体计算,从4英寸升级到6英寸可以使单位成本降低50%,从6英寸升级到8英寸可以再次降低35%。与此同时,8英寸衬底可以生产更多的芯片,从而减少边缘浪
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SiC 碳化硅
3月20日,春分时期,万物复苏,SEMICON China 2024在上海新国际博览中心拉开了序幕。现场一片繁忙热闹,据悉本次展会面积达90000平方米,共有1100家展商、4500个展位和20多场会议及活动涉及了IC制造、功率及化合物半导体、先进材料、芯车会等多个专区。本次展会中,碳化硅、氮化镓等第三代半导体产业链格外亮眼,据全球半导体观察不完全统计,共有近70家相关企业带来了一众新品与最新技术,龙头企业颇多,材料方面包括Resonac、天域半导体、天岳先进、天科合达等企业,设备端则如晶盛机电、中微公司
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碳化硅 氮化镓 第三代半导体
受惠于下游应用市场的强劲需求,碳化硅产业正处于高速成长期。据TrendForce集邦咨询预期,至2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元,其主流应用仍倚重电动汽车及可再生能源。近期,备受关注的碳化硅市场又有了新动态,涉及三菱电机、美尔森、芯粤能等企业。三菱电机SiC工厂预计4月开建据日经新闻近日报道,三菱电机将于今年4月,在日本熊本县开工建设新的8英寸SiC工厂,并计划于2026年4月投入运营。2023年3月,三菱电机宣布,计划在5年内投资约1000亿日元(折合人民币约48.56亿元)建设一个
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3月13日消息,日前,芯动半导体官微宣布,已与意法半导体签署战略合作协议,双方将就SiC芯片业务展开合作。此次与意法半导体就SiC芯片业务签署战略合作协议,也将进一步推动长城汽车垂直整合,稳定供应链发展。公开资料显示,芯动半导体于2022年11月成立于江苏无锡,由长城汽车与稳晟科技合资成立,以开发第三代功率半导体SiC模组及应用解决方案为目标。目前,芯动半导体位于无锡的第三代半导体模组封测制造基地项目已完成建设。该项目总投资8亿元,规划车规级模组年产能为120万套,预计本月正式量产。除了碳化硅模块外,芯动
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英飞凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比, 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下,将MOSFET的主要性能指标(如能量和电荷储量)提高了20%,不仅提升了整体能效,更进一步推动了低碳化进程。CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 技术继续发挥碳化硅的性能优势,通过降低能量损耗来提高功率转换过程
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近日,晶盛机电在接受机构调研时表示,目前公司已基本实现8-12英寸大硅片设备的全覆盖并批量销售,6英寸碳化硅外延设备实现批量销售且订单量快速增长,成功研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备,实现了成熟稳定的8英寸碳化硅外延工艺。同时公司基于产业链延伸,开发出了应用于8-12英寸晶圆及封装端的减薄设备、外延设备、LPCVD设备、ALD设备等。晶盛机电自2017年开始碳化硅产业布局,聚焦碳化硅衬底片和碳化硅外延设备两大业务。公司已掌握行业领先的8英寸碳化硅衬底技术和工艺,量产晶片的核心位错达到
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近几日,英飞凌在碳化硅合作与汽车半导体方面合作动态频频,再度引起业界对碳化硅材料关注。1月23日,英飞凌与Wolfspeed宣布扩大并延伸现有的长期150mm碳化硅晶圆供应协议(原先的协议签定于2018年2月)。延伸后的合作将包括一个多年期产能预留协议。这将有助于保证英飞凌整个供应链的稳定,同时满足汽车、太阳能、电动汽车充电应用、储能系统等领域对于碳化硅半导体不断增长的需求。据英飞凌科技首席执行官 JochenHanebeck 消息,为了满足不断增长的碳化硅器件需求,英飞凌正在落实一项多供应商战略,从而在
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2月1日消息,近日,浙江嘉兴平湖市政府公示了“年产90万片功率模块、45万片PCBA板和20万台电机控制器”建设项目规划批前公告。据披露,该项目建设单位为臻驱科技的全资子公司——臻驱半导体(嘉兴)有限公司,臻驱半导体拟投约资6.45亿元在平湖市经济技术开发区新明路南侧建造厂房用于生产及研发等,项目建筑面积达45800m2。公开资料显示,臻驱科技成立于2017年,是一家提供国产功率半导体及新能源汽车驱动解决方案的公司,总部位于上海浦东,在上海临港、广西柳州、浙江平湖及德国亚琛(Aachen)等地布局了多家子
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据外媒,1月23日,英飞凌与美国半导体制造商Wolfspeed发布声明,宣布扩大并延长双方2018年2月签署的现有150mm碳化硅晶圆长期供应协议。根据声明,双方延长的的合作关系中包括一项多年期产能预留协议。新协议有助于提高英飞凌总体供应链的稳定性,同时满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储能系统对碳化硅晶圆产品日益增长的需求。英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示,希望在全球范围内保障对于150mm和200mm碳化硅晶圆的高品质、长期供应优质货源。
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2024年1月18日,中国--服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 宣布,与聚焦于碳化硅(SiC)半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作,为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制器提供意法半导体第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。采用高能效的控制器可为新能源汽车带来诸多益处,以动力电池容量60kWh~90kWh的中型电动汽车为例,续航里程可延长5到10公里,在夏冬
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加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商 Transphorm, Inc.(纳斯达克:TGAN)今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装(TO-247-4L)的新型 SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻,并配有一个开尔文源极端子,以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新
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据英飞凌官网消息,近日,英飞凌已与碳化硅 (SiC) 供应商 SK Siltron CSS 正式达成协议。据悉,SK Siltron CSS将为英飞凌提供具有竞争力的高质量150mm SiC晶圆,支持SiC半导体的生产。在后续阶段,SK Siltron CSS将在协助英飞凌向200 mm 晶圆直径过渡方面发挥重要作用。据了解,英飞凌首席采购官 Angelique van der Burg 表示:“对于英飞凌来说,供应链弹性意味着实施多供应商战略,并在逆境中蓬勃发展,创造新的增长机会并推
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英飞凌 碳化硅 SK Siltron CSS 晶圆
1 转型成功的2023得益于成功的战略转型,在汽车和工业市场增长的
推动下,安森美在 2023 年前 3 季度的业绩都超预期。
其中,第一季度由先进驾驶辅助系统 (ADAS) 和能源基
础设施终端市场带来的收入均同比增长约 50%,在第
二季度汽车业务收入超 10 亿美元,同比增长 35%,创
历史新高,第三季度汽车和工业终端市场都实现创纪录
收入。安森美大中华区销售副总裁Roy Chia2 深入布局碳化硅领域在第三代半导体领域,安森美专注于 SiC,重点聚
焦于汽车、能源、电网基础设施等应
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碳化硅介绍
碳化硅(SiC)为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物,碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。
制造
由于天然含量甚少,碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中,以1600至2500°C高温加热。
发现
爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物,并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉,至今此技术仍为众人使用中。
性质
碳化硅至少有70种 [
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