近日，深圳基本半导体股份有限公司（简称“基本半导体”）宣布完成D轮融资，融资金额达1.5亿元人民币。本轮融资由中山火炬开发区科创产业母基金与中山金控联合投资，资金将主要用于碳化硅功率器件的技术研发、产能扩张以及市场拓展。基本半导体成立于2016年，是一家专注于碳化硅功率器件研发与制造的高新技术企业。其核心产品包括1200V/20A JBS碳化硅二极管、1200V平面栅碳化硅器件以及10kV/2A SiC PiN二极管等。这些产品以低损耗、高频率等优势，广泛应用于电动汽车、轨道交通、光伏逆变器和航空航天等领
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据路透社援引彭博社报道，在关于即将破产的传闻出现近一个月后，Wolfspeed 现在正面临一次重大动荡。由 Apollo 全球管理公司领导的债权人正准备根据破产计划接管公司。报道称，这家陷入困境的碳化硅巨头预计将在几天内公布一项预包装破产计划——旨在迅速削减数十亿美元的债务。在锁定重组协议后，Wolfspeed 将要求债权人就计划进行投票，然后正式申请第 11 章保护，报道补充道。由意法半导体领导的对头将受益根据 TrendForce 的观察，由于破产程序的不确定性，Wolfspeed 的 Si
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据当地媒体《一财全球》和IT之家报道，据报道，美国碳化硅 （SiC） 巨头 Wolfspeed 在与快速崛起的中国竞争对手的激烈竞争中徘徊在破产边缘，中国最大的碳化硅晶圆厂已在武汉正式投产，旨在供应该国国内产量的 30%。YiCai 报告称，一个 SiC 晶圆模型的车载测试最快将于下个月开始，而另外近 10 个模型已经在验证中。不久之后将进行大规模生产和交付。IT Home 表示，该工厂的一期重点是功率器件，计划年产 360,000 片 6 英寸 SiC 晶圆。另一方面，益财国际补充说，这足以支持超过 1
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引言碳化硅（ SiC）MOSFET在电源和电力电子领域的应用越来越广泛。随着功率半导体领域的发展，开关损耗也在不断降低。随着开关速度的不断提高，设计人员应更加关注MOSFET的栅极驱动电路，确保对MOSFET的安全控制，防止寄生导通，避免损坏功率半导体。必须保护敏感的MOSFET栅极结构免受过高电压的影响。Littelfuse提供高效的保护解决方案，有助于最大限度地延长电源的使用寿命、可靠性和鲁棒性。 栅极驱动器设计措施关于SiC-MOSFET驱动器电路的稳健性，有几个问题值得考虑。除了驱动器安全切换半导
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全社会都在积极推动低碳化转型，而低碳化的背后其实是电气化。在 新型电气能源架构 中，相比于从前，一次能源到终端用户的 能源转换次数增多 。虽然可再生能源是免费的，但是这种多层级的能源转换，每一步都会带来一定的能耗损失，因此 追求更高效的能源转化效率至关重要 。SiC正是功率半导体的 能效提升技术 ，它的出现满足了低碳化时代两大全新的市场需求：1能效创新： SiC技术在光伏、储能、数据中心等大功率电源管理领域，能够显著
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电能与智能是现代社会发展的两大主题，电能如同工业文明的血液系统，提供物理世界运行的能量基础，智能恰似数字文明的神经网络，构建数字空间的决策中枢。作为电能转换的智能开关，功率半导体在构建现代社会能源体系中发挥着关键性的枢纽作用，通过对电压、电流和频率的精准调控，功率半导体可以有效地提升电能转换效率。经过七十年的发展，功率半导体经历了两次大的技术升级，第一次是以硅基IGBT 和CoolMOS为代表的第二代功率器件替代以可控硅晶闸管和MOSFET为代表的第一代功率器件，由于同属硅基材料体系，第二代功率器件兼具成
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安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共栅场效应晶体管（SiC JFET cascode）在硬开关与软开关应用场景中展现出显著技术优势。其官方发布的《SiC JFET共源共栅应用指南》系列文档，通过三篇技术解析深入剖析器件特性，本文作为开篇之作，将聚焦阐释cascode结构的核心机理。该指南不仅系统阐述共源共栅器件的拓扑架构，更对关键电参数、独特性能优势及设计支持体系进行全方位解读，为功率半导体开发者提供从基础理论到实践应用的完整技术指引。Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其
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_____为了减缓气候变化，人类在非化石燃料和可再生能源解决方案方面取得了显著进展，交通领域的电气化进程也在加速推进。这些新兴技术大多对电源提出了更高的要求，尤其是对大功率的需求。例如，电动汽车（EV）的电池包电压已高达900 VDC以上，容量可达95kWh；快充和超充系统功率更是轻松突破240kW。氢燃料电池堆作为另一种汽车供电技术，其功率可超过500kW，电流高达1000A。市场需求下的挑战一方面，我们需要摆脱化石燃料，另一方面，全球能耗又在不断攀升。服务器农场就是一个能源需求更高的例子。为了有足够的
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简介电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。图 1：硅器件（Si）与碳化硅（SiC）器件的比较什么是碳化硅Cascode JFET技术？众多终端产品制造商已选择碳化硅技术替代传统硅技术，基于双极结型晶体
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简介电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。特性Si4H-SiCGaN禁带能量（eV）1.123.263.50电子迁移率(cm2/Vs)14009001250空穴迁移率(cm2/Vs)600100200
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服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) ，和中国化合物半导体龙头企业（涵盖LED、碳化硅、光通信、RF、滤波器和氮化镓等产品）三安光电近日宣布，双方在重庆设立的8英寸碳化硅晶圆合资制造厂（即“安意法半导体有限公司”，以下简称安意法）现已正式通线。这一里程碑标志着意法半导体和三安正朝着于2025年年底前实现在中国本地生产8英寸碳化硅这一目标稳步迈进，届时将更好地满足中国新能源汽车、工业电源及能源等市场对碳化硅日益增长的需求。三安光电和意法
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在这里，我们比较了碳化硅 （SiC） 与硅以及在汽车和可再生能源等行业的电力电子中的应用。我们将探讨硅和碳化硅之间的显著差异，并了解 SiC 为何以及如何塑造电力电子的未来。硅 （Si） 到碳化硅 （SiC）：改变电力电子的未来电力电子技术在过去几年中取得了前所未有的进步。硅 （Si） 等传统半导体材料一直主导着电力电子和可再生能源行业。然而，碳化硅 （SiC） 的出现彻底改变了这一领域，为卓越的性能和效率铺平了道路。无与伦比的效率、热性能和高压能力使碳化硅成为用于电子和半导体器件的下一代半导体材料。硅与
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1 我国能源汽车已突破1000万辆，今年将增长24%据赛迪顾问 2024 年 12 月发布的数据预测显示，我国新能源汽车的新车全球市占率有望稳居七成以上，我国从汽车大国迈向汽车强国的步伐更加坚实。据中国汽车工业协会的统计数据显示，2024年我国汽车产销分别完成3128.2万辆和3143.6万辆，同比分别增长3.7％和4.5％，继续保持在3000万辆以上规模，产销总量连续16年稳居全球第一。其中，新能源汽车产销首次突破1000万辆，分别达到1288.8万辆和1286.6万辆，同比分别增长34.4％和35.5
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简介本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承，Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案，重新定义行业基准。在第 4 代发布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 凭借多项重要设计要素的平衡，已在广泛用例中得到验证，为硬开关应用的全面性能设定了基准。市场上的某些厂商只关注特定品质因数 (FOM)，如导通损耗、室温下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 则采用了一
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● 英飞凌开始向客户提供首批采用先进的200 mm碳化硅（SiC）晶圆制造技术的SiC产品● 这些产品在奥地利菲拉赫生产，为高压应用领域提供一流的SiC功率技术● 200 mm SiC的生产将巩固英飞凌在所有功率半导体材料领域的技术领先优势英飞凌200mm SiC晶圆英飞凌科技股份公司在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲
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碳化硅介绍
碳化硅（SiC）为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600至2500°C高温加热。
发现
爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物，并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉，至今此技术仍为众人使用中。
性质
碳化硅至少有70种 [
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