碳化硅 文章
- LinkedIn随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。 这些新组件虽然
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碳化硅 氮化镓
- 4月9日上午，国家集成电路产业投资基金总裁丁文武一行莅临基本半导体考察调研。 基本半导体董事长汪之涵博士向丁文武介绍了公司自主研发的碳化硅功率器件产品，包括性能达到国际一流水平的碳化硅JBS二极管和MOSFET三极管，以及6英寸的3D碳化硅外延和晶圆片。 随后丁文武一行听取了基本半导体总经理和巍巍博士对公司发展情况的汇报。丁文武对基本半导体的技术创新和战略定位予以充分肯定，并鼓励公司团队再接再厉，立足创新驱动，不断发展壮大，成为中国第三代半导体产业的领军企业。 国家集成电路产业投资基金是为促进集
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基本半导体 碳化硅 功率芯片 集成电路
- 虽然碳化硅有成本方面的问题，但是其众所周知的在各个高端应用中所表现出的高性能也能够弥补其在价格方面的短板，尤其是在电动车与再生能源越来越受到重视，将为中功率、高功率应用领域带来大量需求。氮化镓技术能够降低成本，又能够保持半导体器件的优越性能，在中、低功率应用领域具备拥有巨大潜力。但也并不是说将来所有的功率器件都会被碳化硅替代，我们认为碳化硅和现存的IGBT或MOSFET都能在其有优势的领域中共同发挥所长，共生共栖。
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瑞萨，碳化硅
- 3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟、基本半导体和南方科技大学等单位发起共建的深圳第三代半导体研究院在五洲宾馆宣布正式启动。深圳第三代半导体研究院的成立具有里程碑意义，将对中国乃至全球第三代半导体产业发展产生深远影响。 科技部原副部长、第三代半导体产业技术创新战略联盟决策委员会主任、深圳第三代半导体研究院理事长曹健林，广东省委常委、深圳市委书记王伟中，深圳市委副书记、市长陈如桂，科技部高新司原司长、第三代半导体产业技术创新战略联盟决策委员会副主任、深圳第三代半
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青铜剑科技 半导体 碳化硅 功率器件
- 碳化硅电力电子器件的发展现状分析-SiC电力电子器件中，SiC二极管最先实现产业化。2001年德国Infineon公司率先推出SiC二极管产品，美国Cree和意法半导体等厂商也紧随其后推出了SiC二极管产品。
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碳化硅
- 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。c科技股份公司开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上，英飞凌展出了1200 V CoolSiC™ MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今，英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。 英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已达到转折点，考虑到成本效益，它
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英飞凌 碳化硅
- 效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅(SiC)的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。在纽伦堡2017年PCIM展会上，英飞凌展出了1200 V CoolSiC™ MOSFET产品系列的其他模块平台和拓扑。如今，英飞凌能够更好地发挥碳化硅技术的潜力。 英飞凌工业功率控
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英飞凌 碳化硅
- 三菱电机于6月27至29日在上海世博展览馆举行的PCIM Asia 2017(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)展会中，以十款新型功率器件强势登场，其中第7代IGBT模块更首次作全电压、全封装及全系列展出(三菱电机展位号：E06)。 三菱电机以“创新功率器件构建可持续未来”为主题，今年展出的功率器件应用范围跨越五大领域，包括：变频家电、铁道牵引及电力传输、电动汽车、工业应用和新能源发电，致力为客户提供高性能及低损耗的产品。 变频家电市场 在变频家电应用方面，三菱电机展出
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三菱电机 碳化硅
- 功率因数校正（PFC）市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准。由于北美没有管理PFC的规定，能源节省和空间/成本的考虑成为在消费类产品、计算机和通信领域中必须使用PFC的
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碳化硅 肖特基二极管 电源 DCM PFC
- 伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。
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- 从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底，陈小龙团队花了10多年时间，在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化。
不久前，中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司(以下简称天科合达)合作，解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术，成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底。
从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底，陈小龙团队花了10多年时间，在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化。
第三代半导体材料
研究人员告诉记者，上世纪
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碳化硅 晶片
- 5月29日，国内首批产业化6英寸碳化硅外延晶片在位于厦门火炬高新区的瀚天天成电子科技(厦门)有限公司投产，并交付第一笔商业订单产品， 成为国内首家提供商业化6英寸碳化硅外延晶片的生产商。
据悉，碳化硅是继第一代硅、锗和第二代砷化镓等材料之后的第三代新型半导体材料。碳化硅半导体仪器大禁带宽度、高临界场强和高热导率等优良特性，成为制作高温、高频和大功率电力电子器件的理想半导体材料。
瀚天天成电子科技(厦门)有限公司总经理郑忠惠介绍，6英寸碳化硅外延晶片相对于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
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碳化硅 外延晶片
- 三菱电机今年以“创新功率器件构建可持续未来”为题，携带六款全新产品，于6月17至19日在上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展2014中隆重亮相。 今年展出的产品范围跨越六大领域，包括：工业应用、变频家电应用、可再生能源应用、铁路牵引和电力应用、电动汽车应用以及碳化硅器件应用。 在新产品方面，这次展出的全新第7代IGBT模块，适合应用在工业驱动和太阳能发电上。它采用了第7代IGBT硅片和二极管硅片;具有650V、1200V和1700V三种电压等级;提高利用门极电阻优化dv/dt的可控性;涵盖模块电流7
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三菱电机 PCIM 碳化硅
- 东京—东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布将扩充其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列，为其现有的6A、8A和12A产品阵容中增添一款10A产品。该产品将于即日起批量交付。
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东芝 碳化硅
- Mouser Electronics宣布备货Cree公司的CAS100H12AM1，这是业界首款在单个半电桥封装中结合SiC MOSFET和SiC肖特基二极管的产品。
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Mouser CAS100H12AM1 碳化硅
碳化硅介绍
碳化硅（SiC）为由硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。最简单的方法是将氧化硅砂与碳置入艾其逊电弧炉中，以1600至2500°C高温加热。
发现
爱德华·古德里希·艾其逊在1893年制造出此化合物，并发展了生产碳化硅用之艾其逊电弧炉，至今此技术仍为众人使用中。
性质
碳化硅至少有70种 [
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