● 助力工程师开发系统尺寸减半且效率超过 95% 的交流/直流解决方案,从而简化散热设计● 全新氮化镓器件可兼容交流/直流电源转换中常见的拓扑结构德州仪器 (TI)近日发布低功耗氮化镓 (GaN) 系列新品,可助力提高功率密度,大幅提升系统效率,同时缩小交流/直流消费类电力电子产品和工业系统的尺寸。德州仪器的 GaN 场效应晶体管 (FET) 全系列产品均集成了栅极驱动器,能解决常见的散热设计问题,既能让适配器保持凉爽,又能在更小的尺寸中提供更高功率。德州仪
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德州仪器 氮化镓 电源适配器
多年前,仅仅65W左右的笔记充电器如同砖头一般大小,外出携带十分不便,但随着随着氮化镓器件的全面使用,充电器的功率密度已经翻了一倍有余,同样65W的充电器只有之前的一半大小,很轻松就可以放入包内携带。但随着充电器集成度越来越高,对ACDC芯片的要求也愈加苛刻。为应对市场需求,钰泰半导体潜心研发,相继推出ETA8003、ETA8047、ETA8056、ETA80033多款ACDC芯片。钰泰半导体ACDC芯片钰泰半导体ETA8003、ETA8047、ETA8056、ETA80033多款ACDC芯片部分规格如图
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充电器 氮化镓
伦敦2023年11月15日 /美通社/ -- 随着Omdia预测电动汽车 (EV) 革命将引发新型半导体激增,电力半导体行业的几十年旧规范正面临挑战。人工智能热潮是否会产生类似的影响?功率分立器件、模块和IC预测Omdia半导体元件高级分析师卡勒姆·米德尔顿表示:“长期以来依赖硅技术的行业正受到新材料制造的设备的挑战和推动。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件的开发始于上个世纪,但它们的技术成熟度与可持续发展运动相匹配,新材料制造的设备在能源匮乏的世界中有着显著的效率提升。”2018 年,特斯拉首次
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新能源 氮化镓 碳化硅
在功率器件选择过程中,以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视,在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅有了显著提升,但是如何定量分析这三类产品的不同?Power Intergrations(PI)资深培训经理Jason Yan日前结合公司新推出的1250V氮化镓(GaN)产品,详细解释了三类产品的优劣,以及PI对于三种产品未来的判断,同时还介绍了PI氮化镓产品的特点及优势。在功率器件选择过程中,以氮化镓、碳化硅为代表的宽禁带半导体越来越受到了人们的重视,在效率、尺寸以及耐压等方面都相较于硅
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PI 氮化镓 碳化硅
加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 7日 -新世代电力系统的未来、氮化镓(GaN)功率半导体的全球领先供应商 Transphorm, Inc.(纳斯达克股票代码:TGAN)近日宣布,推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET,导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准,这意味着TOLL封装的SuperGaN功率管可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件还具备Transphorm经验证的高压动态(开关)导通电阻可
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Transphorm 氮化镓 GaN
深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。该IC采用了1250V的PowiGaN™开关技术。InnoSwitch™3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。它具有同步整流和FluxLink™安全隔离反馈功能,并且提供丰富的开关选项,包括725V硅开关、1700V碳化硅开关以及其它衍生出
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Power Integrations 1250V 氮化镓 开关IC
紧凑型 100 瓦电源的应用范围不断增加,从 AC-DC 充电器和适配器、USB 供电 (PD) 充电器和快速充电(QC) 适配器,到 LED 照明、白色家电、电机驱动、智能仪表和工业系统等。对于这些离线反激式电源的设计者来说,面临的挑战是如何确保稳健性和可靠性,同时继续降低成本,提高效率,缩小外形尺寸以提高功率密度。为了解决其中的许多问题,设计者可以用基于宽带隙 (WBG) 技术的器件 (GaN) 来取代硅 (Si) 功率开关。这样做直接转化为提高电源效率和减少对散热器的需求,从而实现更高的功率密度。然
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电源效率 氮化镓 GaN 电源转换器设计
今年3月,一场收购案迅速登上氮化镓(GaN)领域头条,因为主角是多年蝉联全球功率半导体市场占有率第一的英飞凌。几个月过去,这场收购案迎来了结局。10月25日,英飞凌官微指出,英飞凌科技于2023年10月24日宣布完成收购氮化镓系统公司(GaN
Systems,以下同)。该交易已获得所有必要的监管部门审批,交易结束后,GaN
Systems已正式成为英飞凌的组成部分,并为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。市场竞争力再上一层楼2023年3月2日,英飞凌和G
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氮化镓 英飞凌
英飞凌科技股份公司近日宣布完成收购氮化镓系统公司(GaN Systems,以下同)。这家总部位于加拿大渥太华的公司,为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批,交易结束后,GaN Systems 已正式成为英飞凌的组成部分。英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 表示,“氮化镓技术为打造更加低碳节能的解决方案扫清了障碍,有助于推动低碳化进程。收购 GaN Syste
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氮化镓功率半导体产品的全球领先企业Transphorm, Inc.近日发布了题为『Normally-off D-Mode 氮化镓晶体管的根本优势』的最新白皮书。该技术文献科普了共源共栅 (常闭) d-mode氮化镓平台固有的优势。重要的是,该文章还解释了e-mode平台为实现常闭型解决方案,从根本上 (物理层面) 削弱了诸多氮化镓自身的性能优势。要点白皮书介绍了 normally-off d-mode 氮化镓平台的几个关键优势,包括:1.性能更高:优越的 TCR (~25%),更低的动态与静态导通电阻比
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Transphorm 常闭耗尽型 D-Mode 增强型 E-Mode 氮化镓
1 专注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN(氮化镓)功率半导体领域的全球领先企业,致力于设计和制造用于新世代电力系统的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V( 目前处于开发阶段)氮化镓器件。Transphorm 拥有1 000 多项专利,氮化镓器件为单一业务。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商业模式运营的上市公司,这意味着在器件开发的每个关键阶段,我们均能做到自主可控和创新——包括GaN HEMT 器件设计、外延片材料、晶圆制程工艺,直至最终氮化镓场效应晶体管芯片。
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数位经济正经历一场由两大趋势驱动的巨大变革,即时数据分析的庞大需求为其一,另一则是生成式人工智能(Generative
AI)的快速发展。一场激烈的生成式AI竞赛正如火如荼的进行中,科技巨头如亚马逊(Amazon)、谷歌(Google)、微软(Microsoft)皆大举投资生成式AI的研发创新。根据彭博智库(Bloomberg
Intelligence)预测,生成式AI市场将以42%的年增率成长,从2022年400亿美元市值,于10年内扩大至1.3兆美元。在AI的蓬勃发展下,数据中心对电力与运算的
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AI 数据中心 氮化镓
几乎所有现代工业系统都涉及交流/直流电源,这些系统从交流电网获得能量,并将经过妥善调节的直流电压输送到电气设备。随着全球功耗增加,交流/直流电源转换过程中的相关能量损耗,成为电源设计人员整体能源成本考虑的重要部份,特别是高耗电电信和服务器应用的设计人员。 氮化镓有助于提高能效并减少交流/直流电源的损耗,进而有助于降低终端应用的拥有成本。例如,透过最低 0.8% 的效率增益,采用氮化镓的图腾柱功率因子校正(PFC)有助于100 MW数据中心在10年内节省多达700万美元的能源成本。 选择正确的 PFC 级拓
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氮化镓 图腾柱 PFC 电源设计
全球氮化镓功率半导体领导厂商GaN Systems 今推出全新第四代氮化镓平台 (Gen 4 GaN Power Platform),不仅在能源效率及尺寸上确立新的标竿,更提供显著的性能表现优化及业界领先的质量因子 (figures of merit)。以GaN Systems 在 2022 年发表的 3.2kW 人工智能(AI) 服务器电源供应器来看,改采用最新第四代平台,不仅效率超过钛金级能效标准,功率密度更从 100W/in3提升至&nbs
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氮化镓介绍
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