首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> 氮化镓

氮化镓 文章 进入氮化镓技术社区

第三代半导体扩产,硅的时代要结束了吗

  • 半导体寒气袭人知谁暖?芯片行业的砍单潮已经将寒气传递给了众多企业,三星半导体部门负责人Kyung Kye-hyun就预计芯片销售大幅下滑态势将延续至明年;野村证券最近也将今年全球芯片出货成长率由原先预估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%扩大至衰退6%;费城半导体指数 (SOX)近6个月(截至9月21日)更是跌了26.53%。但此时,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料却在迎来市场倍增与产能扩张。 安森美二季度财报发布后,就将其2022年碳化硅营收预期上调为“同比增长3倍”,而
  • 关键字: 碳化硅  氮化镓  

hofer powertrain和VisIC Technologies宣布新一代氮化镓电力电子元件

  • hofer powertrain为新一代电动汽车传动系统奠定基础。德国动力系统专家hofer powertrain选择前瞻性芯片技术,通过汽车领域氮化镓(GaN)技术领导者VisIC Technologies公司提供最新氮化镓芯片技术D3GaN(直驱D型)实现新的多级电力电子元件。新解决方案在效率和功率密度方面超过硅基技术的性能,最近的测试证明了它的成功。氮化镓半导体是提高效率、增加电动汽车行驶里程和寿命的关键。hofer powertrain和VisIC Technologies的目标是开发基于氮化镓的
  • 关键字: hofer powertrain  VisIC Technologies  氮化镓  电力电子  

飞宏新推出的65W 2C1A USB PD适配器采用Transphorm的氮化镓技术

  • 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布,全球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD适配器采用了该公司的氮化镓技术。这款适配器采用Transphorm的SuperGaN®第四代技术,这是一种氮化镓场效应管(FET)平台,具有以下优点:系统设计简单,元件数量少,性能更高,可靠性一流。飞宏的65W适配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm),配备两个US
  • 关键字: 飞宏  USB PD  适配器  Transphorm  氮化镓  

功率半导体组件的主流争霸战

  • 功率半导体组件与电源、电力控制应用有关,特点是功率大、速度快,有助提高能源转换效率,多年来,功率半导体以硅(Si)为基础的芯片设计架构成为主流,碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三类半导体材料出现,让功率半导体组件的应用更为多元,效率更高。MOSFET与IGBT双主流各有痛点高功率组件应用研发联盟秘书长林若蓁博士(现职为台湾经济研究院研究一所副所长)指出,功率半导体组件是电源及电力控制应用的核心,具有降低导通电阻、提升电力转换效率等功用,其中又以MOSFET(金属氧化半导体场效晶体管)与IGBT(绝缘
  • 关键字:   碳化硅  氮化镓  功率半导体  

比银行卡还要小的多,智融推出65W 3C口超薄氮化镓快充方案

  • 前言65W氮化镓充电器能够为手机和电脑提供理想的快充体验,同时不需要PFC,从成本和体积上都很有优势,是工厂和消费者选择的主力产品。随着近年来平面变压器技术的成熟,通过使用平面变压器取代传统绕线变压器,充电器从常规的方块形态进化成为饼干形态,更加便于携带。智融科技推出了多款可用于氮化镓充电器的协议降压二合一芯片,在车充和氮化镓快充中应用非常广泛。智融推出了用于氮化镓开关管的初级主控芯片SW1106,支持直驱增强型氮化镓开关管,进一步完善氮化镓快充产品线,致力于推出一站式氮化镓快充电源解决方案。充电头网已经
  • 关键字: 智融  氮化镓  充电器  快充  

Transphorm推出参考设计组合,加快USB-C PD氮化镓电源适配器的开发

  • 高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. 近日宣布推出七款参考设计,旨在加快基于氮化镓的USB-C PD电源适配器的研发。该参考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项,覆盖多种拓扑结构、输出和功率(45W至140W)。SuperGaN®技术的差异化优势 电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET,具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势,这些特点已经成为Transphorm氮化镓器件的代名词。在最近的对比分析中,与1
  • 关键字: Transphorm  氮化镓  

氮化镓集成电路缩小电动自行车和无人机的电机驱动器

  • 基于氮化镓器件的逆变器参考设计EPC9173无论是在尺寸、性能、续航里程、精度和扭矩方面,优化了电机系统且简化设计和加快产品推出市场的时间。我们可以把这种微型逆变器放进电机外壳中,从而把电磁干扰减到最小、实现最高的功率密度和最轻的重量。宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9173,它是一款三相无刷直流电机驱动逆变器,采用具备嵌入式栅极驱动器功能的EPC23101 eGaN®集成电路和一个3.3 mΩ导通电阻的浮动功率氮化镓场效应晶体管。EPC9173在20 V和85 V之间的输入电源电压下工作,峰值电
  • 关键字: 氮化镓  电机  

EPC新推最小型化的40V、1.1mΩ场效应晶体管,可实现最高功率密度

  • 宜普电源转换公司(EPC)新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2066),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。全球行业领先供应商宜普电源转换公司 为业界提供增强型氮化镓(eGaN®)功率场效应晶体管和集成电路,新推40 V、典型值为0.8 mΩ的EPC2066氮化镓场效应晶体管,为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。EPC2066的低损耗和小尺寸使其成为用于最新服务器和人工智能的高功率密度、40 V~60 V/12 V DC/
  • 关键字: 氮化镓  场效应晶体管  

Power Integrations的InnoSwitch4-CZ系列高集成度开关IC已扩展至220W

  • 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布InnoSwitch™4-CZ系列高频率、零电压开关(ZVS)反激式开关IC再添新品。当与Power Integrations的ClampZero™有源钳位IC或者最近发布的HiperPFS™-5氮化镓功率因数校正IC搭配使用时,新IC可轻松符合最新的USB PD 3.1标准,设计出高达220W的适配器和充电器。“商务旅行者需要轻便、紧凑、强大的适配器,能够为他们所有的重要设备快速充电。新型InnoSwitch4-C
  • 关键字: 开关  氮化镓  Power Integrations  InnoSwitch4-CZ  开关IC  

Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg就车规氮化镓功率模块达成合作

  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia近日宣布与国际著名的为汽车行业提供先进电子器件的供应商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系,携手研发车规氮化镓(GaN)功率模块。双方长期保持着紧密的联系,此次进一步合作的目标是共同开发GaN功率器件在电动汽车(EV)上的应用。随着客运车辆日益电气化,市场对功率半导体的要求也在不断提高,需要在越来越高的功率密度下提供高效的功率转换。高压功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET)与创新型封装技术相结合,可以满
  • 关键字: Nexperia  KYOCERA  氮化镓  功率模块  

意法半导体和MACOM成功开发射频硅基氮化镓原型芯片,取得技术与性能阶段突破

  •  ●   产品达到成本和性能双重目标,现进入认证测试阶段●   实现弹性量产和供货取得巨大进展服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)和世界排名前列的电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供应商MACOM技术解决方案控股有限公司(以下简称“MACOM”) 宣布,射频硅基氮化镓(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于这一成果,意法半导体和MACOM将继续携手,深化合作。射频硅基氮化
  • 关键字: 射频  氮化镓  

新一代单片式整合氮化镓芯片 升级功率电路性能

  •  在这篇文章里,imec氮化镓电力电子研究计划主持人Stefann Decoutere探讨在200V GaN-on-SOI智能功率芯片(IC)平台上,整合高性能萧基二极管与空乏型高电子迁移率晶体管(HEMT)的成功案例。该平台以p型氮化镓(GaN)HEMT制成,并成功整合多个GaN组件,将能协助新一代芯片扩充功能与升级性能,推进GaN功率IC的全新发展。同时提供DC/DC转换器与负载点(POL)转换器所需的开发动能,进一步缩小组件尺寸与提高运作效率。电力电子半导体的最佳解答:氮化镓(GaN)过去
  • 关键字: 氮化镓  功率电路  

EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ氮化镓场效应晶体管

  • 宜普电源转换公司(EPC)新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2071),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。全球行业领先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓(eGaN®)功率场效应晶体管和集成电路,最新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的EPC2071氮化镓场效应晶体管,为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。 EPC2071是面向要求高功率密度的应用的理想器件,包括用于新型服务器和人工智能的
  • 关键字: 氮化镓  场效应  

意法半导体首款氮化镓功率转换器瞄准下一代50W高能效电源设计

  • VIPERGAN50是意法半导体VIPerPLUS系列首款可在宽工作电压(9 V至23 V)下提供高达50 W功率的产品。这也是ST首款采用氮化镓(GaN)晶体管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件,VIPERGAN50在自适应间歇工作模式(burstmode) 开启的情况下,待机功耗低于30 mW。此外,该器件的保护功能可提高稳健性并有助于减少所用的物料。QFN5x6 mm封装也使其成为业内同等功率输出中封装最小的器件之一。VIPERGAN50已批量供货,配有USB-PD供电端口的开
  • 关键字: 意法半导体  氮化镓  功率转换器  氮化镓  电源  

第三代半导体核芯氮化镓,何时红透半边天?

  • 半导体研究随着以空间技术、计算机为导向的第三次科技革命(1950年)拉开帷幕。半导体产业作为知识技术高度密集、资金密集、科研密集型产业,由上游(半导体材料)、中游(光电子、分立器件、传感器、集成电路)、下游(终端电子产品)组成。第一代半导体材料:硅、锗元素。金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)已在各类电子器件、集成电路中广泛应用。第二代半导体材料:砷化镓、磷化铟等化合物。禁带宽度比第一代半导体材料大,但击穿电压不够高,在高温、高功率下应用效果不理想,砷化镓源材料有
  • 关键字: 半导体核芯  氮化镓  
共94条 1/7 1 2 3 4 5 6 7 »
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473