氮化镓 文章
美国加利福尼亚州圣何塞，2019年7月25日讯– 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日发布InnoSwitch™3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC的新成员。新IC可在整个负载范围内提供95%的高效率，并且在密闭适配器内不使用散热片的情况下可提供100 W的功率输出。这一突破性的性能提升源自内部开发的高压氮化镓开关技术。准谐振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro I
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Power Integrations 氮化镓 InnoSwitch3 AC-DC变换器IC
5G时代即将来临，有观点认为第二代砷化镓芯片面临被取代的命运，甚至有许多砷化镓厂商宣称早已跨进第三代...
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科创板 OLED 开源 射频 5G 氮化镓
据业内人士透露，作为芜湖大院大所合作的重点项目，国产化5G通信芯片用最新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功，打破国外垄断。这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片，有望用上国产材料。
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碳化硅 氮化镓 5G
在现实世界中，没有人可以和“半导体”撇清关系。虽然这个概念听上去可能显得有些冰冷，但是你每天用的电脑，手机以及电视等等，都会用到半导体元件。半导体的重要性自不必说，今天我们来说一下半导体产业中一个很关键的组成部分，那就是半导体材料。
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碳化硅 氮化镓
第三代半导体材料技术正在成为抢占下一代信息技术、节能减排及国防安全制高点的最佳途径之一，是战略性新兴产业的重要组成内容。
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半导体 氮化镓 碳化硅
英飞凌科技股份公司携氮化镓(GaN)解决方案CoolGaN™ 600 V增强型HEMT和氮化镓开关管专用驱动IC(GaN EiceDRIVER™ IC)，精彩亮相2018年德国慕尼黑电子展。英飞凌展示了其产品的优越性：它们具备更高功率密度，可实现更加小巧、轻便的设计，从而降低系统总成本和运行成本，以及减少资本支出。随着CoolGaN 600 V增强型HEMT和GaN EiceDRIVER栅极驱动IC的推出，目前，英飞凌是市场上唯一一家提供涵盖硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的全系列
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英飞凌 氮化镓
将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。
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氮化镓 TI 集成驱动器
我经常感到奇怪，我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟，大潮之下，没人能独善其身。每年，我们都看到市场
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氮化镓 可靠运行
LinkedIn随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上，电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。 这些新组件虽然
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碳化硅 氮化镓
Ahmad Bahai，德州仪器(TI)公司首席技术官 我们可以想象一下：当你驾驶着电动汽车行驶在马路上，电动车充电设备的充电效率可以达到你目前所用充电效率的两倍;仅有一半大小的电机驱动比目前应用的效率更高;笔记本电脑电源适配器小到可以放进口袋。 电子设备的未来取决于电源管理创新。 或者设想一下：每个简单的互联网搜索查询使用的电力足以灼烧一个60瓦灯泡约17秒。现在乘上每天发生的数十亿次的查询，便可以获得数十亿千瓦时的能耗。 更有效地管理能源并占用更小空间，所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(G
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氮化镓 德州仪器
近年来，由于节能环保的概念日益深化，在资源有限的现实环境下，各国政府以及相关机构也相应制定出法律法规，积极发展绿色能源。像太阳能、电动车，以及充电站等配套设备，需要依靠高效率的电源转换器，才能使设备发挥出最佳性能。
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英飞凌，电源转换器技术，氮化镓
数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。 与LDMOS相比，硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可提供超过70%的功率效率，将每单位面积的功率提高4到6倍，并且可扩展至高频率。同时，综合测试数据已证实，硅基氮化镓符合严格的可靠性要求，其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)替代技术。 硅基氮化镓成为射频半导体
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氮化镓 LDMOS
一枚看似不起眼、“又轻又薄”的晶片，却能做出高功率密度、高效率、宽频谱、长寿命的器件，是理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。这个“小身体大能量”的晶片叫作氮化镓(GaN)衬底晶片，是苏州纳维科技有限公司(以下简称苏州纳维)的主打产品。
“不会游泳的时候就跳下了水”
苏州纳维依托中科院苏州纳米所而建。作为中国首家氮化镓衬底晶片供应商， 团队从氮化镓单晶材料气相生长的设备开始研发，逐步研发成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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GaN 氮化镓
用GaN重新考虑功率密度-电力电子世界在1959年取得突破，当时Dawon Kahng和Martin Atalla在贝尔实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。首款商业MOSFET在五年后发布生产，从那时起，几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。
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随着氮化镓(GaN)不断应用在二极管、场效电晶体(MOSFET)等元件上，不少业内专家直言，电力电子产业即将迎来技术的大革命。氮化镓虽然在成本上仍比传统硅元件高出一大截，但其开关速度、切换损失等性能指标，也是硅元件难以望其项背的。特别是近年来随着氮化镓广泛被应用于手机快充、电源以及5G市场，氮化镓即将引领半导体技术革命的呼声越来越高。
有望于手机快充、5G市场起飞
当下，氮化镓的主要应用市场是手机快充、电源产业。近年来手机快充技术不断发展，已成为智能手机标配，而促进其普及的重要推手便是氮化
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氮化镓 5G
氮化镓介绍
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