ASML 分享 High-NA EUV 光刻机最新进展：目标 2024-2025 年进厂

5 月 29 日消息，半导体行业花了十多年的时间来准备极紫外线 (EUV) 光刻技术，而新的高数值孔径 EUV 光刻（High-NA EUV）技术将会比这更快。

目前，最先进的芯片是 4/5 纳米级工艺，下半年三星和台积电还能量产 3nm 技术，而对于使用 ASML EUV 光刻技术的 Twinscan NXE:3400C 及类似系统来说，它们大都具有 0.33 NA（数值孔径）的光学器件，可提供 13 nm 分辨率。

目前来看，这种分辨率尺寸对于 7 nm / 6 nm 节点 (36 nm ~ 38 nm) 和 5nm (30 nm ~ 32 nm) 的单模已经足够用了，但随着间距低于 30 nm（超过 5 nm 级的节点）到来，13 nm 分辨率可能需要双重曝光技术，这是未来几年内的主流方法。

对于后 3nm 时代，ASML 及其合作伙伴正在开发一种全新的 EUV 光刻机 ——Twinscan EXE:5000 系列，该系列机器将具有 0.55 NA（高 NA）的透镜，分辨率达 8nm，从而在 3 nm 及以上节点中尽可能的避免双重或是多重曝光。

IT之家了解到，目前三星和台积电的技术均可采用单次曝光的 EUV 技术（NXE 3400C），但是当节点工艺推进到 5nm 处时，则需要引入双重曝光技术。对于各大晶圆代工厂来说，其主要的目标就是尽可能的避免双重或是多重曝光。

当然，我们现阶段 193nm 浸入式的 DUV 通过多重曝光也能够实现 7nm 工艺，这同样也是台积电早期7nm 所用的技术，但是这种技术更显复杂，对良率、设备、成本等都提出了很大的挑战，这同样也是现行的 EUV 技术对比 DUV 的最大优点。

自 2011 年开始，在芯片的制备中开始采用 22nm 和 16nm / 14nm 的 FinFET 晶体管结构。该结构有点是速度快，能耗低。但是缺点也很明显，制造困难成本过高。也正是因为此，对节点工艺的提升从以前的 18 个月延长到了 2.5 年或更长的时间。对于更微小的晶体管结构，光刻中光罩（掩膜）上的纳米线程结构也变得密集化，这逐渐超越了同等光源条件下的分辨率，从而导致晶圆上光刻得到的结构模糊。因此，芯片制造商开始转向多重曝光技术，将原始的掩膜上的微结构间距放宽，采用两个或多个掩膜分布进行曝光，最终将整套晶体管刻蚀到晶圆上。

虽然 ASML 计划在明年制造出下一代 High-NA光刻机的原型机，但这毕竟是集全球尖端产业之大成的产物，它们非常复杂、非常庞大且昂贵 —— 每台的成本将超过 4 亿美元，光运送就需要三架波音 747 来装载。

此外，High-NA 不仅需要新的光学器件，还需要新的光源材料，例如德国蔡司 (Carl Zeiss) 在真空中制造的一个由抛光、超光滑曲面镜组成的光学系统，甚至还需要新的更大的厂房来容纳这种机器，这都将需要大量投资。

但为了保持半导体的性能、功率、面积和成本（PPAc）等方面的优势，已经领先的制造商们依然愿意掏钱去用新技术，而这种技术对于后 3nm 等至关节点具有重要意义。因此，无论是已经下定的英特尔，还是三星、台积电，对它的需求都是非常之高。

几周前，ASML 披露其在 2022 年第一季度的财报，称其已经收到了多个客户的 High-NA Twinscan EXE:5200 系统 (EUV 0.55 NA) 订单。

据路透社报道，ASML 上周澄清说，他们已经获得了 5 个 High-NA 产品的试点订单，预计将于 2024 年交付，并有着“超过 5 个”订单需要从 2025 年开始交付的具有“更高生产率”的后续型号。

有趣的是，早在 2020 ~ 2021 年，ASML 就表示已经收到了三家客户的 High-NA 意向订单，共提供多达 12 套系统。目前可以肯定的是，英特尔、三星和台积电必然会拿下2020 ~ 2021 年预生产的 High-NA 机器。

此外，ASML 已经开始生产其首个 High-NA 光刻系统，预计将于 2023 年完成（原型机），并将被 Imec 和 ASML 客户用于研发用途。

ASML 首席执行官 Peter Wennink 表示:“在 High-NA EUV 方面，我们取得了良好的进展，目前已经开始在我们位于维尔德霍芬的新无尘空间中打造第一个 High-NA 光刻”，“在第一季度，我们收到了多份 EXE:5200 系统的订单。我们这个月也还收到额外的 EXE:5200 订单。我们目前已有来自三个逻辑芯片和两个存储芯片客户的 High-NA 订单。EXE:5200 是 ASML 的下一代高 NA 系统，将为光刻技术的性能和生产力提供下一步的发展。”

ASML 的 Twinscan EXE:5200 比普通的 Twinscan NXE:3400C 机器要复杂得多，因此打造这些机器也需要更长的时间。该公司希望在未来中期能够交付 20 套 High-NA 系统，这可能意味着其客户将不得不进行竞争。

“我们也在与我们的供应链伙伴讨论，以确保中期大约 20 个 EUV 0.55NA 系统的交付能力，”Wennink 说。

到目前为止，唯一确认使用 ASML High-NA 光刻机的是英特尔 18A 节点，英特尔计划在 2025 年进入大批量生产，而 ASML 也是大约在那时开始交付其 High-NA EUV 系统。但最近英特尔已经将其 18A 的生产规划推迟到 2024 年下半年，并表示可以使用 ASML 的 Twinscan NXE:3600D 或 NXE:3800E 来生产，可能是通过多重曝光模式。

从这一点来看，英特尔的 18A 技术毫无疑问会大大受益于 High-NA EUV 工具，但也并非完全离不开Twinscan EXE:5200 机器。在商言商，虽然 18A 不一定需要新机器，但多重曝光模式意味着更长的产品周期、更低的生产率、更高的风险、更低的收益率，和更难的竞争。所以，英特尔肯定也希望它的 18A 节点尽快到来，从而重铸往日荣光，好从台积电手中夺回曾经的地位。