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中国存储器芯片市场风云迭起 谁将成为“搅局者”?

作者:时间:2017-12-18来源:OFweek电子工程网收藏
编者按:从国内存储器市场的趋势来看,紫光国际以及长江存储已成为“搅局者”,于国内存储器产业而言,将是一把利剑,也是打破美日韩垄断国内存储器市场的希望。

  随着全球信息化浪潮的不断涌起,智能手机、人工智能以及物联网等领域迎来高速发展契机。值此背景之下,其上游产业再遇爆发期,作为生产、消费大国的中国,自然首当其冲,成为大战的主战场。在中国市场风云迭起的同时,“搅局者”的出现正缓缓改变着战场的局势……

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201712/373127.htm

  美日韩的垄断之势

  在全球半导体市场日益扩张的趋势下,芯片市场供不应求之势越发明显,这其中又以存储器市场为最。据统计,2016全球存储器市场容量约800亿美元左右,约占半导体市场的23%,是仅次于逻辑电路的第二大产品。

  以目前市场来看,存储器主要分为DRAM和NAND Flash两大类。其中2016年DARM市场容量约414亿美元,NAND Flash约346亿美元。在DRAM方面,全球DRAM价格持续七个季度高涨,是历来涨势最久的一次,据业界人士预测,此涨势将持续至2018年第二季度。在NAND Flash方面,全球NAND Flash产线出现2D向3D转移的现象,且3D NAND 在SSD产品上的应用也日趋增多,至此闪存市场供应得到缓解。

中国存储器芯片市场风云迭起 谁将成为“搅局者”?

  而在供应短缺以及高增长的背后,垄断之势也越发明显。据数据调查显示,仅三星电子、SK海力士、英特尔、美光科技以及东芝半导体等五家美日韩半导体企业,几乎垄断了全球95%左右的存储器市场。

  以三星电子为例,据业界人士预估,在三星今年260亿美元半导体资金中,3D NAND Flash约为140亿美元,DRAM约为70亿美元。面对如此“诱人”的存储器市场,三星电子完全无法忍住诱惑。据消息透漏,三星电子计划于2018年将DRAM价格上调5%左右,并且会加大3D NAND Flash技术研发的投入。而且,随着智能手机、人工智能以及物联网需求的增加,3D NAND Flash将得到长足发展。在这种趋势下,中国也开始了布局。

  紫光国际“搅局” 破势而出

  事实上,在全球存储器市场需求的不断驱动下,中国存储器市场的起色也很明显。为了打破美日韩企业的垄断之势,中国芯片企业并未放弃对半导体的研究。而且随着半导体制程技术的不断衍进,存储器芯片研发难度随之加大,加之3D NAND技术的出现,都为国产存储器厂商弯道超车提供了机会。

中国存储器芯片市场风云迭起 谁将成为“搅局者”?

  2016年,在三星电子、SK海力士、英特尔、美光以及东芝等存储器厂商开始量产32层3D NAND Flash的时候,国内存储器厂商才开始布局,错失良机的国内存储器厂商急忙与政府合作,投资建立“国产存储器基地”,建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房以供3D NAND Flash研发与生产。在这场全球3D NAND Flash市场之战中,紫光国际首先“举旗”,长江存储、武汉新芯以及中国科学院微电子研究所紧随其后,互相配合共同研发3D NAND Flash技术。

  2017年11月中旬,长江存储已经成功研发出32层3D NAND Flash芯片,预计将于2018年实现量产。目前,紫光国际与长江存储已经在研究64层3D NAND Flash技术,预计将于2019年实现量产。

中国存储器芯片市场风云迭起 谁将成为“搅局者”?

  机遇与挑战并存

  当然,弯道超车依旧困难重重。从国内存储器厂商的发展情况来看,主要面临的机遇有以下四点:

  其一,全球存储器芯片价格持续走高、市场供不应求的趋势;

  其二,智能手机、人工智能以及物联网等科技的不断发展,导致存储器芯片的需求也随之增加;

  其三,全球存储器领先技术突破的趋势减缓,各项技术的不断成熟;

  其四,国家政策的不断出台,政企联合之势扩大。

  在机遇存在的同时,国内存储器厂商所面临的挑战也不可谓不小,主要体现在以下三方面:

  其一,国内存储器技术人才匮乏,导致技术研发速度过慢;

  其二,原材料价格的不断上涨,导致投入过高;

  其三,存储器增长过快,产能过剩的风险随时将至。

  小结:

  从国内存储器市场的趋势来看,紫光国际以及长江存储已成为“搅局者”,于国内存储器产业而言,将是一把利剑,也是打破美日韩垄断国内存储器市场的希望。可以预料的是,随着国内3D NAND Flash技术的不断突破与成熟,加之DRAM产量的不断提升,未来与五大存储器巨头的差距将越来越小。



关键词: 存储器 芯片

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