格芯成都建厂 未来晶圆代工格局会怎么变化？

　　2017年2月10日，重磅消息从成都传出迅速扩散至中国乃至世界，全球第二大晶圆代工厂格芯半导体股份有限公司(GlobalFoundries)在此宣布，正式启动建设12英寸晶圆成都制造基地，推动实施成都集成电路生态圈行动计划，投资规模累计超过100亿美元，其中基础设施是93亿美元，其余为基础设施和生态链的建设，力争打造中国大陆单一逻辑产品产能最大的12寸工厂。

　　成都相关人士表示，格芯半导体成都项目的开工契合《国家集成电路产业发展推进纲要》，填补了中国西南地区12英寸先进工艺晶圆生产项目的空白，将进一步壮大成都电子信息产业规模，有效提升成都集成电路产业发展生态，助推成都市打造全球知名集成电路产业基地，推动成都国家中心城市建设。

　　那么下面就跟随笔者来一探格芯半导体布局成都的内因。

　　代工版图扩张计划

　　2017 年2月9日全球第二大晶圆代工公司格芯半导体(GlobalFoundries)公布其全球晶圆代工制造业务版图的扩张计划，以满足全球客户对其专有尖端技术的迫切增长的需求。扩张计划包括三部分，一是在美国和德国继续投资其现有的先进晶圆制造厂，二是在新加坡扩充其成熟技术产品的产能，三是在中国成都设立全新晶圆制造工厂以积极发展中国市场。

　　格罗方徳是目前全球第二大晶圆代工提供商，为全球300余家客户提供晶圆代工服务。目前在全球运营11座晶圆厂(5座8寸，6座12寸)，其中8寸晶圆厂有4座位于新加坡(原特许半导体)，1座位于美国(原IBM);12寸晶圆厂有2座位于新加坡(原特许半导体，其中一座是8寸升级而来)，2座位于美国(1座是原IBM)，2座12寸位于德国(原AMD的FAB 36和FAB 38，现统称FAB1)，工艺节点从0.6?m～14nm。

　　图1：格芯半导体扩产计划

　　美国方面，格罗方徳计划把在纽约Fab8晶圆厂的14nm FinFET工艺产能提升20%，并将于 2018 年初启用一条全新的晶圆生产线。在过去八年期间，格罗方徳在美国的投入高达130亿美元，并在此基础上进一步开展本次扩张计划。其中纽约工厂将继续是格罗方徳在7nm工艺和极紫外(EUV)光刻等先进技术开发的核心，并计划在2018年第二季开始7nm工艺生产。

　　德国方面，格芯半导体计划在德累斯顿 Fab 1 晶圆厂增加 22FDX?工艺的生产，以满足日新月异的物联网、智能手机处理器、汽车电子和其他电池供电的无线连接应用的发展需求。预计至2020年，工厂整体产能将提升40%。作为FDX?技术研发的核心，目前工程师正在开展新一代12FDX?的技术研发，预计将于2018年第四季度或2019年第一季度开始投产。

　　新加坡方面，格罗方徳计划将12英寸晶圆厂的40nm工艺产能提升35%，在8英寸生产线的现有基础上进一步扩大0.18/0.13?m工艺的产能，同时将为业内领先的RF-SOI技术投入全新产能。

　　中国方面，格芯半导体携手成都市建立全新的合资晶圆制造厂。合作双方计划建设12英寸晶圆厂，不仅配合中国半导体市场的强劲增长趋势，促进全球客户对22FDX?先进工艺的额外需求。工厂将于2018 年第四季度首先投产成熟工艺产品，主要是0.18/0.13?m工艺，并计划二期厂房于2019 年第四季度投产22FDX?的先进工艺产品。

　　格罗方徳首席执行官Sanjay Jha表示：“为满足全球客户群的需求，我们将不断在产能和技术上进行投资。从应用于无线互联设备的世界顶级 RF-SOI 平台，到占据科技前沿的 FD-SOI 和FinFET工艺路线图，这些均见证了市场对于我们主流工艺和先进工艺技术的强劲需求。新投资将有助格芯半导体扩张现有的晶圆制造厂。通过此次在成都的合作计划，我们将稳固，并进一步加速在中国市场的发展。”

　　格芯半导体经营现状

　　格芯半导体的前身是超微半导体(AMD)的晶圆制造部门，2009年AMD将晶圆制造部门独立，并和阿联酋阿布扎比先进技术投资公司(ATIC)联合投资成立专注晶圆代工的公司，公司成立之初，主要承担超微半导体的处理器和图形芯片的制造;2010年1月收购当时全球第三大晶圆代工服务提供商新加坡特许半导体(Chartered Semiconductor，CSM)，开始全方位提供晶圆代工制造服务;2012年3月，AMD出售所持有的股份，格芯半导体成为真正独立的第三方晶圆代工公司;2015年7月完成收购IBM微电子部门的两座晶圆制造厂，从而获得了一系列RF、ASIC的差异化技术，加强了公司在增长型市场中的产品组合。

　　图2：格芯半导体2010-2016年收入情况

　　也就是在2015年，格芯半导体超越联电，爬上了全球晶圆代工公司二哥的位置。但对于格芯半导体来说，仅仅一个二哥的位置是远远不够的。

　　事实上，自从2009年从AMD分拆出来之后，格芯半导体一直表现不佳，营收一直在成长，但每年净利润率始终是负数。2016年上半年更是跌入谷底，达到-54%。公司每年亏损额在十几亿美元。

　　由于格芯半导体是一家非公开上市公司，我们只能从其母公司的报表略窥一二，根据其母公司2016 年上半年度财务报表显示，其半导体技术事业分部(主要是格芯半导体)净亏损达 13.5 亿美元。截止至 2016 年 6 月 30 日为止，格芯半导体的资产总额为 203 亿美元，负债总额 43 亿美元，其负债比约27%。

　　在成都当媒体问及亏损的时候，格芯半导体首席执行官Sanjay Jha表示，这是在公司整体战略的计划之内，并没有任何意外的财务状况。因为半导体代工厂需要巨大的投资，要不断的进行工艺研发，才能持续产生差异化。比如说公司的双路线图策略，不单只是在14nm和7nm有巨大的研发，还启动了FD-SOI工艺研发，来提供针对移动行业的需求。双路线图策略加大了研发投入，所以亏损在计划中，外界不需要担心。

　　因此格芯半导体要多种方式求变。

　　双线发力，实施弯道超车计划

　　目前半导体工艺已经从2D晶体管转向3D晶体管，英特尔、台积电、三星电子以及格芯半导体都在做，谁能胜出，这个就要看各家的绝活了。

　　格芯半导体2014年与三星联合生产14nm FinFET工艺，2015年推出14nm LPP FinFET，并获得超微半导体的CPU/GPU的订单，2016年9月与AMD修改晶圆供应协议，有效期间延长至5 年，一直到 2020 年为止，协议附带条款确定两公司将合作发展7 nm FinFET工艺。

　　2016年公司宣布进军12nm工艺了，不过这次不是FinFET工艺，而是FD-SOI工艺。格芯半导体正在德国德累斯顿Fab 1晶圆厂推进12FDX工艺的研发，预计2019年上半年完成首批流片，并在当年投入量产。

　　大家都知道，格芯半导体除了拥有FinFET工艺，还拥有SOI工艺。SOI是当年超微半导体和IBM合作开发的，可以将工艺提高半代水平，其优秀表现也是有目共睹的。虽然超微半导体进入32nm之后抛弃了SOI，不过独立后的格芯半导体一直在进行SOI技术研发，并在2015年获得了IBM的相关SOI技术，IBM的Power 8采用22nm SOI工艺制造的，最新的Power 9采用14nm FinFET SOI工艺制造的。