大陆韩国扩产竞赛 Flash后年产能恐过剩

　　储存型快闪存储(NANDFlash)军备竞赛再起，南韩存储大厂SK海力士决定再投资3.16兆韩元(约27亿美元)，在南韩及大陆两地增加存储产能;紫光集团旗下的长江存储武汉厂，也预定本月底正式动土，都为2018年供给过于求再现，埋下隐忧。

　　目前各市调机构均看好明年NANDFlash仍处于供不应求局面，但南韩存储大厂SK海力士上周宣布将在南韩盖一座全新快闪存储厂，在中国大陆也将加码投资9,500亿韩元，扩充产能，希望市占率能赶上三星，但也为NANDFlash市场投下新变数。

　　稍早三星和美光也都宣布进一步扩产行动。三星也正于京畿道平泽建设新厂，预定2017年上半启用，第一期投资额15.6兆韩元(134亿美元)，估计12寸晶圆产量可达20万片，虽然三星还未敲定生产项目，但市场推测，因三星DRAM市占已接近跨过50%门槛，有反托辣斯法要求分割疑虑，应仍会以发展3DNANDFlash为主。

　　半导体设备厂透露，目前六大NANDFlash芯片厂都有持续扩充NANDFlash芯片计划，不过在各家从2D转3DNAND芯片，因制程难度高，造成供应不足，使今年NAND芯片供应短缺，预料随3DNAND芯片下半年制程逐步顺利，缺货问题会逐渐纾解。

　　大陆NANDFLASH狂飙，2020年产能拼增近7倍

　　中国大陆业者在NANDFlash产业链的相关布局与投资不断开展，成为大陆半导体业挥军全球的下一波焦点。集邦科技旗下拓墣产业研究所最新研究报告显示，随着紫光国芯(原同方国芯)投资、武汉新芯扩厂，以及国际大厂如三星、英特尔增加产能，预估2020年大陆当地NANDFlash月产能达59万片，相较于2015年成长近7倍。

　　集邦预估，2012～2016年NANDFlash生产端年平均位元成长率达47%，其终端消费端需求年平均位元成长率亦高达46%，显示NANDFlash仍为高速发展产业。拓墣研究经理林建宏表示，中国大陆在突破存储自制缺口的政策方针下，将发展NANDFlash晶圆制造，可由NANDFlash产品特性、3DNAND需求、新兴市场的成长空间及国际半导体大厂在大陆投资四大方向切入。

　　在NANDFlash产品特性部分，产品在消费性应用下，价格是主要考量，因此生产成本的控制至为关键。大陆厂商宜透过折旧认列年限调整、租赁、税负与资金成本等因素操作为切入点。

　　在制程微缩部分，NANDFlash在进入2x奈米世代后，制程微缩带来的成本优势越来越不明显，推迟国际NANDFlash大厂技术进程，因此3DNANDFlash成为成本继续降低的重要方法。林建宏指出，产品由2D走到3D，需有新的技术领域加入，若能整合跨领域人才和技术，能成为大陆厂商追赶的机会。

　　在市场需求上，虽然NANDFlash产业短期仍处于供过于求，但长期而言新兴市场仍有成长空间。大陆随着一带一路政策发展的策略，对开发其周遭新兴市场需求有相当助益，妥善安排资源与发挥对新兴国家的影响力，将是大陆独有的优势所在，也可创造出更多元的NANDFlash需求。

　　另外，国际半导体厂商积极投入大陆市场，在当地培养有经验和技术的人才，支持厂房运维的高度需求，有助降低大陆当地业者发展自主NANDFlash制造的门槛。大陆透过广大的人力和市场成功吸引国际厂商的进驻，为大陆发展NANDFlash产业带来最好机会。

　　目前在大陆当地生产NANDFlash的业者以三星为主，英特尔已决定将大连厂改为NANDFlash厂，预计自今年第4季加入生产行列。在当地业者部分，武汉新芯已决定新建存储晶圆厂，将从3月底开始进行建厂工程，目标最快在2018年年初开始生存储芯片，初期规画将以目前最先进的3D-NANDFlash为主要策略产品，代表了近两年来中国大陆极力发展存储产业的态势下，将开始进入新的里程碑。