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11月8日:ROHM为汽车推出新一代SiC、LED方案

作者:王莹时间:2016-11-14来源:电子产品世界收藏

  新闻发布会上,首先宣布最新的第三代技术,包括 MOSFET、 SBD(肖特基势垒二极管)、SiC模块,提供更高的功率密度可靠性和更高的能效。据悉,相比平面(planar)栅型SiC MOSFET,新一代SiC MOSFET在整个温度范围内减少Rdson 50%,在同样芯片尺寸下减少35%输入电容器。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201611/340154.htm

  的德国发言人(左1)介绍了车用外部LED灯,方案精度更高,用于车前灯。还有LED矩阵控制器,使电路配置更容易、更安全可靠。在德国有设计中心,最多可控制40个灯。

  ROHM的另一位发言人(左2)介绍了电源趋势与方案。芯片更小,意味着模块更小。同时密度更高。使系统更酷(cool)。可用于汽车,工业等应用。还有SiC增加可靠性,提高效率,损耗更低,形状因数更小,适合EV/HEV车。

  Venturi参加了方程式E系列赛车竞赛。右2发言人介绍了方程式E赛车采用RHOM逆变器/SiC的原因:RHOM产品小、强大(性能更高),且更快。体积减少30%。由于采用新的逆变器,有1.7%的效率提升,1-2公斤的重量减少,意味着车更cool(凉/酷)。当增加动力性能时,往往意外着重量增加,ROHM帮助车队克服挑战。未来希望进一步降低排放。赛车追求速度,之前要进行很多软件仿真等。

  右1发言人谈到车手的挑战,希望车的动力强大,但是动力总是有限的,要会管理动力,了解道路,对引擎管理,使性能发挥到极限。新一代ROHM SiC采用了新的沟道(trench)技术,期待性能更加提升。

 



关键词: ROHM SiC

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