SK海力士与东芝和解 提升未来技术发展力

东芝(Toshiba)与SK海力士(SK Hynix)宣布将共同开发下一代半导体制程技术，同时东芝也撤销对SK海力士提出的1.1兆韩元(约9.1亿美元)损害赔偿诉讼。两企业决定集中火力争取半导体产业未来主导权，取代相互耗损的专利诉讼。

据ET News报导，东芝与SK海力士曾维持很长时间的合作关系。2007年缔结专利授权合约，并自2011年开始共同开发下一代存储器STT-MRAM。 2014年3月因存储器半导体技术外流，东芝向SK海力士提出告诉，要求1.1兆韩元规模的民事赔偿，双方关系因此破裂。

最后SK海力士以支付2.8亿美元，相当诉讼规模27%的和解金与东芝达成协议，撤销诉松。SK海力士半导体部门的专利相互授权合约，与产品供应契约也获得延长。通过这次的全方位合作宣言，双方总算重修旧好。

SK海力士有关人士表示，与东芝进行全方位的合作，不但提升技术竞争力也获得稳定的订单，同时解除潜在经营不确定性。

SK海力士最近存储器业绩亮眼，对未来新技术的主导权也显得越来越有兴趣。目前与东芝共同开发的次世代纳米压印(Nanoimprint Lithography;NIL)技术，是在国际半导体科技蓝图(ITRS)中，被喻为能实现32纳米以下微细制程的新方法。

半导体制程日趋微细化，而NIL正是实现微细图案所必要的次世代制程技术。NIL制程与印章的原理类似，将液态紫外线(UV)感光性树脂涂布在基板之后，以透明模具加压形成图案，再用光源照射将图案固定。

因为没有使用镜片而采用便宜的UV光源，价格竞争力远胜极紫外光(EUV)曝光设备。与目前需耗费钜额投资的制程技术相比，可望实现更经济的量产方式。而SK海力士与东芝若能成功开发NIL技术，商用化后也可望进一步强化存储器产品的成本竞争力。