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美大学突破相变化存储器技术 速度较DRAM快逾千倍

作者:时间:2016-08-31来源:Digitimes 收藏

  在全球持续突破运行速度的努力进程中,全球各研究人员均对于“相变化”(Phase Change Memory;PCM)领域的研究感兴趣,并投入大量时间从事研发,最新则是美国史丹佛大学(Stanford University)的研究做出了新突破,据称可让PCM的运行速度较传统快上逾1,000倍以上。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201608/296273.htm

  据Techspot网站报导,所谓的相变化运作原理,是指在低阻抗的结晶态及高阻抗的非结晶态两种物理状态下进行移动,虽然此技术在现今全球储存技术领域中已展现出许多优势,不过仍存有技术缺陷,即所谓的“延迟”(latency)问题。

  实际上存储器在过去30年来,在时脉速率表现上虽已有大幅增加,但在延迟问题上却未见显著改善,不过由史丹佛大学材料科学与工程系副教授Aaron Lindenberg领军的研究团队,则发现能够加快PCM运行速度的新方法。

  该团队透过每次以几微微秒(picosecond)时间为PCM施加0.5THz电脉冲的方式,产生出可测量的结晶纤维,这些结晶纤维理论上可用于储存资料,且这都发生在PCM多数材料仍处在非结晶态的物理状态下。值得注意的是,这些结晶纤维都是以微微秒速度所生成。

  由于传统是在毫微秒(nanosecond)的时间范围内进行运作,但PCM此次是在微微秒情况下生成可用于储存资料的结晶纤维,因此理论上PCM的运行速度,可较快上数千倍。

  从先前外流的英特尔(Intel)产品规划蓝图中,可看出英特尔新款Optane固态硬碟(SSD)可能将于2016年第4季或2017年初,与新一代Kaby Lake处理器一同发表,由于Optane是基于全新3D XPoint技术,目前部分外界认为,该技术可能至少部分会基于PCM原理。

  即使如此,眼前仍有许多挑战必须逐一克服,例如当前在主机板上,仍无法部署THz等级的电脉冲,主要即THz的讯号至今仍无法在印刷电路板(PCB)中非常薄的印刷铜线上良好运作。

  再者,由于全球存储器产业多年来市场价格波动难以掌握,以致业内芯片制造商多半对于改采用新技术的态度较为保守,如果新技术采用未能保证创造长期稳定的获利,就会影响业内新技术的采用,这都成为PCM技术在未来是否能够普及的关键因素。



关键词: 存储器 DRAM

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