新闻中心

EEPW首页 > EDA/PCB > 业界动态 > DRAM供不应求因素 供给和需求分析

DRAM供不应求因素 供给和需求分析

作者:时间:2010-04-23来源:Digitimes收藏

  2010年产业自谷底回春,不淡摆脱过去亏损连连的情况,或是各厂要求政府要纾困,几乎每家业者都开始赚钱,且供不应求情况越来越严重,价格也不断上涨,现在DDR3和DDR2价格1颗3美元的情况发生在传统淡季,实在少见,且缺货的情况短期内无法纾解。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/108323.htm

  市场分析主要原因可分为供给和需求两方配合。在供给端方面,除了三星电子(SamsungElectronics)实力和财力雄厚外,厂的资本支出顶多只能应付制程微缩的需求,没有多余的资金可盖新厂房。

  再者,2010年各厂转进50或是40奈米世代都需要ASML的浸润式机台(ImmersionScanner),但此机台严重缺货,交期持续递延,如果现在下订单,至少要6个月后才能交货,因此也影响各厂制程微缩的速度,减少产出增加速度。

  此外,各厂在制程微缩的过程中,面临很多考验,例如南亚科和华亚科面临沟槽式(Trench)制程转堆栈式(Stack)制程,技术结构和机器设备不同,转制程的速度递延,也影响全球产出。

  在终端需求方面,由于上次微软(Microsoft)推出的Vista不成功,因此全球的PC换机需求被压抑4~5年之久,2010年逐渐引爆,包括消费性机种和企业级的机种同时面临换机需求,因此需求端!也相当受到鼓舞。



关键词: DRAM 40纳米

评论


相关推荐

技术专区

关闭