SBD资讯-电子产品世界网

第16讲：SiC SBD的特性

SiC SBD具有高耐压、快恢复速度、低损耗和低漏电流等优点，可降低电力电子系统的损耗并显著提高效率。适合高频电源、新能源发电及新能源汽车等多种应用，本文介绍SiC SBD的静态特性和动态特性。SBD（肖特基势垒二极管）...

三菱电机 SiC 2025-03-07

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。...

ROHM SiC MOSFET 2023-03-23

Diodes公司发表首款碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)

Diodes 公司 (Diodes)近日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD)。产品组合包含 DIODES DSCxxA065系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) ...

Diodes 碳化硅 2023-02-08

SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较

本文对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。...

SiC 碳化硅 2022-03-19

SiC-SBD与Si-PND的反向恢复特性比较

反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的基本且重要的参数，所以不仅要比较trr的数值，还要理解其波形和温度特性，这样有助于有效使用二极管。...

SiC 碳化硅 2022-03-19

SiC肖特基势垒二极管的特征，及与Si二极管的比较

继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。...

碳化硅 SiC 2022-03-19

Microchip推出3kW瞬态电压抑制二极管阵列产品，实现严苛环境下出色的电路保护

航空航天系统依赖于引擎控制单元、环境控制、仪器和执行器中的数字和逻辑功能与电路才能完成关键的工作。数据中心、5G基础设施和通信系统同样依赖于复杂的电路，而这些电路需要得到妥善保护。即便有闪电、太阳活动和电磁事故引起的电压...

TVS SBD 2020-06-10

电信基带单元的系统方框图 (SBD)

具有TI无线SoC处理器以及时钟和接口解决方案的电信基带单元的系统方框图(SBD)。当今用于蜂窝式电信网络的无线基站必须具备强大的信号处理功能，以便能够处理网络中不断增加的大量语音和数据流量，并支持正广泛......

电信基带系统方框 2016-11-14

东芝扩大650V碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容

　　东京—东芝公司(TOKYO：6502)旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-2...

东芝 SBD 2014-06-27

东芝扩大650V碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容

东芝 SBD 2014-06-23

ROHM超小型元器件RASMID™

ROHM于2011年开发了03015(0.3 mm×0.15 mm)尺寸的世界最小贴片电阻器，相比以往的0402产品尺寸成功减小了44%。2012年开发了世界最小半导体—0402尺寸的齐纳二极管。2013年，产品阵容中增...

ROHM 小型化 2014-02-25

新日本无线新推出粗铜线丝焊类型的音频SiC-SBD

新日本无线的这款新MUSES音频系列产品 MUSES7001 是采用了粗铜线丝焊方式的音频碳化硅肖特基二极管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗铜线有利于降...

新日本无线 SiC-SBD 2013-11-15

第16讲：SiC SBD的特性

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列

Diodes公司发表首款碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)

SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较

SiC-SBD与Si-PND的反向恢复特性比较

SiC肖特基势垒二极管的特征，及与Si二极管的比较

Microchip推出3kW瞬态电压抑制二极管阵列产品，实现严苛环境下出色的电路保护

电信基带单元的系统方框图 (SBD)

东芝扩大650V碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容

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