ReRAM资讯-电子产品世界网

Weebit Nano 与德州仪器公司达成许可协议

Weebit Nano Limited，一家为全球半导体行业开发和授权的先进存储技术公司，宣布已将其电阻随机存取存储器（ReRAM）技术授权给德州仪器（TI），这是一家设计、制造和销售模拟及嵌入式处理芯片的全球半导体公司...

Weebit Nano 德州仪器 2026-01-08

TI获得WeeBit的ReRAM技术授权

Weebit Nano已将其ReRAM技术授权给TI,根据协议条款，Weebit的ReRAM技术将集成到TI用于嵌入式处理器的先进工艺节点中。协议包括知识产权许可、技术转让、设计和认证 Weebit ReRAM 在 TI...

TI WeeBit 2025-12-30

新兴存储，开始走嵌入式路线

新兴内存已不再只是未来的前景。在嵌入式系统中，它正在成为现实。...

MRAM ReRAM 2025-06-03

晶圆代工开始关注新型存储

新型存储器能够满足未来更加多样化的存储需求。...

ReRAM FRAM 2023-04-10

迷人的新型存储

多年来，各大厂商多年来孜孜不倦地追求闪存更高层数和内存更先进制程。现代社会已经进入大数据、物联网时代——一方面，数据呈爆炸式增长，芯片就必须需要具备巨大的计算能力；另一方面，依据传统摩尔定律微缩的半导体技术所面临的挑战...

MRAM ReRAM 2023-03-17

富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品

富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出业界最高密度4 Mbit ReRAM（可变电阻式存储器）（注1）产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体（注2）合作开发的首款ReRAM存储器产品。ReR...

合作 ReRAM 2020-05-15

ReRAM即将跨入3D时代？

　　莫斯科物理技术学院(MIPT)宣称成功为ReRAM开发出新的制程，可望为其实现适于3D堆叠的薄膜技术…　　可变电阻式随机存取存储器(ReRAM)是一种可望取代其他各种储存类型的“通用”存储器，不仅提供了随机存取存储器...

ReRAM 存储器 2017-07-05

中芯国际为何锁定瞄准ReRAM？

　　比NAND闪存更快千倍 40纳米ReRAM在中芯国际投产引起业界关注!曾经一度大举退出内存生产的中芯国际，为何锁定瞄准ReRAM?主要原因在于ReRAM应用在物联网(IoT)装置拥有愈长的电池续航力，一来可节省维护成...

中芯国际 ReRAM 2017-02-28

比NAND闪存更快千倍 40nm ReRAM在中芯国际投产

　　非挥发性电阻式内存(ReRAM)开发商CrossbarInc.利用非导电的银离子-非晶硅(a-Si)为基板材料，并透过电场转换机制，开发出号称比NAND闪存更快千倍速度的ReRAM组件，同时就像先前在2016年所承诺...

NAND ReRAM 2017-02-14

40nm ReRAM芯片正式出样中芯国际向上走势头劲

中芯未来几年的扩产布局，可谓遍地开花，包括在北京、上海、深圳、宁波以及杭州等地，都有新的12寸晶圆厂投资计划，虽然部分投资案目前仅止于土地取得、尚未装置机台的阶段，但可看出中芯旺盛的企图心。...

中芯国际 ReRAM 2017-01-19

中芯国际正式出样40nm ReRAM芯片

　　目前在下一代存储芯片的研发当中，除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片(非易失性阻变式存储器)。2016年3月，Crossbar公司宣布与中芯国际达成合作，发力中国市场。其中，中芯国际将采用自家的40nm C...

中芯国际 ReRAM 2017-01-17

富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品

　　富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出业界最高密度4 Mbit ReRAM(可变电阻式存储器)(注1)产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体(注2)合作开发的首款ReRAM存储器产品。 ...

富士通 ReRAM 2016-11-09

ReRAM公布最新成果,性能接近理论数据

　　可变电阻式ReRAM 作为新的存储技术，从研发到商用总是要历经漫长的艰难坎坷。现在ReRAM芯片的研制已经初见成效，日前索尼和Micron就联手公布了他们的最新研究成果，称他们试制的产品在性能上已经非常接近理论数据。...

索尼 Micron 2014-12-28

ReRAM将能代替内存和硬盘

　　固态硬盘供应商SanDisk正在研发一种新型的系统存储器，未来也许能一举替代内存和硬盘。 ReRAM代表电阻式RAM，将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身。换句话说，关闭电源后存储器仍能记住数据。如果Re...

惠普内存 2012-02-22

次世代内存技术研发掀起跨领域结盟热潮

　　继Hynix(海力士)和HP(惠普)宣布合作开发新世代内存ReRAM技术和材料，Elpida(尔必达)与Sharp(夏普)亦宣布共同研发ReRAM，让次世代内存技术研发掀起跨领域结盟热潮。内存业者预期，未来ReRAM...

内存 ReRAM 2010-10-19

异业结盟潮起次世代内存再掀热战

　　继海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作开发新世代内存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技术和材料，尔必达(Elpida)与夏普(Sharp)亦宣布共同研发ReRAM，让次...

尔必达 ReRAM 2010-10-14

夏普联袂尔必达开发下一代ReRAM闪存芯片

　　日经新闻报道，夏普正与尔必达联手开发下一代ReRAM可变电阻式闪存芯片，预计在2013年实现量产。　　...

夏普闪存芯片 2010-10-13

惠普宣布与海力士合作开发新型内存

　　据国外媒体报道，惠普周二宣布与韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)达成合作协议，共同研发下一代内存技术电阻式内存并将其推向市场。　　据一份声明显示，两家公司将合作开发新型材料和技术，实现电阻...

海力士内存 2010-09-01

Weebit Nano 与德州仪器公司达成许可协议

TI获得WeeBit的ReRAM技术授权

新兴存储，开始走嵌入式路线

晶圆代工开始关注新型存储

迷人的新型存储

富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品

ReRAM即将跨入3D时代？

中芯国际为何锁定瞄准ReRAM？

比NAND闪存更快千倍 40nm ReRAM在中芯国际投产

40nm ReRAM芯片正式出样中芯国际向上走势头劲

中芯国际正式出样40nm ReRAM芯片

富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品

ReRAM公布最新成果,性能接近理论数据

ReRAM将能代替内存和硬盘

次世代内存技术研发掀起跨领域结盟热潮

异业结盟潮起次世代内存再掀热战

夏普联袂尔必达开发下一代ReRAM闪存芯片

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