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ReRAM

　　日本富士通的川崎实验室透露，他们研发除了一种新型的非挥发ReRAM(电阻式记忆体)，能提供更低的功耗。 　　包含钛镍氧化物结构的ReRAM，在刷写时只需要100mA的电流甚至更少，相比传统ReRAM，研究人员还降低了90%的波动电阻值，这一技术指标在反复高速写入和擦除时会影响产品质量和寿命。 　　新的技术可以更快地完成存取，5毫秒内存取10000次。 　　这种ReRAM未来可以替代目前的FlashRAM，并且成本较低，表现也非常突出。

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