IGBT/MOSFET资讯-电子产品世界网

onsemi 与 FORVIA HELLA 在汽车动力 MOSFET 领域进一步展开合作

Onsemi与FORVIA HELLA延续了长期的战略合作，正式签署了一项专注于下一代汽车动力MOSFET技术的新长期协议。该交易重点在于将Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET应用于FORVIA H...

Onsemi FORVIA HELLA 2026-01-04

英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC MOSFET 650V G2，实现更高的功率密度

简介CoolSiC MOSFET G2 沟槽式 MOSFET 发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程中的效率。将 SiC 性能提升到一个新水平，同时满足所有常见电源方案组合的最高质量标准： AC-DC、...

英飞凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29

英飞凌OptiMOS 6 80V MOSFET树立领先AI服务器平台DC-DC功率转换效率新标准

简介英飞凌OptiMOS™ 6 80 V——最新的功率MOSFET技术，通过广泛的产品组合设定了新的行业基准性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、双面散热PQFN 5x6 以及源极向下 PQFN 3.3x...

英飞凌 OptiMOS 6 2025-12-24

MOSFET失效分析

MOSFET 是芯片的基本单元，MOSFET是为了实现数字电路中0和1的开关，他有三个电极，源极、栅极和漏极，简化模型如下图...

MOSFET 雪崩失效 2025-12-24

ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压（40V/60V）MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封装产...

ROHM MOSFET 2025-12-18

Boost电路的工作过程

Boost电源电路是一种DC-DC升压电路，能够将低电压升高到较高电压。其基本原理是利用电感储能和电容储能的方式，通过开关管的开关控制，将输入电压进行短时间内的变化，从而使输出电压得到升压。通过调整开关管的开关频率和占空...

Boost电路工作过程 2025-12-09

全硅RC缓冲器，用于碳化硅MOSFET

Melexis正在制造全硅RC缓冲器，用于集成在碳化硅动力模块中。目前正在向潜在客户采样，所有零件将是新零件编号“MLX91299”的变体，并以裸芯片形式交付，准备与电源模块内的MOSFET和二极管芯片进行顶部线连接。反...

全硅 RC 缓冲器碳化硅 MOSFET 2025-12-01

iDEAL Semiconductor以SuperQ™ MOSFET为高压电池设定新安全标准

iDEAL Semiconductor, 是高效能功率硅的领导者，今天宣布推出其 SuperQ™ MOSFET 技术，专门设计用来解决高压（72V 及更高）电池管理系统（BMS）中关键的安全与效率权衡问题。此新平台为 ...

iDEAL MOSFET 2025-11-21

内阻很小的MOS管为什么会发热？

Source、Drain、Gate分别对应场效应管的三极：源极S、漏极D、栅极G（里这不讲栅极GOX击穿，只针对漏极电压击穿）。一、MOSFET的击穿有哪几种？先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫...

MOS管 MOSFET 2025-11-19

PCIM2025论文摘要 | 400V SiC MOSFET助力服务器和人工智能电源实现更高的效率和功率密度

内容摘要400V SiC MOSFET技术可以实现更低的开关损耗和导通损耗。简要介绍了该器件的概念和特性。在用于服务器应用的电源(PSU)中对其优势进行了研究，该电源在176V-265V交流输入和50V输出电压下可提供3...

英飞凌 MOSFET 2025-11-14

IGBT模块工作环境温湿度条件解析

在散热器上安装的IGBT 模块并非密封设计，尽管芯片上方有一层硅胶，但是水汽仍然可以通过外壳间隙以及硅胶进入器件芯片内部。因此，器件在使用和存储过程中，必须避免湿气或者腐蚀性气体。目前大多数IGBT 模块允许工作的温湿度...

英飞凌 IGBT 2025-11-14

英飞凌扩展其CoolSiC™产品系列，推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司通过增加顶部散热（TSC）的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三...

英飞凌 CoolSiC 2025-10-26

英飞凌推出针对工业与消费类应用优化的OptiMOS™ 7功率MOSFET

各行业高功耗应用的快速增长对功率电子技术提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在这方面发挥着关键作用，而针对应用优化的设计思路为进一步提升已高度成熟的MOSFET技术带来了新的可能性。通过...

英飞凌 MOSFET 2025-10-23

英飞凌推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列

电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求，以满足日益提升的性能预期。同时，这些需求也带来了新的设计挑战，例如，如何在严苛环境条件下实现可靠...

英飞凌 MOSFET 2025-10-20

体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品（TO-263-7L）...

ROHM SiC MOSFET 2025-10-17

韩国在釜山启动首个8英寸碳化硅工厂，年产量预计达3万片晶圆

碳化硅（SiC）在耐高温、耐电压和电力效率方面优于传统硅，全球领导者如英飞凌和 Wolfspeed 正在争先。现在，韩国也加大了力度——Maeil 商业报纸报道，釜山已开启了韩国首个 8 英寸碳化硅功率半导体工厂。据报道...

碳化硅 MOSFET 2025-09-18

iDEAL推出具有行业领先性价比的200 V SuperQ™ MOSFET系列

iDEAL半导体近日宣布，其200 V SuperQ™ MOSFET系列中的首款产品已进入量产阶段，另外四款200 V器件现已提供样品。SuperQ是硅MOSFET技术在超过25年来的首次重大进步，突破了长期存在的开关...

iDEAL MOSFET 2025-09-05

英飞凌OptiMOS™ 6产品组合新增TOLL、TOLG和TOLT封装的150V MOSFET

随着全球汽车行业电气化进程的加速，市场对高效、紧凑且可靠的功率系统的需求持续增长——不仅乘用车领域如此，电动两轮车领域亦是如此。这些车辆需要特殊的系统支持，例如xEV上的高压-低压DC/DC转换器和电动两轮车上的牵引逆变...

英飞凌 MOSFET 2025-09-05

用于 gen-7 IGBT模块的硅凝胶

陶氏公司的目标是使用其最新的硅凝胶来开发 IGBT 模块，以支持 800V 车辆和可再生能源高达 180°C 的运行温度。“在光伏电池板和风力涡轮机中，逆变器的功率密度正在增加，”该公司表示。“由于第 7 代 IGBT ...

gen-7 IGBT 2025-09-05

iDEAL 半导体宣布推出基于 SuperQ™的 200V MOSFET 系列，具有行业领先的成本×性能

iDEAL 半导体宣布其首批基于 SuperQ™的 200V MOSFET 已进入量产阶段，另外还有四个 200V 器件正在进行样品测试。SuperQ 是过去 25 年来硅 MOSFET 技术的第一个重大进步，突破了长期...

MOSFET 选型MOS 2025-09-04

东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET

中国上海，2025年8月28日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备...

东芝 SiC MOSFET 2025-08-28

SiC MOSFET 界面陷阱检测升级：Force-I QSCV 方法详解

电容-电压 (C-V) 测量广泛用于半导体材料和器件表征，可提取氧化物电荷、界面陷阱、掺杂分布、平带电压等关键参数。传统基于 SMU 施加电压并测量电流的准静态方法适用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因电容更大...

202509 SiC MOSFET 2025-08-22

双芯智控革命：IGBT与单片机如何重塑智能微波炉

当传统微波炉还在依赖笨重的工频变压器时，TRinno的IGBT单管与现代ABOV单片机的协同创新，正推动厨房电器进入精准控能时代。这套双核驱动方案通过半导体技术替代机械结构，不仅让微波炉体积缩小40%，更实现了从毫秒级功...

IGBT 单片机 2025-08-19

1200V全垂直硅基氮化镓MOSFET

山东大学和华为技术有限公司在中国使用氟（F）离子注入端接（FIT）在全垂直氮化镓（GaN）硅基硅（Si）沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中实现了1200V击穿性能[Yuchuan 马等人，IEEE Ele...

1200V 全垂直 2025-08-13

英飞凌推出采用Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。这款新型半导体器件能够提供更加出色的热性能、系统效率和功率密度...

英飞凌 CoolSiC 2025-08-05

iDEAL与电力系统专家Richardson Electronics, Ltd.签署SuperQ MOSFET技术合作伙伴协议

继推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此举标志着自 25 多年前超级结技术以来，硅 MOSFET 架构的首次重大进步。宾夕法尼亚州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是...

iDEAL Richardson 2025-08-01

从IGBT到GaN：10kW串式逆变器设计的关键要点与性能优势解析

随着全球对能源可持续性与安全性的关注升温，住宅太阳能储能系统需求持续攀升。当前市场上，2kW级微型逆变器已实现集成储能功能，而更高功率场景则需依赖串式逆变器或混合串式逆变器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW单相...

TI IGBT 2025-07-29

固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

固态继电器（SSR）是各种控制和电源开关应用中的关键组件，涵盖白色家电、供暖、通风和空调（HVAC）设备、工业过程控制、航空航天和医疗系统。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基...

固态隔离器 MOSFET 2025-07-22

iDEAL的SuperQ技术正式量产，推出150V与200V MOSFET

iDEAL Semiconductor的SuperQ™技术现已全面量产，首款产品为150V MOSFET。同时，一系列200V MOSFET产品也已进入送样阶段。SuperQ是过去25年来硅基MOSFET设计领域的首次重...

iDEAL MOSFET 2025-07-18

选型必看！MOSFET四大非理想参数详解

几乎所有的书籍资料，在讲解MOSFET的时候，都喜欢先从微观结构去分析MOSFET基于半导体特性的各种结构，然后阐述这些结构导致其参数的成因。但是这种方式对于物理基础较弱的应用型硬件工程师是非常不友好的，导致大家看了大量...

选型指南 MOSFET 2025-07-16

基于onsemi NCP51752隔离式SiC MOSFET闸极驱动器评估板

NCP51752是隔离单通道栅极驱动器系列,源极和吸收峰电流分别为+4.5 A/-9A。它们设计用于快速切换以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。 NCP51752提供短而匹配的传播延...

onsemi NCP51752 2025-07-08

Wolfspeed 1700 V MOSFET技术，助力重塑辅助电源系统的耐用性和成本

在几乎所有电机驱动、电动汽车、快速充电器和可再生能源系统中，都会配备低功耗辅助电源。虽然相比于主要的功率级，此类电源通常受到的关注较少，但它们仍是帮助系统高效运行的关键组成部分。提高系统可靠性、减小系统尺寸以及缩减系统成...

Wolfspeed MOSFET 2025-07-03

CoolSiC™ MOSFET G2如何正确选型

之前两篇文章我们分别介绍了CoolSiC™ MOSFET G2的产品特点及导通特性（参考阅读： CoolSiC™ MOSFET Gen2性能综述， CoolSiC™ MOSFE...

英飞凌 MOSFET 2025-06-26

罗姆的SiC MOSFET应用于丰田全新纯电车型“bZ5”

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”）面向中国市场的全新...

罗姆 SiC MOSFET 2025-06-24

从单管到并联：SiC MOSFET功率扩展实战指南

在10kW-50kW中高功率应用领域，SiC MOSFET分立器件与功率模块呈现并存趋势。分立方案凭借更高设计自由度和灵活并联扩容能力突围——当单管功率不足时，只需并联一颗MOSFET即可实现功率跃升，为工业电源、新能源...

意法半导体 SiC 2025-06-24

英飞凌推出用于电动汽车的新一代高功率节能型IGBT和RC-IGBT芯片

随着纯电动汽车（BEV）和插电式混合动力电动汽车（PHEV）销量的快速增长，电动汽车市场的发展在不断加速。预计到 2030 年，电动汽车的生产比例将实现两位数增长，从2024年的20%增长至45%左右[1]。为满足对高压...

英飞凌 IGBT 2025-06-21

R课堂 | IGBT IPM的热关断保护功能（TSD）

关键要点BM6337xS系列配备了可监控LVIC（Low Side Gate Driver）温度的热关断电路，当LVIC的 T j 达到规定温度以上时，热关断电路将启动，会关断下...

罗姆半导体 IGBT 2025-06-11

东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V第3代SiC MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的...

东芝 DFN8×8 2025-05-20

英飞凌ICE3PCS01G搭配IGBT高效率2.5KW空调电源方案

这是一个用于测试 2.5 kW 功率因数校正 (PFC) 电路的平台。它旨在评估使用 4 脚封装的优势。例如提高效率和信号质量，并展示了包括 PFC 控制器、MOSFET 驱动器和碳化硅二极管在内的完整 In...

英飞凌 ICE3PCS01G 2025-05-16

工程师必看！从驱动到热管理：MOSFET选型与应用实战手册

MOSFET因其独特的性能优势，已成为模拟电路与数字电路中不可或缺的元件，广泛应用于消费电子、工业设备、智能手机及便携式数码产品中。其核心优势体现在三个方面：驱动电路设计简化，所需驱动电流远低于BJT，可直接由CMOS或...

MOSFET 2025-05-16