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SiC-FET资讯

SiC叙事主线迎来新篇章 10KV只是新战场起点

过去十年里，碳化硅（SiC）功率器件的叙事主线几乎始终围绕新能源汽车展开。从650V、1200V到1700V，SiC MOSFET最重要的技术价值是替代传统硅基IGBT，提高逆变效率、降低散热压力并缩小系统体积。随着新能...

SiC 10KV 2026-05-19

超快充、数据中心成碳化硅SiC下一轮增长引擎

电动汽车超快充、数据中心电力基础设施，将成为碳化硅（Si）的下一轮增长引擎。安森美（onsemi）高级技术营销总监 Mrinal Das 在今年 “化合物半导体国际大会” 上，用一句话概括了 SiC 的下一波重大机遇：可...

碳化硅 SiC 2026-05-15

SiC MOSFET 体二极管特性及死区时间选择

01、SiC MOSFET的体二极管及其关键特性无论是平面栅还是沟槽栅，SiC MOSFET都采用垂直导电结构，其纵向（从漏极到源极）的层状结构是通用的，如下图所示：图1. 沟槽型--英飞凌非对称沟栅CoolSiC™ M...

英飞凌 SiC MOSFET 2026-04-30

车展热闹背后，汽车电子竞争正在往底层走

北京车展不只是新车和功能竞争。智驾芯片、智控平台、800V 高压系统、隔离驱动、传感器、方案整合和交付能力，正在成为整车体验能否做稳的关键。...

汽车电子北京车展 2026-04-25

1200V 碳化硅半桥模块问世，为 IGBT 方案提供简易升级路径

SemiQ 推出面向数据中心制冷与工业驱动的半桥系列产品，集成 1mΩ 导通电阻 SiC MOSFET 与并联碳化硅二极管，实现高功率转换效率。来源：Anattawut | Dreamstime.comSemiQ 公司开...

SiC AI数据中心 2026-04-23

SiC MOSFET的并联设计要点

SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制,常见的单管额定电流多在几十到两百安培,而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景,往往需要千安级的电流输出,单管无法满足。因此,SiC MOSF...

英飞凌 SiC MOSFET 2026-04-22

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SiC-FET资料

SiC-FET论坛

07-25 11种封装的国产碳化硅模块及新工艺顶部散热产品介绍应用

Ewyas|浏览：2048|回复：3| Ewyas 2025-08-07 13:58:53

07-25 11种封装的国产碳化硅模块及新工艺顶部散热产品介绍应用

Ewyas|浏览：3731|回复：4| Ewyas 2025-08-07 13:59:06

07-07 碳化硅高速电机控制器设计及效能分析

Ewyas|浏览：1103|回复：1| Ewyas 2025-07-24 08:59:12

04-15 麦科信MOIP光隔离探头解决碳化硅（SiC）项目问题

seving|浏览：1316|回复：0| seving 2025-04-15 14:47:21

06-18 六月盲盒，第四关：认识大功率、高性能汽车类SiC牵引逆变器

咔嚓猫爱刺鱼|浏览：13929|回复：94| lihaiyan 2023-06-29 12:25:55

02-09 了解SiC器件的命名规则

睡梦中的雄师|浏览：1087|回复：0| 睡梦中的雄师 2023-02-09 09:37:03

10-24 SiC器件之外延层基础知识

睡梦中的雄师|浏览：2147|回复：2| bwcx957 2022-10-24 07:37:21

07-21 一文弄懂SiMOSFET和SiCMOSFET的导通电阻差异特性

睡梦中的雄师|浏览：2257|回复：0| 睡梦中的雄师 2022-07-21 20:25:17

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Diodes公司推出PCIe 7.0时钟发生器
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