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英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率
- 随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特定客户需求的出现，促使英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）开发电压650 V以下的SiC MOSFET产品。现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，推出全新CoolSiC™ MOS
- 关键字： 英飞凌 CoolSiC MOSFET AI服务器电源
碳化硅的新爆发
- 随着全球对于电动汽车接纳程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未来十年将会迎来全新的增长契机。预计将来，功率半导体的生产商与汽车行业的运作方会更踊跃地参与到这一领域的价值链建设里。SiC 作为第三代半导体以其优越的性能，在今年再次掀起风潮。6 英寸到 8 英寸的过渡推动由于截至 2024 年开放 SiC 晶圆市场缺乏批量出货，因此 8 英寸 SiC 平台被认为具有战略性意义。SiC 具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度和高迁移率等特点，是良好的半导体材料，目前已经在汽车电子、工业半导体等领域有
- 关键字： SiC
纯电车需求放缓 SiC功率组件业年营收动能降温
- 在纯电动汽车应用的驱动下，根据TrendForce研究显示，2023年全球SiC功率组件产业保持强劲成长，但2024年纯电动汽车销量成长速度的明显放缓与工业需求走弱，预估今年全球SiC功率组件产业营收年成长幅度将较过去几年显着收敛。根据TrendForce研究显示，2023年全球前5大SiC功率组件供货商约占整体营收91.9%，其中ST以32.6%市占率持续领先，onsemi则是由2022年的第4名上升至第2名。 TrendForce表示，作为关键的车用SiC MOSFET供货商，ST正在意大利卡塔尼亚打
- 关键字： 纯电车 SiC 功率组件 TrendForce
GaN“上车”进程加速，车用功率器件市场格局将改写
- 根据Yole机构2024 Q1的预测，氮化镓 (GaN) 功率半导体器件市场2023至2029年平均复合年增长 (CAGR) 将高于45%，其中表现最为抢眼的是汽车与出行市场（automotive & mobility），“从无到有”，五年后即有望占据三分之一的GaN应用市场（图1）。而相比之下，碳化硅（SiC）应用市场成长则显得比较温和，CAGR远低于GaN（图1）。随着GaN“上车”进程加速，功率器件器件市场竞争格局或将被改写。图1：在GaN市场份额变化中，汽车与出行市场 “从无到有”，五年后
- 关键字： GaN 车用功率器件 Transphorm SiC
新型OptiMOS 7 MOSFET改进汽车应用中的导通电阻、设计稳健性和开关效率
- 英飞凌科技股份公司正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合，在40 V 产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件，并且推出了80 V和100 V型号的OptiMOS™ 7 MOSFET。这些MOSFET针对各项标准和未来的48 V汽车应用进行了优化，包括电动助力转向、制动系统、新区域架构中的功率开关、电池管理、电子保险丝盒，以及各种12 V和48 V电气系统应用中的直流/直流和BLDC驱动器等。这些产品还适用于轻型电动汽车（LEV）、电动二轮车、电动踏板车、电动摩
- 关键字： 英飞凌科技 汽车应用 OptiMOS™ 7 MOSFET
使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管
- 为特定CMOS工艺节点设计的SPICE模型可以增强集成电路晶体管的模拟。了解在哪里可以找到这些模型以及如何使用它们。我最近写了一系列关于CMOS反相器功耗的文章。该系列中的模拟采用了LTspice库中预加载的nmos4和pmos4模型。虽然这种方法完全适合这些文章，但如果我们的主要目标是准确模拟集成电路MOSFET的电学行为，那么结合一些外部SPICE模型是有意义的。在本文中，我将介绍下载用于IC设计的高级SPICE模型并在LTspice原理图中使用它们的过程。然后，我们将使用下载的模型对NMOS晶体管进
- 关键字： CMOS，MOSFET 晶体管，Spice模型
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