JFET 与 MOSFET的区别JFET 和 MOSTFET 之间的主要区别在于，通过 JFET 的电流通过反向偏置 PN 结上的电场引导，而在 MOSFET 中，导电性是由于嵌入在半导体上的金属氧化物绝缘体中的横向电场。JFET 与 MOSFET的区别两者之间的下一个关键区别是，JFET 允许的输入阻抗比 MOSFET 小，因为后者嵌入了绝缘体，因此漏电流更少。JFET 通常被称为“ON 器件”是一种耗尽型工具，具有低漏极电阻，而 MOSFET 通常被称为“OFF 器件”，
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结型场效应管 jfet MOSFET 电路设计
潮流就是即便你放弃了我，也不妨碍我越来越火。距离特斯拉宣布放弃碳化硅已经过去了一年，这个市场非但没有被抛弃，反而以 GaN、SiC 为代表的第三代半导体发展备受关注：Yole 数据显示，2026 年 GaN 市场规模预计可达 6.72 亿美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半导体市场规模有望突破 60 亿美元。预测是人算不如天算，第三代半导体优势已经被讲的翻来覆去了，市场的反馈是最真实和残酷的—很火但不是主流。碳化硅与新能源车能不能齐飞？新能源是第三代半导体应用的重要驱动力。新能源车的最大
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GaN SiC
7月22日，苏州悉智科技有限公司（以下简称“悉智科技”）宣布，其首批车规级功率模块量产产品正式下线投产。悉智科技表示，此次下线的首批量产模块，是悉智科技自研的高端电驱SiC塑封功率模块产品。在SiC DCM塑封功率模块的定制化开发上，悉智科技取得了显著进展，目前该产品已获取到客户的量产订单，并会在今年四季度实现大规模量产。资料显示，悉智科技自2022年1月1日正式运营以来，始终专注于车规级功率与电源模块的研发与生产，致力于为智能电动汽车、光储新能源等客户提供深度定制化的解决方案。目前，该公司已在苏州建成具
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悉智科技 DCM封装 8并 SiC
专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。贸泽供货的英飞凌CoolSiC™ G2 MOSFET可在所有常见电源方案组合（AC-DC、DC-DC和DC-A
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贸泽 英飞凌 CoolSiC G2 MOSFET
图1 半导体对许多新兴绿色科技至关重要毋庸置疑，从社会发展的角度，我们必须转向采用可持续的替代方案。日益加剧的气候异常和极地冰盖的不断缩小，清楚地证明了气候变化影响的日益加剧。但有一个不幸的事实是，摆脱化石燃料正被证明极其困难，向绿色技术的转变也带来了一系列技术挑战。无论是生产要跟上快速扩张的市场步伐，还是新解决方案努力达到现有系统产出水平，如果我们要让化石燃料成为过去，这些难题都必须被克服。对于电动汽车（EV）和太阳能电池板等应用，工程师面临着更多的挑战，因为敏感的电子元件必须在恶劣的环境中持续可靠地运
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电动汽车 光伏逆变器 SiC
OptiMOS™ 7 40V 车规MOSFET概况采用OptiMOS™ 7 技术的40V车规MOSFET产品系列，进一步提升比导通电阻，减小RDSON*A，即在同样的晶圆面积下实现更低的RDSON，或者说在更小的晶圆面积下实现相同的RDSON。如下图所示，英飞凌40V MOSFET不同代际产品在比导通电阻的演进。英飞凌40V MOSFET比导通电阻代际演进英飞凌OptiMOS™
7
技术是英飞凌开发的第五代沟槽技术，是当今领先的双多晶硅沟槽技术。无引脚封装结合铜夹技术的使用，大幅提高了产品的电流能
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OptiMOS MOSFET 英飞凌
碳化硅场效应晶体管(SiC FET)接近于理想的开关，具有低损耗、宽带隙技术和易于集成设计等优势。Qorvo的SiC FET技术如今以高效模块化产品的形式呈现;本文探讨了这种产品形态如何使SiC FET成为太阳能逆变器应用的理想之选。
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202407 太阳能 PV SiC FET 宽带隙 碳化硅 光伏
在本文中，我们使用90nm CMOS的SPICE模型来绘制NMOS晶体管的关键电学关系。在前一篇文章中，我解释了如何获得集成电路MOSFET的高级SPICE模型，并将其纳入LTspice仿真中。然后，我们使用这个模型来研究NMOS晶体管的阈值电压。在本文中，我们将使用相同的模型来生成直观地传达晶体管电气行为的图。绘制漏极电流与漏极电压我们将从生成漏极电流（ID）与漏极-源极电压（VDS）的基本图开始。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中VDD的值逐渐增加。图1显示了
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LTspice MOSFET NMOS
英飞凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本效益的硅基解决方案，丰富了英飞凌的宽带隙产品阵容。该系列产品配备集成式快速体二极管，适用于服务器和工业开关模式电源装置（SMPS）、电动汽车充电器、微型太阳能等广泛应用。这些元件采
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英飞凌 oolMOS 8 SJ MOSFET 电源应用
6月23日，瞻芯电子宣布，公司基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC
MOSFET产品已经通过车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证。同时，瞻芯电子第三代1200V SiC
MOSFET工艺平台正式量产，后续将依托浙江义乌的车规级SiC晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。瞻芯电子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，致力于开发碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模块产品。瞻芯电子表示，第三代1200V 13
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瞻芯电子 SiC MOSFET 车规认证
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特定客户需求的出现，促使英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）开发电压650 V以下的SiC MOSFET产品。现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，推出全新CoolSiC™ MOS
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英飞凌 CoolSiC MOSFET AI服务器电源
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS™ S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS™ S7T）取得的进步基础上，显著提高了结温传感的精度，因此具有诸如更高的耐用性、安全性和效率等对于汽车领域至关重要的优势。与同系列中的工业级产品一样，车规级CoolMOS™ S7TA 尤其适合固态继电器（SSR）应用。它具有出色的RDS(on)
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英飞凌 温度传感器 CoolMOS MOSFET
据TrendForce集邦咨询研究显示，2023年全球SiC功率元件产业在纯电动汽车应用的驱动下保持强劲成长，前五大SiC功率元件供应商约占整体营收91.9%，其中ST以32.6%市占率持续领先，onsemi则是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨询分析，2024年来自AI服务器等领域的需求则显著大增，然而，纯电动汽车销量成长速度的明显放缓和工业需求走弱正在影响SiC供应链，预计2024年全球SiC功率元件产业营收年成长幅度将较过去几年显著收敛。作为关键的车用SiC
MOSFE
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SiC 功率元件 ST
随着全球对于电动汽车接纳程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未来十年将会迎来全新的增长契机。预计将来，功率半导体的生产商与汽车行业的运作方会更踊跃地参与到这一领域的价值链建设里。SiC 作为第三代半导体以其优越的性能，在今年再次掀起风潮。6 英寸到 8 英寸的过渡推动由于截至 2024 年开放 SiC 晶圆市场缺乏批量出货，因此 8 英寸 SiC 平台被认为具有战略性意义。SiC 具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度和高迁移率等特点，是良好的半导体材料，目前已经在汽车电子、工业半导体等领域有
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SiC
在纯电动汽车应用的驱动下，根据TrendForce研究显示，2023年全球SiC功率组件产业保持强劲成长，但2024年纯电动汽车销量成长速度的明显放缓与工业需求走弱，预估今年全球SiC功率组件产业营收年成长幅度将较过去几年显着收敛。根据TrendForce研究显示，2023年全球前5大SiC功率组件供货商约占整体营收91.9%，其中ST以32.6%市占率持续领先，onsemi则是由2022年的第4名上升至第2名。 TrendForce表示，作为关键的车用SiC MOSFET供货商，ST正在意大利卡塔尼亚打
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纯电车 SiC 功率组件 TrendForce
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