先进电机应用（如高转速、高频、高功率密度、高温等）需要相匹配的逆变器支持，但业界一直为其开发难度所困扰。全球领先的高温半导体解决方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆变器参考设计很好地解决了这一问题。该参考设计整合了CISSOID 公司的SiC高压功率模块和相匹配的集成化栅极驱动器，Silicon Mobility公司的控制板和软件，超低寄生电感的直流母线电容和EMI滤波器，直流和相电流传感器等其它附件。由此为先进电机应用提供了一个已全面集成的完整“傻瓜型”逆变器开发平
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SiC 逆变器 电机 CISSOID Silicon Mobility
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。根据电路条件不同，在雪崩、MOSFET漏极或源极中，电流范围可从微安到数百安。
额定击穿电压，也可称之为“BV”，通常是在给定温度范围（通常是整个工作结温范围）内定义的MOSFET器件的最小阻断电压（例如30V）。数据表中的BVdss值是在低雪崩电流（通常为
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MOSFET 雪崩 电流
中国 北京，2024 年 2 月 29 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅（SiC）模块，其中两款为半桥配置，两款为全桥配置，导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化
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Qorvo 1200V SiC模块 SiC
奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示产品创新，今天宣布发布几款新型MOSFET，以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围，可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封装，体积缩小60%，以及改进了电磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFETPoE交换机通常有多达48个端口，每个端口需要2个MOSFET提供保护。单个PCB上有多达96
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Nexperia APEC 2024 拓宽分立式FET MOSFET
在本文中，我们介绍了具有不同负载类型的MOSFET共源放大器的基本行为。模拟电路随处可见，放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET能够制造出卓越的放大器件，这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑结构的原因。根据哪个晶体管端子是输入端和哪个晶体管端子是输出端来区分它们。在本文中，我们将讨论共用源极（CS）放大器，它使用栅极作为其输入端子，使用漏极作为其输出。在交流信号方面，源端子对于输入和输出都是公共的，因此得名为共源。图1显示了具有理想电流源的CS放大器。具有理想电流源负载的共源放大器。&nb
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MOSFET 共源放大器
在本文中，我们介绍了具有不同负载类型的MOSFET共源放大器的基本行为。模拟电路随处可见，放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET能够制造出卓越的放大器件，这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑结构的原因。根据哪个晶体管端子是输入端和哪个晶体管端子是输出端来区分它们。在本文中，我们将讨论共用源极（CS）放大器，它使用栅极作为其输入端子，使用漏极作为其输出。在交流信号方面，源端子对于输入和输出都是公共的，因此得名为共源。图1显示了具有理想电流源的CS放大器。具有理想电流源负载的共源放大器。&nb
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MOSFET 共源放大器
本文的关键要点各行各业的工厂都在扩大生产线的智能化程度，在生产线上的装置和设备旁边导入先进信息通信设备的工厂越来越多。要将高压工业电源线的电力转换为信息通信设备用的电力，需要辅助设备用的高效率电源，而采用内置1700V耐压SiC MOSFET的AC-DC转换器IC可以轻松构建这种高效率的辅助电源。各行各业加速推进生产线的智能化如今，从汽车、半导体到食品、药品和化妆品等众多行业的工厂，既需要进一步提升生产效率和产品品质，还需要推进无碳生产（降低功耗和减少温室气体排放）。在以往的制造业中，提高工厂的生产效率和
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电力转换 SiC MOSFET
回首2023年，尽管全球供应链面临多重挑战，但我们看到了不少闪光点，比如AIGC的热潮、汽车电子的火爆，以及物联网的小跑落地……今天，安森美(onsemi)碳化硅技术专家牛嘉浩先生为大家带来了他对过去一年的经验总结和对新一年的展望期盼。汽车产业链中的困难与挑战在过去一年中，汽车芯片短缺、全球供应链的复杂性和不确定性及市场需求的变化，可能是汽车产业链最为棘手的难题，汽车制造商需要不断调整生产和采购策略以应对潜在的风险和瓶颈。随着更多传统车企和新兴造车势力进入新能源汽车市场，竞争压力加大，汽车制造商需要不断提
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智能电源 智能感知 汽车领域 SiC
CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC™技术的输出电流能力强，可靠性提高。产品型号：▪️ IMYH200R012M1H▪️ IMYH200R024M1H▪️ IMYH200R050M1H▪️ IMYH200R075M1H▪️ IMYH200R0100M1H产品特点■ VDSS=2000V，可用于最高母线电压为1500VDC系统■ 开关损
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MOSFET CoolSiC Infineon
电力电子应用希望纳入新的半导体材料和工艺。
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GaN SiC
在电力电子的很多应用，如电机驱动，有时会出现短路的工况。这就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的时间内承受住短路电流而不损坏。目前市面上大部分IGBT都会在数据手册中标出短路能力，大部分在5~10us之间，例如英飞凌IGBT3/4的短路时间是10us，IGBT7短路时间是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 没 有 标 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 较 短 ， 例 如 英 飞 凌 的CoolSiCTM MOSFET单管封装器件标称短路时间是3us，EASY封装器件标
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infineon MOSFET
回首2023，碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步？出现了哪些变化？2024将迎来哪些新机遇和新挑战？为更好地解读产业格局，探索未来的前进方向，行家说三代半、行家极光奖联合策划了《行家瞭望——2024，火力全开》专题报道。本期嘉宾是意法半导体亚太区功率分立和模拟产品器件部市场和应用副总裁Francesco MUGGERI（沐杰励）。全工序SiC工厂今年投产第4代SiC MOS即将量产行家说三代半：据《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》统计，2023年全球新发布碳化硅主驱车型又新增了40多款，预计明年部分
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意法半导体 SiC
2月1日消息，近日，浙江嘉兴平湖市政府公示了“年产90万片功率模块、45万片PCBA板和20万台电机控制器”建设项目规划批前公告。据披露，该项目建设单位为臻驱科技的全资子公司——臻驱半导体（嘉兴）有限公司，臻驱半导体拟投约资6.45亿元在平湖市经济技术开发区新明路南侧建造厂房用于生产及研发等，项目建筑面积达45800m2。公开资料显示，臻驱科技成立于2017年，是一家提供国产功率半导体及新能源汽车驱动解决方案的公司，总部位于上海浦东，在上海临港、广西柳州、浙江平湖及德国亚琛（Aachen）等地布局了多家子
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功率模块 碳化硅 SiC
中国 北京，2024 年 1 月 30 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新引脚兼容 SiC FET 系列的首款产品，导通电阻值最高可达 60mΩ，非常适合车载充电器、DC/DC
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Qorvo SiC FET 电动汽车
MOSFET的小信号特性在模拟IC设计中起着重要作用。在本文中，我们将学习如何对MOSFET的小信号行为进行建模。正如我们在上一篇文章中所解释的那样，MOSFET对于现代模拟IC设计至关重要。然而，那篇文章主要关注MOSFET的大信号行为。模拟IC通常使用MOSFET进行小信号放大和滤波。为了充分理解和分析MOS电路，我们需要定义MOSFET的小信号行为。什么是小信号分析？当我们说“小信号”时，我们的确切意思是？为了定义这一点，让我们参考图1，它显示了逆变器的输出传递特性。逆变器的传输特性。 图
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MOSFET 模拟IC
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