sic mosfet 文章 最新资讯
采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机
- “引言”近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。 逆变焊机通常是通过功率模块解决方案设计来实现更高输出功率，从而帮助降低节能焊机的成本、重量和尺寸[1]。 在焊机行业，诸如提高效率、降低成本和增强便携性（即，缩小尺寸并减轻重量）等趋势一直是促进持续发展的推动力。譬如，多
- 关键字： 增强互连封装技术 SiC MOSFET单管 焊机
SMPD先进绝缘封装充分发挥SiC MOSFET优势
- SMPD可用于标准拓扑结构，如降压、升压、桥臂(phase-leg)，甚至是定制的组合。它们可用于各种技术产品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二极管、晶闸管、三端双向可控硅，或定制组合，具有从40V到3000V不同电压等级。ISOPLUS - SMPD 及其优势SMPD代表表面安装功率器件(Surface Mount Power Device)，是先进的顶部散热绝缘封装，由IXYS（现在是Littelfuse公司的一部分）在2012年开发。SMPD只有硬币大小，具有几项关键优势：·
- 关键字： Littelfuse SMPD MOSFET
安森美与Kempower就电动汽车充电桩达成战略协议
- 2023 年 5 月 16 日—智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON），宣布与Kempower达成战略协议，将为Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二极管，用于可扩展的电动汽车（EV）充电桩。双方此项合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC产品在内的各种功率半导体技术，开发电动汽车充电方案套件。这些器件将用于有源AC-DC前端以及初级侧和次级侧的DC-DC转换器。 安森美为Kempower 的Satellit
- 关键字： 安森美 Kempower 充电桩 EliteSiC MOSFET 电动汽车快充
优化SiC MOSFET的栅极驱动
- 在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET 有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1 000 V）。而IGBT 虽然可以在高压下使用，但其 “拖尾电流 “和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET 的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性
- 关键字： SiC MOSFET 栅极驱动 安森美
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